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首页 > 热门关键词 > STM32仿真器
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  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥52.53
    • 10+

      ¥51.23
    • 30+

      ¥50.37
  • 有货
  • 特性:核心:Arm 32位Cortex-M3 CPU。 最高频率48 MHz,在0 WS内存访问时,性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O
    数据手册
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      ¥52.82
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      ¥53.21
    • 30+

      ¥52.42
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥54.47
    • 10+

      ¥53.16
    • 30+

      ¥52.29
  • 有货
  • 连接线路,基于 ARM 的 32 位 MCU,具有 64/256 KB 闪存、USB OTG、以太网、10 个定时器、2 个 CAN、2 个 ADC、14 个通信接口。
    数据手册
    • 1+

      ¥55
    • 10+

      ¥53.08
  • 有货
  • 特性:核心:带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存中零等待状态执行,频率高达84 MHz,内存保护单元,105 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),以及DSP指令。 存储器:高达512 KB的闪存;高达96 KB的SRAM。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O;POR、PDR、PVD和BOR;4至26 MHz晶体振荡器;内部16 MHz工厂校准RC;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准;内部32 kHz RC,带校准。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.1
    • 10+

      ¥46.8
    • 30+

      ¥41.74
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥55.23
    • 10+

      ¥53.9
    • 30+

      ¥53.02
  • 有货
  • 特性:采用FlexPowerControl的超低功耗。1.71V至3.6V电源。-40℃至85/125℃温度范围。BAT模式下300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。16nA关机模式(4个唤醒引脚)。32nA待机模式(4个唤醒引脚)。带RTC的245nA待机模式。0.7μA停止2模式,带RTC时为0.95μA
    数据手册
    • 1+

      ¥55.36
    • 10+

      ¥54.1
    • 30+

      ¥53.26
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为2.0V至3.6V。 存储器:高达512KB的闪存;64KB的SRAM,前32KB实现硬件奇偶校验;用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;为RTC和备份寄存器提供VBAT电源。 时钟管理:4至32MHz晶体振荡器;用于RTC的32kHz振荡器,带校准;内部8MHz RC,可选x16 PLL;内部40kHz振荡器。 多达115个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多个5V耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥55.72
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      ¥54.45
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      ¥53.6
  • 有货
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      ¥55.25
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      ¥54.39
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  • 主流 Arm Cortex-M4 MCU 170 MHz,带 256 KB 闪存、数学加速器、高模拟级集成
    • 1+

      ¥56.88
    • 10+

      ¥55.52
    • 30+

      ¥54.61
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  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    • 1+

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      ¥55.79
    • 30+

      ¥54.85
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
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    • 1+

      ¥57.52
    • 10+

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    • 10+

      ¥56.44
    • 30+

      ¥55.56
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
    数据手册
    • 1+

      ¥57.78
    • 10+

      ¥56.46
    • 30+

      ¥55.58
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速,FMAC为滤波数学加速器。 存储器:128 Kbytes闪存,支持ECC,有专有代码读出保护(PCROP)和可安全存储区域,1 Kbyte OTP;22 Kbytes SRAM,前16 Kbytes有硬件奇偶校验;10 Kbytes SRAM在指令和数据总线上,有硬件奇偶校验(CCM SRAM)。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式包括睡眠、停止、待机和关机。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器,内部16 MHz RC,带PLL选项(±1%)。 多达86个快速I/O:所有可映射到外部中断向量,多个I/O具备5 V容限能力。 互连矩阵
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    • 1+

      ¥58.34
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      ¥57.01
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    • 10+

      ¥57.2
    • 30+

      ¥56.35
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU,带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达180 MHz,具备MPU,225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。 存储器:512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器,支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口,支持8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC(精度1%)、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。 低功耗:支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电,20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC:多达24个通道,三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥59.48
    • 10+

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    • 30+

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  • 有货
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    • 10+

      ¥58.36
    • 30+

      ¥57.45
  • 有货
  • 特性:核心:基于 Arm 的 32 位 Cortex-M3 CPU(最高 120 MHz),带有自适应实时加速器(ART Accelerator),可实现从闪存的零等待状态执行性能,具备 MPU,150 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。 存储器:高达 1 Mbyte 的闪存,512 字节的 OTP 存储器,高达 128 + 4 Kbytes 的 SRAM,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器的灵活静态存储器控制器,LCD 并行接口(8080/6800 模式)。
    数据手册
    • 1+

      ¥59.76
    • 10+

      ¥57.8
  • 有货
  • 特性:超低功耗与FlexPowerControl: 1.71V至3.6V电源。-40℃至85/105/125℃温度范围。VBAT模式下200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式(5个唤醒引脚)。28nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式,带RTC时1.28μA。84μA/MHz运行模式
    • 1+

      ¥60.2
    • 10+

      ¥59.01
    • 30+

      ¥58.22
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台: 1.65V 至 3.6V 电源。-40°C 至 85°C/105°C 温度范围。0.3μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。0.9μA 待机模式 + RTC。0.57μA 停止模式(16 个唤醒线)。1.2μA 停止模式 + RTC。9μA 低功耗运行模式。214μA/MHz 运行模式
    数据手册
    • 1+

      ¥60.97
    • 10+

      ¥52.61
    • 30+

      ¥47.51
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源:VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源:VDA从VDD至3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥61.19
    • 10+

      ¥52.8
    • 30+

      ¥47.69
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 内存:256 KB的闪存;32 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 1.8 V ±8%;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;所选I/O:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;低功耗模式:睡眠、停止;RTC和备份寄存器的VBAT电源。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器;内部48 MHz振荡器,基于外部同步自动微调。 多达87个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达68个I/O具有5V容限能力,19个具有独立电源VDDIO2
    • 1+

      ¥61.43
    • 10+

      ¥59.42
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥61.74
    • 10+

      ¥60.42
    • 30+

      ¥56.79
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台,1.65V至3.6V电源,-40至125℃温度范围。 0.23μA待机模式(2个唤醒引脚)。 0.35μA停止模式(16个唤醒线)。 0.6μA停止模式 + RTC + 8KB RAM保留。 运行模式下低至76μA/MHz。 5μs唤醒时间(从闪存)
    数据手册
    • 1+

      ¥62.01
    • 10+

      ¥53.51
    • 30+

      ¥48.33
  • 有货
  • 特性:超低功耗平台。 1.65V 至 3.6V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86μA 停止模式 + RTC + 20KB RAM 保留。 运行模式低至 93μA/MHz
    数据手册
    • 1+

      ¥62.56
    • 10+

      ¥53.98
    • 30+

      ¥48.75
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 Arm Cortex-M33 CPU,带有TrustZone、FPU,频率高达250 MHz,具备MPU,375 DMIPS(Dhrystone 2.1)。 8 Kbyte指令缓存,用于从闪存和外部存储器进行零等待状态执行。 4 Kbyte数据缓存,用于外部存储器。 1.5 DMIPS/MHz(Drystone 2.1)。 1023 CoreMark(4.092 CoreMark/MHz)。 高达2 Mbyte的嵌入式闪存,带ECC,两个存储体可在写入时读取。 每个存储体高达48 Kbyte,具有高循环能力(100 K周期),用于数据闪存
    • 1+

      ¥62.71
    • 10+

      ¥61.35
    • 30+

      ¥60.43
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