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封装：LQFP-48(7x7)

特性：8位HCS08中央处理器单元 (CPU)，40MHz HCS08 CPU (20MHz总线)，具备HC08指令集和新增的BGND指令，支持多达32个中断/复位源。片上内存：闪存可在全工作电压和温度下进行读取/编程/擦除操作；高达2K的EEPROM在线可编程存储器，具有8字节单页或4字节双页擦除扇区，可在执行闪存操作时进行编程和擦除，支持擦除中止；高达4K的随机存取存储器 (RAM)。

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型号：ESP32-C5HR8 编号：C51950746

封装：QFN-48(6x6)

品牌：ESPRESSIF(乐鑫)

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型号：STM32F102C8T6 编号：C2969848

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：Arm 32位Cortex-M3 CPU。最高频率48 MHz，在0 WS内存访问时，性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhystone 2.1）。单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 10或16 KB的SRAM。 2.0至3.6V的应用电源和I/O

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型号：S9KEAZ128AMLK 编号：C100100

封装：LQFP-80(14x14)

品牌：NXP(恩智浦)

原FREESCALE(飞思卡尔)

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型号：R7FA4M1AB3CFM#AA0 编号：C1340737

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

高效率48-MHz Arm Cortex-M4核心，256-KB代码闪存内存，32-KB SRAM，段式LCD控制器，电容触摸感应单元，USB 2.0全速模块，14位A/D转换器，12位D/A转换器，安全和保护功能

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型号：GD32F470ZGT6 编号：C4154981

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：C8051F320-GQR 编号：C24737

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：SKYWORKS/SILICON LABS(芯科)

特性：±1 LSB INL，无丢失码。可编程吞吐量高达200 ksps。多达17个外部输入，可编程为单端或差分输入。内置温度传感器 (±3℃)。符合USB规范2.0。全速 (12 Mbps) 或低速 (1.5 Mbps) 运行

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型号：STM32L471VGT6 编号：C2836688

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA：为RTC和32×32位备份寄存器供电。关机模式30nA（5个唤醒引脚）。待机模式120nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式420nA。停止2模式下1.1μA，带RTC时1.4μA

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型号：HC32F4A0TIHB-TFBGA208 编号：C5263760

封装：TFBGA-208

品牌：XHSC(小华)

商城规格书仅供参考，具体参考小华官网最新资料手册

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型号：STM32WB55CGU6 编号：C404023

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含先进的专利技术射频：2.4 GHz RF 收发器，支持蓝牙 5.2 规范、IEEE 802.15.4-2011 PHY 和 MAC，支持 Thread 和 Zigbee 3.0。接收灵敏度：蓝牙低功耗 1 Mbps 时为 -96 dBm，802.15.4 为 -100 dBm。可编程输出功率高达 +6 dBm，步长为 1 dB。集成巴伦以减少物料清单。支持 2 Mbps。专用 Arm 32 位 Cortex M0+ CPU 用于实时射频层。精确的 RSSI 以实现功率控制。适用于需要符合射频法规 ETSI EN 300 328、EN 300 440、FCC CFR47 Part 15 和 ARIB STD-T66 的系统

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型号：STM32F413RGT6 编号：C468260

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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型号：STM32F373RBT6 编号：C154712

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU（最高72 MHz），单周期乘法和硬件除法，带FPU（浮点单元）和MPU（内存保护单元）的DSP指令，1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）。内存：64至256 Kbytes的闪存，32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围2.0至3.6 V，上电/掉电复位（POR/PDR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式：睡眠、停止、待机，VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至32 MHz晶体振荡器，32 kHz带校准的RTC振荡器，内部8 MHz RC（带x16 PLL选项），内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O，所有可映射到外部中断向量，多达45个5 V耐压I/O

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型号：STM32U575VIT6 编号：C5270999

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗，采用带 Trust Zone 的 FPU Arm Cortex-M33、具有 1Mbytes 闪存的 160 MHz MCU

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型号：STM32F446VET6TR 编号：C2054064

