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  • 特性:核心: -最大CPU频率:高达24 MHz,在CPU频率 ≤ 16 MHz时无等待状态。 -采用哈佛架构和三级流水线的先进STM8内核。 -扩展指令集。 -在24 MHz下最大20 MIPS。 存储器: -程序:高达128 KB Flash,在56℃下经过10k周期后数据保留20年。 -数据:高达2 KB真正的数据EEPROM,耐久性300k周期
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  • 特性:超低功耗平台。 1.65 V 至 3.6 V 电源,-40℃ 至 125℃ 温度范围。 0.29 μA 待机模式(3 个唤醒引脚)。 0.43 μA 停止模式(16 个唤醒线)。 0.86 μA 停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM 保留。 运行模式下低至 93 μA/MHz。 5 μs 唤醒时间(从闪存)。 12 位 ADC 转换在 10 ksps 时为 41 μA
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  • TMS320F280015x (F280015x) 是可扩展、超低延迟设备的成本优化型 C2000 实时微控制器系列的一员,专为功率电子领域的效率而设计。这些应用包括 HVAC 压缩机模块、前照灯、DC/DC 转换器、逆变器和电机控制、车载 (OBC) 和无线充电器、泵、工业电机驱动、电机控制、数字电源、传感和信号处理。TMS320F280015x 具有锁步运行的双 32 位 C28x CPU,使该设备能够在不增加太多软件开销的情况下实现 ASIL B 功能安全设备评级。实时控制子系统基于 TI 的 32 位 C28x DSP 核心,该核心提供 120 MHz 的信号处理性能,可运行来自片上闪存或 SRAM 的浮点或定点代码。C28x CPU 进一步受益于三角数学单元 (TMU) 和 VCRC(循环冗余校验)扩展指令集,从而加速实时控制系统的关键常用算法。F280015x 支持高达 256KB(128KW)的闪存。此外,还提供高达 36KB(18KW)的片上 SRAM,以补充闪存。高性能模拟模块集成在 F280015x 实时微控制器 (MCU) 上,并与处理和 PWM 单元紧密耦合,以提供最佳的实时信号链性能。十四个 PWM 通道可用于控制各种功率级,从三相逆变器到功率因数校正和其他高级多电平功率拓扑。通过各种行业标准通信端口(如 PMBUS、SPI、SCI、LIN、I2C、CAN 和 CAN FD)支持接口,并提供多种引脚复用选项,以实现最佳的信号放置。
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  • 特性:ARM 32位Cortex-M3 CPU内核,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhystone 2.1)。 单周期乘法和硬件除法。 64或128 KB的闪存。 20 KB的SRAM。 2.0至3.6V应用电源和I/O。 POR、PDR和可编程电压检测器(PVD)
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  • ATmega324PA 是一款基于 AVR 增强 RISC 架构的低功耗 CMOS 8 位微控制器。通过在一个时钟周期内执行强大的指令,ATmega324PA 实现接近 1MIPS/MHz 的吞吐量。这使系统设计人员能够优化设备以实现功耗与处理速度之间的平衡。 AVR 核心结合了丰富的指令集和 32 个通用工作寄存器。所有 32 个寄存器都直接连接到算术逻辑单元 (ALU),允许在一个时钟周期内执行的单个指令访问两个独立的寄存器。由此产生的架构更有效地利用代码,同时实现比传统 CISC 微控制器快十倍的吞吐量。ATmega324PA 提供了以下特性:32K 字节的片内可编程 Flash,具有读写能力,1K 字节 EEPROM,2K 字节 SRAM,32 条通用 I/O 线,32 个通用工作寄存器,实时计数器 (RTC),三个具有比较模式和 PWM 的灵活定时/计数器,两个串行可编程 USART,一个面向字节的 2 线串行接口 (I2C),一个 8 通道 10 位 ADC,具有可选的差分输入级和可编程增益,一个具有内部振荡器的可编程看门狗定时器,一个 SPI 串行端口,符合 IEEE std. 1149.1 的 JTAG 测试接口,也用于访问片上调试系统和编程,以及六种软件可选的省电模式。空闲模式停止 CPU,同时允许 SRAM、定时/计数器、SPI 端口和中断系统继续运行。掉电模式保存寄存器内容,但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能,直到下一次中断或硬件复位。在省电模式下,异步定时器继续运行,允许用户在设备其余部分休眠时保持定时器基准。ADC 降噪模式停止 CPU 和所有 I/O 模块,除了异步定时器和 ADC,以最小化 ADC 转换期间的开关噪声。在待机模式下,晶体/谐振器振荡器正在运行,而设备其余部分正在休眠。这允许非常快的启动,同时结合低功耗。在扩展待机模式下,主振荡器和异步定时器都继续运行。
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  • 湿气敏感性等级MSL3。3级(168小时)
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  • 版本:A2 工作电压:2V ~ 3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM? Cortex?-M3 主频(MAX):96MHz ROM类型:FLASH APM32 Series 32-bit 512 kB Flash 128 kB RAM FPU LQFP-64
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  • 特性:核心:ARM 32位Cortex-M4 CPU(最高72 MHz),单周期乘法和硬件除法,带FPU(浮点单元)和MPU(内存保护单元)的DSP指令,1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。内存:64至256 Kbytes的闪存,32 Kbytes带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围2.0至3.6 V,上电/掉电复位(POR/PDR),可编程电压检测器(PVD),低功耗模式:睡眠、停止、待机,VBAT为RTC和备份寄存器供电。时钟管理:4至32 MHz晶体振荡器,32 kHz带校准的RTC振荡器,内部8 MHz RC(带x16 PLL选项),内部40 kHz振荡器。多达84个快速I/O,所有可映射到外部中断向量,多达45个5 V耐压I/O
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  • 特性:超低功耗,采用 FlexPowerControl:电源电压范围为 1.71V 至 3.6V。温度范围为 -40℃ 至 85/105/125℃。VBAT 模式下为 300nA,为 RTC 和 32x32 位备份寄存器供电。关机模式为 30nA(5 个唤醒引脚)。待机模式为 120nA(5 个唤醒引脚)。带 RTC 的待机模式为 420nA。停止 2 模式为 1.1μA,带 RTC 的停止 2 模式为 1.4μA。运行模式为 100μA/MHz
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  • 特性:±1 LSB INL;无漏码。 可编程吞吐量高达 200 ksps。 多达 24 个外部输入。 数据相关窗口中断发生器。 内置温度传感器 (±3℃)。 两个 12 位电流模式 DAC
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  • MSP430FR5964 具有 256KB FRAM、8KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU
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      ¥14.52
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      ¥14.05
  • 有货
  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存,6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。 具备睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 个通道),转换范围 0 至 3.6 V,具备双采样和保持能力,有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设
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    • 1+

