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HC32F190/ HC32F196 系列是一款宽电压工作范围的通用 MCU。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC,1 个12 位DAC 以及集成了比较器、运放、内置高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性的特点。内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件,支持C 语言及汇编语言,汇编指令。
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  • HC32A136 系列是超低功耗、宽电压工作范围的 MCU,旨在延长便携式测量系统的电池使用寿命。集成12 位 1Msps 高精度 SARADC 以及比较器、运放、高性能PWM 定时器、LCD 显示、多路 UART、SPI、I2C 等丰富的通讯外设,内建 AES、TRNG 等信息安全模块,具有高整合度、高抗干扰、高可靠性和超低功耗的特点。本产品内核采用 Cortex-M0+ 内核,配合成熟的 Keil & IAR 调试开发软件,支持 C 语言及汇编语言,汇编指令。
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  • N32G455系列采用32 bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成多达512KB Flash,144KB SRAM,4x12bit 5Msps ADC,4个运算放大器,7个模拟比较器,2x1Msps 12bit DAC,支持多达24通道电容式触摸按键,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口,1xSDIO接口,内置密码算法硬件加速引擎。
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  • STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器集成了高性能 Arm Cortex -M0 32 位 RISC 核心,工作频率为 48 MHz,具有高速嵌入式存储器(高达 256 KB 的 Flash 存储器和高达 32 KB 的 SRAM),以及广泛的增强型外设和 I/O。所有设备均提供标准通信接口(高达两个 I2C,高达两个 SPI 和高达六个 USART),一个 12 位 ADC,七个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器在 -40 至 +85℃ 的温度范围内,从 2.4 至 3.6 V 的电源供电下运行。全面的省电模式允许设计低功耗应用。STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器包括四种不同封装的设备,引脚数从 20 个到 64 个不等。根据所选设备,包含不同的外设集合。这些特性使 STM32F030x4/x6/x8/xC 微控制器适用于广泛的应用,例如应用控制和用户界面、手持设备、A/V 接收器和数字电视、PC 外设、游戏和 GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、视频对讲机和 HVAC。
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  • 基于Arm® Cortex®-M3 内核的32位微控制器
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  • 商城规格书仅供参考,具体参考小华官网最新资料手册
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  • MSP430F2121 具有 4KB 闪存、256B SRAM、计时器、比较器的 16MHz MCU
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  • 该设备属于GD32 MCU系列的价值产品线。它是一款基于高性能ARM Cortex -M3 RISC内核的32位通用微控制器,在处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳比率。Cortex®-M3是下一代处理器内核,与嵌套向量中断控制器(NVIC)、SysTick定时器和高级调试支持紧密耦合。该设备集成了工作频率为72 MHz的ARM® Cortex®-M3 32位处理器内核,具有零等待状态的闪存访问,以获得最高效率
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      ¥6.78
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  • MSP430G2433 具有 8KB 闪存、512B SRAM、10 位 ADC、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU
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      ¥7.18
  • 有货
  • MSP430FR2533 具有 16 个触摸 IO(24 个传感器)、16KB FRAM、2KB SRAM、19 个 IO、10 位 ADC 的电容式触控 MCU
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  • 针对成本敏感和电池供电的应用进行了优化,需要低功耗通用连接。
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。 工作温度:-40°C至85°C/105°C/125°C。 存储器:高达64 KB的闪存,具备保护和可安全区域;8 KB的SRAM,带硬件奇偶校验。 CRC计算单元。 复位和电源管理:电压范围1.7 V至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程欠压复位(BOR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机、关机;VBAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至48 MHz晶体振荡器;32 kHz晶体振荡器,带校准;内部16 MHz RC,可选PLL(±1%);内部32 kHz RC振荡器(±5%)
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  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达256KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
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  • 特性:工作电压范围:2.7至5.5V。 闪存写入电压范围:2.7至5.5V。 环境温度范围:-40至105°C。 高达48MHz Arm Cortex-M0+内核。 单周期32位x32位乘法器。 单周期I/O访问端口
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  • 特性:AEC-Q100 qualified。 核心:最大fCPU:16 MHz。具有哈佛架构和3级流水线的高级STM8A核心。扩展指令集。 存储器:程序存储器:4至8 Kbyte Flash程序;在55℃下经过1 kcycle后数据保留20年。数据存储器:640 byte真数据EEPROM;耐久性300 kcycle
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      ¥16.85
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  • MSP430FR5720 具有 4KB FRAM、1KB SRAM、10 位 ADC、比较器、UART/SPI/I2C、计时器的 8MHz MCU
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    • 1+

      ¥16.97
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。 存储器:64至128 KB的闪存;16 KB带硬件奇偶校验的SRAM。 CRC计算单元。 复位和电源管理:数字和I/O电源:VDD = 2.0 V至3.6 V;模拟电源:VDDA = VDD至3.6 V;选定的I/Os:VDDIO2 = 1.65 V至3.6 V;上电/掉电复位 (POR/PDR);可编程电压检测器 (PVD);低功耗模式:睡眠、停止、待机;V BAT为RTC和备份寄存器供电。 时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;用于RTC的32 kHz振荡器,带校准功能;内部8 MHz RC,可选x6 PLL;内部40 kHz RC振荡器;基于外部同步自动微调的内部48 MHz振荡器。 多达87个快速I/O:均可映射到外部中断向量;多达68个I/O具有5V容限能力,19个具有独立电源VDDIO2
    数据手册
    • 1+

