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  • 商城规格书仅供参考,具体参考小华官网最新资料手册
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  • MSP430F2002 具有 1KB 闪存、128B SRAM、SPI/I2C、比较器和计时器的 16MHz MCU
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  • 描述:富芮坤屏显蓝牙MCU,串口屏触摸屏 CPU:内置32位CPU,支持最高96MHz时钟频率 叠封FLASH容量:8MB 内置Param容量:2MB 封装:QFN40 蓝牙标准:蓝牙V5.1LE标准 数据速率:支持2M/1M/500K/125K速率 发射功率:10dBm 灵敏度:-97dBm 接收峰值电流:6.5mA 发送峰值电流:6.2mA 数字接口:通用GPIO,Timer,Efuse128bit,SPIM,SPIS,UART,QSPI,I2C,PWM,PDM,USB OTG,8080并行接口 模拟接口:8通道10bitSAR ADC 电源管理:集成DC-DC、LDO
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  • MSP430F448 具有 48KB 闪存、2KB SRAM、12 位 ADC、比较器、SPI/UART 和 160 段 LCD 的 8MHz MCU
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  • 特性:高性能RISC CPU,仅需学习49条指令。 所有单周期指令(分支指令除外)。 工作速度:DC-32 MHz振荡器/时钟输入,DC-125 ns指令周期。 高达16 Kbytes线性程序存储器寻址。 高达1024 bytes线性数据存储器寻址。 具有自动上下文保存功能的中断能力。 16级深度硬件堆栈,可选溢出/下溢复位。 直接、间接和相对寻址模式
    数据手册
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  • 特性:高性能RISC CPU:仅需学习35条指令,除分支指令外均为单周期指令。工作速度:DC-20 MHz振荡器/时钟输入,DC-200 ns指令周期。高达4K x 14字的闪存程序存储器。高达192字节的数据存储器(RAM)。中断能力。8级深度硬件堆栈。直接、间接和相对寻址模式。处理器对程序存储器的读访问
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  • N32G455系列采用32 bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成多达512KB Flash,144KB SRAM,4x12bit 5Msps ADC,4个运算放大器,7个模拟比较器,2x1Msps 12bit DAC,支持多达24通道电容式触摸按键,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口,1xSDIO接口,内置密码算法硬件加速引擎。
    数据手册
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  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。存储器:16至32 Kbytes的闪存,4 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:数字和I/O电源:2.0至3.6 V;模拟电源:V(DDA) = 从V(DD)至3.6 V;上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;V(BAT)为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器;32 kHz用于RTC的振荡器,带校准;内部8 MHz RC,有x6 PLL选项;内部40 kHz RC振荡器。多达39个快速I/O:所有可映射到外部中断向量;多达26个I/O具有5 V容限能力
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  • 配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器
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  • 有货
  • 特性:32位ARM Cortex-M0内核,最高25 MHz时钟频率,单周期每机器周期架构,单周期乘法器。 片上内存: -36 KB闪存(包括EEPROM)。 -4 KB EEPROM(在闪存中模拟)。 -768字节100时间可编程内存(100TP)
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  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M0 CPU,频率高达48 MHz。16至64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。数字和I/O电源:VDD = 2.0V至3.6V。模拟电源:VDA从VDD至3.6V
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  • ATmega8是基于AVR RISC架构的低功耗CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,ATmega8每MHz可实现接近1MIPS的吞吐量,使系统设计人员能够在功耗和处理速度之间进行优化。AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。这种架构代码效率更高,同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。ATmega8具有以下特性:8KB可在系统编程的闪存,具备读-写能力;512字节的EEPROM;1KB的SRAM;23个通用I/O线;32个通用工作寄存器;三个灵活的定时器/计数器,具有比较模式;内部和外部中断;一个串行可编程USART;一个面向字节的两线串行接口;一个6通道ADC(TQFP和QFN/MLF封装中为8通道),精度为10位;一个可编程看门狗定时器,带有内部振荡器;一个SPI串行端口;以及五种软件可选的节能模式
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    • 500+

