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封装：LQFP-44(10x10)

特性：大容量4096字节片内RAM数据存储器。高速：1个时钟/机器周期，增强型8051内核，速度比传统8051快7～12倍，比STC早期的1T系列单片机速度快20%。宽电压：2.5V～5.5V。低功耗设计：低速模式，空闲模式，掉电模式（可由外部中断或内部掉电唤醒定时器唤醒）。不需外部复位的单片机，ISP编程时16级复位门槛电压可选，内置高可靠复位电路。不需外部晶振的单片机，ISP编程时内部时钟从5MHz~30MHz可设，内部高精度R/C时钟(±0.3%)，±1%温飘(-40℃~+85℃)，常温下温飘±0.6%(-20℃~+65℃)。支持掉电唤醒的资源有：INT0/INT1(上升沿/下降沿中断均可)，INT2/INT3/INT4(下降沿中断)；CCP0/CCP1/RxD/RxD2/RxD3/RxD4/T0/T1/T2/T3/T4管脚；内部掉电唤醒专用定时器。 16/32/40/48/56/58K/61K/63.5K字节片内Flash程序存储器，擦写次数10万次以上

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型号：STM32G071RBT6 编号：C432213

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M0+ CPU，频率高达64 MHz。工作温度：-40°C至85°C/125°C。存储器：高达128 KB的闪存，36 KB的SRAM（32 KB带硬件奇偶校验）。 CRC计算单元。复位和电源管理：电压范围1.7 V至3.6 V；上电/掉电复位（POR/PDR）；可编程欠压复位（BOR）；可编程电压检测器（PVD）；低功耗模式：睡眠、停止、待机、关机；RTC和备份寄存器的VBAT电源。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器；带校准的32 kHz晶体振荡器；带PLL选项（±1%）的内部16 MHz RC；内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：STM32L431CCT6 编号：C486681

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：采用FlexPowerControl实现超低功耗。电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下电流为200nA，为RTC和32x32位备份寄存器供电。关机模式电流为8nA（5个唤醒引脚）。待机模式电流为28nA（5个唤醒引脚）。带RTC的待机模式电流为280nA。停止2模式电流为1.0μA，带RTC时为1.28μA

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型号：HC32F146KATA-LQFP64 编号：C784646

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：XHSC(小华)

HC32F146 系列产品为32bit 基于 ARM-Cortex M0+ 的 MCU，与传统的CPU 内核相比，效率更高，功耗更低。更宽的工作电压范围，可同时支持3V、5V 系统。集成异步串口、SPI、I²C、LCDC 显示模块、12 位高速 ADC、运算放大器等丰富的外设资源。

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型号：STC15W4K48S4-30I-LQFP32 编号：C188813

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：STC

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型号：PIC16F1937-I/PT 编号：C13870

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：仅需学习49条指令。除分支指令外均为单周期指令。工作速度：DC-32 MHz振荡器/时钟输入；DC-125 ns指令周期。高达16K x 14字的闪存程序存储器

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型号：STM32L031F6P7 编号：C1337403

封装：TSSOP-20

品牌：ST(意法半导体)

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型号：GD32F307VCT6 编号：C2759986

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：MKV30F64VLF10 编号：C881781

封装：LQFP-48(7x7)

品牌：NXP(恩智浦)

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型号：APM32E103VET6 编号：C2975249

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：Geehy(极海半导体)

32位MCU，封装：LQFP100，APM32F103VETE升级型号，兼容STM32F103VET6。存储器，EMMC：支持 CF卡、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND存储器

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型号：STM32G431CBU6 编号：C529356

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU，带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator），可实现从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，具备专有代码读出保护（PCROP）和可安全存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB实现硬件奇偶校验。常规加速：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：具备上电/掉电复位（POR/PDR/BOR）、可编程电压检测器（PVD）、低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机）、VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC可选PLL（±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）

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型号：ATMEGA8A-MU 编号：C68004

封装：QFN-32-EP(5x5)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AVR内核将丰富的指令集与32个通用工作寄存器相结合。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU)，允许在一个时钟周期内执行的一条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高，同时实现的吞吐量比传统的CISC微控制器快达十倍。提供以下特性：具有读写功能的8K字节系统内可编程闪存、512字节EEPROM、1K字节SRAM、23条通用I/O线、32个通用工作寄存器、三个具有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、一个串行可编程USART、一个面向字节的两线串行接口、一个6通道ADC（TQFP和QFN/MLF封装中为8通道），精度为10位、一个带内部振荡器的可编程看门狗定时器、一个SPI串行端口，以及五种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU，同时允许SRAM、定时器/计数器、一个SPI端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一次中断或硬件复位

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型号：F2800137RHBR 编号：C7437499

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：TI(德州仪器)