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达180 MHz，具备MPU，225 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。存储器：512 KB闪存、128 KB SRAM、具有高达16位数据总线的灵活外部存储器控制器，支持SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND闪存、双模式QuadSPI接口。 LCD并行接口，支持8080/6800模式。时钟、复位和电源管理：1.7 V至3.6 V应用电源和I/O、POR、PDR、PVD和BOR、4至26 MHz晶体振荡器、内部16 MHz工厂校准RC（精度1%）、用于RTC的32 kHz振荡器及校准、内部32 kHz RC及校准。低功耗：支持睡眠、停止和待机模式。 VBAT为RTC供电，20×32位备份寄存器加上可选的4 KB备份SRAM。 3个12位、2.4 MSPS ADC：多达24个通道，三重交错模式下可达7.2 MSPS。 2个12位D/A转换器

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型号：STM32F415VGT6 编号：C118210

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：ARM 32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存0等待状态执行，频率高达168 MHz，有内存保护单元，210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持DSP指令。内存：高达1 Mbyte闪存；高达(192 + 4) Kbytes SRAM，含64 Kbyte CCM（核心耦合内存）数据RAM；灵活的静态内存控制器，支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存。

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型号：STM32F103VDT6 编号：C41527

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

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型号：HPM5E3YIVK1 编号：C53262626

封装：BGA-121(9x9)

品牌：HPMICRO(先楫半导体)

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型号：LPC1752FBD80K 编号：C782280

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：NXP(恩智浦)

适用于嵌入式应用的基于ARM Cortex-M3的微控制器，具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3是下一代内核，提供系统增强功能，如增强的调试功能和更高级别的支持块集成。可在高达100 MHz（部分型号）或120 MHz（LPC1759）的CPU频率下运行。ARM Cortex-M3 CPU采用3级流水线，使用哈佛架构，具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线，还包括一个支持推测分支的内部预取单元

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型号：F280037CSPM 编号：C5700739

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F280037C 具有 CLA、CLB、AES 和 CAN-FD 的 C2000™ MCU 120MHz 256KB 闪存、FPU 和 TMU

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型号：STM32L476RET6 编号：C71075

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71 V至3.6 V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为300 nA：为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式下为30 nA（5个唤醒引脚）。待机模式下为120 nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式下为420 nA。停止2模式下为1.1 μA，带RTC的停止2模式下为1.4 μA

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型号：TMS320F28035RSHT 编号：C1337919

封装：VQFN-56-EP(7x7)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F28035 具有 60MHz 频率、128KB 闪存、CLA 的 C2000™ MCU

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￥52.05
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￥43.01

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型号：STM32F413ZGT6 编号：C1340055

封装：LQFP-144(20x20)

品牌：ST(意法半导体)

特性：动态效率线，具备增强批量采集模式 (eBAM)。1.7 V 至 3.6 V 电源。40 °C 至 85/105/125 °C 温度范围。内核：带有浮点单元 (FPU) 的 Arm 32 位 Cortex-M4 CPU，自适应实时加速器 (ART Accelerator™) 允许从闪存零等待状态执行，频率高达 100 MHz，具备内存保护单元，125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)，支持 DSP 指令。高达 1.5 Mbytes 的闪存。320 Kbytes 的 SRAM。灵活的外部静态内存控制器，具有高达 16 位数据总线：SRAM、PSRAM、NOR 闪存。双模式 Quad-SPI 接口

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￥62.73
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60+
￥48.35
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型号：LPC1754FBD80K 编号：C880038

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：NXP(恩智浦)

适用于嵌入式应用的基于ARM Cortex-M3的微控制器，具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3是下一代内核，提供系统增强功能，如增强的调试功能和更高级别的支持块集成。可在高达100 MHz（部分型号）或120 MHz（LPC1759）的CPU频率下运行。ARM Cortex-M3 CPU采用3级流水线，使用哈佛架构，具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线，还包括一个支持推测分支的内部预取单元

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￥64.74
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119+
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型号：F28P650SK6PZPR 编号：C32888130

封装：HLQFP-100(14x14)

品牌：TI(德州仪器)