      ¥12.65
  • 有货
  • 特性:工作电压范围:2.7至5.5V。 闪存写入电压范围:2.7至5.5V。 环境温度范围:-40至105℃。 高达48 MHz Arm Cortex-M0+内核。 单周期32位x 32位乘法器。 单周期I/O访问端口
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    • 1+

      ¥21.21
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    • 540+

      ¥13.9491 ¥14.09
    • 990+

      ¥13.5333 ¥13.67
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl:电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式(5个唤醒引脚)。28nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式,带RTC时为1.28μA。84μA/MHz运行模式(LDO模式)
    数据手册
    • 60+

      ¥29.011942
    • 100+

      ¥26.817762
    • 1000+

      ¥24.684532
    特性:动态效率线,具备批量采集模式(BAM)。 电源电压:1.7 V至3.6 V。 温度范围:-40℃至85/105/125℃。 内核:带有浮点单元(FPU)的32位Cortex®-M4 CPU,自适应实时加速器(ART Accelerator™),可实现从闪存零等待状态执行,频率高达100 MHz,具备内存保护单元,125 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持DSP指令。
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    • 1+

      ¥23.75
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      ¥17.97
    • 100+

      ¥15.79
  • 有货
  • 属于GD32 MCU Family的连接产品线,是一款基于ARM® Cortex®- M4 RISC内核的32位通用微控制器,在提高处理能力、降低功耗和外设配置方面具有最佳性价比。Cortex®- M4内核具有浮点单元(FPU),可加速单精度浮点数学运算,支持所有ARM®单精度指令和数据类型,实现了一套完整的DSP指令,以满足对控制和信号处理能力进行高效、易用融合的数字信号控制市场需求。还提供内存保护单元(MPU)和强大的跟踪技术,以增强应用程序安全性和高级调试支持。该设备集成了运行频率为168 MHz的ARM® Cortex®- M4 32位处理器内核,闪存访问零等待状态以获得最高效率
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    • 1+

      ¥24.04
    • 10+

      ¥20.47
    • 30+

      ¥18.35
    • 160+

      ¥16.2
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率36 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1),支持单周期乘法和硬件除法。 内存:64至128 Kbytes的闪存,10至16 Kbytes的SRAM。 时钟、复位和电源管理:2.0至3.6V应用电源和I/O,POR、PDR和可编程电压检测器(PVD),4至16 MHz晶体振荡器,内部8 MHz工厂校准RC,内部40 kHz RC,用于CPU时钟的PLL,带校准的32kHz振荡器用于RTC。 低功耗:睡眠、停止和待机模式,V_BAT为RTC和备份寄存器供电。 调试模式:串行线调试(SwD)和JTAG接口。 DMA:7通道DMA控制器,支持的外设包括定时器、ADC、SPI、I²C和USART
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    • 1+

      ¥25.62
    • 10+

      ¥21.85
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      ¥17.35
    • 500+

      ¥16.3
    • 1000+

      ¥15.83
  • 有货
  • 基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU,带256 K字节至4032 K字节 内部闪存、sLib、双QSPI、SDRAM、双OTGFS、以太网、 摄像头、18个定时器、3个ADC、25个通信接口
    数据手册
    • 1+

      ¥27.66
    • 10+

      ¥23.75
    • 30+

      ¥21.43
    • 90+

      ¥19.08
    • 540+

      ¥17.99
  • 有货
  • 特性:AEC-Q10x合格。核心:最大CPU频率:24 MHz。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8A内核。平均每条指令1.6个周期,在16 MHz CPU频率下可实现10 MIPS(行业标准基准测试)。存储器:程序存储器:32至128 Kbyte Flash程序;在55℃下数据保留20年。数据存储器:高达2 Kbyte真数据EEPROM;耐久性300 key/le
    数据手册
    • 1+