TMS320F2800137 具有 120MHz 频率、256KB 闪存、FPU 和 TMU 的 C2000™ MCU

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型号：PIC16F887-I/PT 编号：C31511

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：高性能RISC CPU: -仅需学习35条指令，除分支指令外均为单周期指令。 -工作速度：DC – 20 MHz振荡器/时钟输入，DC – 200 ns指令周期。 -中断能力。 -8级深度硬件堆栈。 -直接、间接和相对寻址模式。特殊微控制器特性: -精密内部振荡器：工厂校准精度±1%，软件可选频率范围8 MHz至31 kHz，软件可调，双速启动模式，关键应用的晶体故障检测，运行期间时钟模式切换以节省功耗。 -省电睡眠模式。 -宽工作电压范围（2.0V-5.5V）

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型号：AT89S52-24AU 编号：C8731

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT89S52是一款低功耗、高性能的CMOS 8位微控制器，带有8K字节的系统内可编程闪存。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造，并与行业标准80C51指令集和引脚布局兼容。片上闪存允许程序存储器通过系统内编程或传统的非易失性存储器编程器进行重新编程。通过将多功能8位CPU与系统内可编程闪存结合在单片芯片上，Atmel AT89S52是一款功能强大的微控制器，为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。AT89S52提供以下标准特性：8K字节的闪存、256字节的RAM、32条I/O线、看门狗定时器、两个数据指针、三个16位定时器/计数器、六向量两级中断架构、全双工串行端口、片上振荡器和时钟电路。此外，AT89S52设计采用了静态逻辑，可以在零频率下工作，并支持两种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行，但允许RAM、定时器/计数器、串行端口和中断系统继续工作。掉电模式保存RAM内容，但冻结振荡器，禁用所有其他芯片功能，直到下一个中断或硬件复位为止。

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型号：APM32F407VGT6 编号：C2990873

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：Geehy(极海半导体)

特性：带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核，最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM：系统（192KB）+ 备份（4KB）。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器

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型号：CY9BF121JPMC-G-JNE2 编号：C2840302

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高度集成的32位微控制器，专为具有低功耗模式和成本竞争力的嵌入式控制器而设计。基于ARM Cortex-M3处理器，带有片上闪存和SRAM，并具有各种定时器、ADC和通信接口（UART、CSIO、I2C、LIN）等外设功能。

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型号：PIC16F1938-I/SS 编号：C9784

封装：SSOP-28-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

基于闪存的28/40/44引脚、8位CMOS微控制器，带有LCD驱动器和纳瓦技术。

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￥14.39

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型号：M482SIDAE 编号：C194456

封装：LQFP-64(7x7)

品牌：NUVOTON(新唐)

特性：ARM Cortex-M4核心。具备系统管理器，包含系统复位、系统电源分配、电源模式和唤醒源、电源模式转换、系统内存映射、SRAM内存组织、总线矩阵、HIRC自动调整、系统定时器（SysTick）、嵌套向量中断控制器（NVIC）等功能。具备时钟控制器，包含时钟生成器、系统时钟和SysTick时钟、外设时钟、掉电模式时钟、时钟输出、USB时钟源等功能。具备闪存内存控制器（FMC）。具备通用输入输出（GPIO）。具备PDMA控制器（PDMA）

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￥17.3964 ￥20.71
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￥14.0378 ￥18.97

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型号：MSP430F6726AIPNR 编号：C2871785

封装：LQFP-80(12x12)

品牌：TI(德州仪器)

MSP430F6726A 具有 2 个 Σ-Δ ADC、LCD、实时时钟、128KB 闪存、8KB RAM 的单相计量 SoC

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￥21.49
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￥13.47
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￥13.07

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型号：FS32K144HFT0VLHT 编号：C508512

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：工作电压范围：2.7V至5.5V。环境温度范围：HSRUN模式下为 -40°C至105°C，RUN模式下为 -40°C至150°C。 Arm Cortex-M4F/M0+内核，32位CPU。支持高达112MHz频率（HSRUN模式），每MHz Arm内核1.25 Dhrystone MIPS，基于Armv7架构和Thumb-2 ISA。集成数字信号处理器（DSP）。可配置嵌套向量中断控制器（NVIC）。单精度浮点单元（FPU）。 40MHz快速外部振荡器（SOSC），外部时钟模式下直流外部方波输入时钟高达50MHz

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￥22.49
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型号：STM32G474VCT6 编号：C730131

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速；FMAC：滤波数学加速器。

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型号：STM32L073RZT6 编号：C77160

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

特性：超低功耗平台。 1.65V至3.6V电源。 -40至125°C温度范围。 0.29μA待机模式（3个唤醒引脚）。 0.43μA停止模式（16个唤醒线）。 0.86μA停止模式 + RTC + 20KB RAM保留

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￥23.91
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￥15.78
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型号：STM32F103CBU6 编号：C55506