是C2000™实时微控制器系列中的一款可扩展、超低延迟器件，旨在提高电力电子设备的效率，包括但不限于：高功率密度、高开关频率，并支持使用GaN和SiC技术。这些应用包括工业电机驱动电机控制、牵引逆变器电机控制、HVAC电机控制、移动机器人电机控制、光伏逆变器、中央逆变器、微型逆变器、串式逆变器、数字电源、HEV/EV动力总成、电动汽车充电基础设施、储能系统、工业与协作机器人、工业机械和机床、工业移动机器人。实时控制子系统基于TI的32位C28xDSP内核，可针对从片上闪存或SRAM运行的浮点或定点代码在每个内核中提供200MIPS的信号处理性能。这相当于基于Cortex®-M7的器件上的400MHz处理能力（C28xDSP内核提供的性能比Cortex®-M7内核高两倍）。三角函数加速器(TMU)和循环冗余校验(VCRC)扩展指令集进一步增强了C28x CPU的性能，从而加快了对实时控制系统很关键的常用算法的速度。利用扩展指令集实现IEEE双精度64位浮点数学。最后，控制律加速器(CLA)使每个内核具有额外200MIPS的独立处理能力。这相当于基于Cortex®-M7的器件上的280MHz处理能力（CLACPU提供比Cortex®-M7内核高40%的性能）

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￥81.41
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￥74.11
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￥71.46
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￥66.21

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型号：STM32L152RET6 编号：C1337532

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源供电。40°C至105°C温度范围。290 nA待机模式（3个唤醒引脚）。1.11 μA待机模式 + RTC。560 nA停止模式（16个唤醒线）

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￥82.44
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型号：STM32G473RET3 编号：C5270351

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：包含意法半导体先进的专利技术。Arm 32 位 Cortex-M4 CPU 带 FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达 170 MHz，213 DMIPS，具备 MPU、DSP 指令。工作条件：VDD、VDDA 电压范围 1.71 V 至 3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC 用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。存储器：512 Kbytes 闪存，支持 ECC，双存储体可读写，具备专有代码读出保护（PCROP）、可安全存储区域，1 Kbyte OTP；96 Kbytes SRAM，前 32 Kbytes 有硬件奇偶校验；32 Kbytes SRAM 在指令和数据总线上，有硬件奇偶校验（CCM SRAM）。外部静态存储器接口 FSMC，支持 SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 存储器；Quad-SPI 存储器接口。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机和关机；VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。时钟管理：4 至 48 MHz 晶体振荡器；32 kHz 振荡器带校准；内部 16 MHz RC 带 PLL 选项 (±1%)；内部 32 kHz RC 振荡器 (±5%)

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型号：STM32F429BGT6 编号：C122914

封装：LQFP-208(28x28)

品牌：ST(意法半导体)

特性：内核：带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器（ART加速器）、主频高达180MHz，MPU，能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz（Dhrystone2.1）的性能，具有DSP指令集。高达2MB Flash，组织为两个区，可读写同步。高达256 + 4KB的SRAM，包括64-KB的CCM（内核耦合存储器）数据RAM。具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器：SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口，兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率，具有专用的Chrom-ART Accelerator，用于增强的图形内容创建（DMA2D）。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR

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￥89.44
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型号：XC7Z007S-1CLG400I 编号：C1522036

封装：CSPBGA-400

品牌：AMD/XILINX(赛灵思)

该系列产品将功能丰富的基于双核或单核 ARM Cortex-A9 的处理系统 (PS) 和 28nm 赛灵思可编程逻辑 (PL) 集成在单个器件中。ARM Cortex-A9 CPU 是 PS 的核心，还包括片上存储器、外部存储器接口和丰富的外设连接接口。Zynq-7000 系列提供了 FPGA 的灵活性和可扩展性，同时具备通常与 ASIC 和 ASSP 相关的性能、功耗和易用性。该系列的器件范围使设计人员能够使用行业标准工具，从单一平台针对成本敏感型以及高性能应用。虽然 Zynq-7000 系列中的每个器件都包含相同的 PS，但 PL 和 I/O 资源在不同器件之间有所不同。

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