      ¥27.89
    • 10+

      ¥23.57
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      ¥21
    • 250+

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    • 500+

      ¥17.2
    • 1000+

      ¥16.66
  • 有货
  • 特性:超低功耗,具备FlexPowerControl。 电源电压范围为1.71V至3.6V。 温度范围为 -40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下电流为200nA,为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式电流为280nA。 停止2模式电流为1.0μA,带RTC时为1.28μA
    数据手册
    • 1+

      ¥28.89
    • 10+

      ¥24.7
    • 30+

      ¥22.21
    • 100+

      ¥19.69
    • 500+

      ¥18.53
    • 1000+

      ¥18
  • 有货
    • 1+

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    • 10+

      ¥25.33
    • 30+

      ¥22.85
    • 90+

      ¥20.35
    • 540+

      ¥19.19
  • 有货
  • LPC4350/30/20/10是针对嵌入式应用的ARM Cortex-M4微控制器,搭载1个ARM Cortex-M0协处理器、高达264kB SRAM、高级可配置外设(如状态可配置定时器(SCT)和串行通用I/O(SGPIO)接口)、2个高速USB控制器、以太网、液晶显示器、1个外部存储控制器和多个数字和模拟外设。LPC4350/30/20/10系列CPU工作频率高达204MHz。
    数据手册
    • 1+

      ¥30.512 ¥38.14
    • 10+

      ¥25.41 ¥36.3
    • 30+

      ¥21.108 ¥35.18
    • 100+

      ¥20.544 ¥34.24
  • 有货
  • 特性:包含意法半导体最先进的专利技术。 采用FlexPowerControl实现超低功耗。 -电源电压范围:1.71V至3.6V。 -温度范围:-40℃至85/105/125℃。 -VBAT模式下电流为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 -关机模式电流为8nA(5个唤醒引脚)。 -待机模式电流为28nA(5个唤醒引脚)。 -带RTC的待机模式电流为280nA
    数据手册
    • 1+

      ¥30.87
    • 10+

      ¥26.52
    • 30+

      ¥23.93
    • 160+

      ¥21.31
  • 有货
    • 1+

      ¥31.1
    • 10+

      ¥26.55
    • 30+

      ¥23.84
    • 100+

      ¥21.1
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥31.9
    • 10+

      ¥27.66
    • 30+

      ¥25.14
    • 100+

      ¥22.59
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32位CPU,带有72 MHz FPU、单周期乘法和硬件除法、90 DMIPS(来自CCM)、DSP指令和MPU(内存保护单元)。 VDD、VDA电压范围:2.0V至3.6V。 高达512 Kbytes的闪存,64 Kbytes的SRAM,前32 Kbytes实现硬件奇偶校验。常规增强器:指令和数据总线上16 Kbytes的SRAM,带硬件奇偶校验(CCM)。 用于静态存储器的灵活内存控制器(FSMC),带有四个片选。 CRC计算单元。 上电/掉电复位(POR/PDR)。 可编程电压检测器(PVD)
    数据手册
    • 1+

      ¥34.91
    • 10+

      ¥30.12
    • 30+

      ¥27.2
    • 100+

      ¥24.76
  • 有货
  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
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    • 1+

      ¥35.34
    • 10+

      ¥30.49
    • 30+

      ¥27.54
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  • 特性:高性能CPU:改进的哈佛架构。高达16 MIPS的运行速度(32 MHz)。8 MHz快速RC内部振荡器,有96 MHz PLL选项和多个时钟分频选项,快速启动。17位x 17位单周期硬件分数/整数乘法器。32位除以16位硬件除法器。16位x 16位工作寄存器阵列。C编译器优化的指令集架构。两个地址生成单元,用于数据存储器的独立读写寻址
    数据手册
    • 1+

      ¥35.63
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    • 30+

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