封装：UFQFPN-48(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：ARM 32位Cortex-M3 CPU内核，最高频率72 MHz，在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），支持单周期乘法和硬件除法。 64或128 Kbytes的闪存和20 Kbytes的SRAM。时钟、复位和电源管理：2.0至3.6 V应用电源和I/O，POR、PDR和可编程电压检测器（PVD），4至16 MHz晶体振荡器，内部8 MHz工厂校准RC，内部40 kHz RC，用于CPU时钟的PLL，带校准的32 kHz振荡器用于RTC。低功耗：睡眠、停止和待机模式，VBAT为RTC和备份寄存器供电。 2个12位、1 µs A/D转换器（最多16个通道），转换范围：0至3.6 V，双采样和保持能力，温度传感器。 7通道DMA控制器，支持的外设：定时器、ADC、SPI、I²C和USART

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￥26.38
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￥22.77
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￥20.62

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型号：STM32G431K6T6 编号：C730097

封装：LQFP-32(7x7)

品牌：ST(意法半导体)

特性：核心：32位Arm Cortex-M4 CPU带FPU，自适应实时加速器（ART Accelerator）允许从闪存零等待状态执行，频率高达170 MHz，213 DMIPS，具备MPU和DSP指令。工作条件：VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。数学硬件加速器：CORDIC用于三角函数加速，FMAC为滤波数学加速器。 128 KB闪存，支持ECC，有专有代码读取保护（PCROP）和可保护存储区域，1 KB OTP。 22 KB SRAM，前16 KB有硬件奇偶校验；程序增强器：指令和数据总线上有10 KB SRAM，带硬件奇偶校验（CCM SRAM）。复位和电源管理：上电/掉电复位（POR/PDR/BOR），可编程电压检测器（PVD），低功耗模式（睡眠、停止、待机和关机），VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理：4至48 MHz晶体振荡器，32 kHz振荡器带校准，内部16 MHz RC（可选PLL，±1%），内部32 kHz RC振荡器（±5%）。多达86个快速I/O，均可映射到外部中断向量，部分I/O有5 V容限能力

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￥26.43
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￥22.38
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￥19.97
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￥16.42

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型号：AT32F435RGT7 编号：C3029577

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：ARTERY(雅特力)

基于ARM 32位的Cortex -M4微控制器+FPU，带256 K字节至4032 K字节内部闪存、sLib、双QSPI、双OTGFS、以太网、摄像头、18个定时器、3个ADC、24个通信接口

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￥26.71
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￥22.94
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￥20.69
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型号：GD32F405VGT6 编号：C2688747

封装：LQFP-100(14x14)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

属于GD32 MCU系列的连接产品线，是基于ARM® Cortex®-M4 RISC内核的新型32位通用微控制器，在增强处理能力、降低功耗和外设配置方面具有出色的性价比。Cortex®-M4内核具有浮点单元（FPU），可加速单精度浮点数学运算，支持所有ARM®单精度指令和数据类型。实现了全套DSP指令，以满足对控制和信号处理能力有高效、易用要求的数字信号控制市场。还提供内存保护单元（MPU）和强大的跟踪技术，以增强应用程序安全性和高级调试支持

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1+
￥26.76
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￥22.74
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￥20.35
90+
￥17.94

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型号：MC9S08AC60CPUE 编号：C511766

封装：LQFP-64(10x10)

品牌：NXP(恩智浦)

特性：40-MHz HCS08 CPU（中央处理器单元），20-MHz 内部总线频率，HC08 指令集并增加 BGND 指令。背景调试系统。断点功能，允许在 PC 电路调试期间设置单个断点（片上调试模块中还有另外两个断点）。片上在线仿真器（ICE），调试模块包含两个比较器和九种触发模式，八个深度 FIFO 用于存储流程变更地址和仅事件数据，支持标签和强制断点。支持多达 32 个中断/复位源。高达 60 KB 的片上闪存，带有安全选项

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1+
￥27.76
10+
￥24
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￥20.08
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￥16.929 ￥17.82
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￥15.941 ￥16.78
800+
￥15.4945 ￥16.31

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型号：PIC18F4520-I/PT 编号：C9734

封装：TQFP-44(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

提供所有PIC18微控制器的优势，即具有经济的价格和高计算性能，并增加了高耐久性的增强型闪存程序存储器。此外，该系列产品还引入了设计改进，使其成为许多高性能、对功耗敏感应用的理想选择。

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1+
￥28.75
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￥24.46
30+
￥21.91
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￥19.33

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型号：PIC18F67J11-I/PT 编号：C219965

封装：TQFP-64(10x10)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：四种晶体模式，包括高精度PLL。两种外部时钟模式，最高48 MHz。内部振荡器模块：提供8种用户可选频率，从31 kHz到8 MHz；与PLL配合使用时，提供从31 kHz到32 MHz的完整时钟速度范围；用户可调，以补偿频率漂移。二次振荡器使用Timer1 @ 32 kHz。故障安全时钟监视器（FSCM）：如果任何时钟停止，允许安全关机。 PORTB和PORTC上的高电流灌/拉能力为25 mA/25 mA

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￥29.31
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￥25.17
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