      ¥17.23
    • 10+

      ¥14.58
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      ¥12.92
    • 260+

      ¥11.22
    • 520+

      ¥10.46
  • 有货
  • 高性能、低功耗的8位Atmel AVR微控制器高级RISC架构131条强大的指令 – 大多数单时钟周期执行32X8通用工作寄存器全静态操作在20MHz下最高可达20MIPS吞吐量片上2周期乘法器高耐久性非易失性存储段16/32/64/128K字节的系统内自编程Flash程序存储器512/1K/2K/4K字节EEPROM1/2/4/16K字节内部SRAM写/擦除次数:Flash 10,000次/ EEPROM 100,000次数据保持:85℃下20年/ 25℃下100年可选独立锁位的启动代码段通过片上启动程序进行系统内编程真正的读写同时操作用于软件安全的编程锁Atmel QTouch库支持电容触摸按钮、滑块和滚轮QTouch和QMatriX采集最多64个感应通道JTAG(符合IEEE std. 1149.1标准)接口根据JTAG标准的边界扫描功能广泛的片上调试支持通过JTAG接口对Flash、EEPROM、熔丝位和锁定位进行编程外设特性两个带独立预分频器和比较模式的8位定时器/计数器一个或两个带独立预分频器、比较模式和捕获模式的16位定时器/计数器带有独立振荡器的实时时钟六个PWM通道8通道、10位ADC差分模式,增益可选1X、10X或200X面向字节的两线串行接口两个可编程串行USART主/从SPI串行接口带独立片上振荡器的可编程看门狗定时器片上模拟比较器引脚变化中断和唤醒特殊微控制器特性上电复位和可编程掉电检测内部校准RC振荡器外部和内部中断源六种睡眠模式:空闲、ADC降噪、节能、掉电、待机和扩展待机I/O和封装32个可编程I/O线路40引脚PDIP,44引脚TQFP,44焊盘VQFN/QFN/MLF 44焊盘DRQFN– 49球VFBGA工作电压1.8 - 5.5V速度等级0 - 4MHz @ 1.8 - 5.5V0 - 10MHz @ 2.7 - 5.5V0 - 20MHz @ 4.5 - 5.5V功耗在1MHz,1.8V,25℃时活动模式:0.4mA掉电模式:0.1µA节能模式:0.6µA(包括32kHz RTC)
    数据手册
    • 1+

      ¥18.32
    • 10+

      ¥15.57
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      ¥13.85
    • 100+

      ¥12.09
  • 有货
  • 特性:动态效率线,具备BAM(批量采集模式)。 核心:带有FPU的ARM 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART AcceleratorTM)允许从闪存存储器零等待状态执行,频率高达100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令。 存储器:高达512 Kbytes的闪存存储器,128 Kbytes的SRAM。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.59
    • 10+

      ¥16.52
    • 30+

      ¥15.06
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    • 1+

      ¥19.39
    • 10+

      ¥16.58
    • 30+

      ¥14.91
    • 160+

      ¥13.21
    • 480+

      ¥12.43
    • 960+

      ¥12.08
  • 有货
  • 特性:核心:带有FPU的Arm 32位Cortex-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,具有213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。工作条件:VDD、VDDA电压范围:1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速。FMAC:滤波数学加速器。存储器:128 Kbytes的闪存,支持ECC,具备专有代码读出保护(PCROP)、可测量存储区和1 Kbyte OTP。22 Kbytes的SRAM,前16 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上有10 Kbytes的SRAM,具备硬件奇偶校验(CCM SRAM)。复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR/BOR)
    数据手册
    • 1+

      ¥19.53
    • 10+

      ¥17.42
    • 30+

      ¥15.93
    • 100+

      ¥14.27
    • 500+

      ¥13.65
    • 1000+

      ¥13.39
  • 订货
  • 基于Arm® Cortex®-M4F内核的工业级高性能超值型MCU
    • 1+

      ¥20.13
    • 10+

      ¥17.14
    • 30+

      ¥15.27
    • 100+

      ¥13.36
    • 490+

      ¥12.49
    • 980+

      ¥12.12
  • 有货
  • MSP430F417 具有 32KB 闪存、1KB SRAM、计时器、比较器和 96 段 LCD 的 8MHz MCU
    数据手册
    • 1+

      ¥21.22
    • 10+

      ¥18.32
    • 30+

      ¥16.59
    • 100+

      ¥14.85
    • 500+

      ¥14.04
    • 1000+

      ¥13.68
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM,具有4个片选的灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器,LCD并行接口,8080/6800模式。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6 V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC带校准,32 kHz振荡器用于RTC带校准。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 3个12位、1 μs A/D转换器(最多21个通道),转换范围:0至3.6 V,三重采样和保持能力,温度传感器,2个12位D/A转换器。 DMA:12通道DMA控制器,支持的外设:定时器、ADC、DAC、SDIO、I²Ss、SPIs、I²C和USART
    数据手册
    • 1+

      ¥21.28
    • 10+

      ¥18.68
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