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      ¥15.6988 ¥30.19
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
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    • 1+

      ¥24.95
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      ¥16.8
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      ¥15.77
    • 1000+

      ¥15.31
  • 有货
  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达512KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥26.07
    • 10+

      ¥22.19
    • 30+

      ¥19.88
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      ¥17.54
    • 520+

      ¥16.46
  • 有货
  • 特性:核心:ARM Cortex-M4 32 位 CPU 带 FPU(最高 72 MHz),单周期乘法和硬件除法,90 DMIPS(来自 CCM),DSP 指令和 MPU(内存保护单元)。 工作条件:VDD、VDDA 电压范围:2.0V 至 3.6V。 存储器:128 至 256 Kbytes 的闪存;高达 40 Kbytes 的 SRAM,前 16 Kbytes 实现硬件奇偶校验;8 Kbytes 的 SRAM 在指令和数据总线上,带硬件奇偶校验(CCM)。 CRC 计算单元。 复位和电源管理:上电/掉电复位(POR/PDR);可编程电压检测器(PVD);低功耗模式:睡眠、停止和待机;RTC 和备份寄存器的 VBAT 电源。 时钟管理:4 至 32 MHz 晶体振荡器;用于 RTC 的 32 kHz 振荡器,带校准;内部 8 MHz RC,有 x 16 PLL 选项;内部 40 kHz 振荡器。 多达 87 个快速 I/O:所有可映射到外部中断向量;多个 5V 耐压。 互连矩阵
    数据手册
    • 1+

      ¥26.56
    • 10+

      ¥22.81
    • 30+

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      ¥17.01
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      ¥15.97
    • 1000+

      ¥15.51
  • 有货
  • 特性:核心:32位Arm Cortex-M3 CPU。最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1)。单周期乘法和硬件除法。256至512 Kbytes的闪存。高达64 Kbytes的SRAM。具有4个片选的灵活静态内存控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND内存
    数据手册
    • 1+

      ¥29.63
    • 10+

      ¥25.6
    • 30+

      ¥23.21
    • 160+

      ¥20.78
    • 480+

      ¥19.67
  • 有货
  • 特性:40-MHz HCS08 CPU(20-MHz总线),具备HC08指令集和新增的BGND指令,支持多达32个中断/复位源。 片上闪存可在全工作电压和温度范围内进行读取/编程/擦除操作,有多容量可选。 高达2K的EEPROM,可在线编程,具备8字节单页或4字节双页擦除扇区,可在执行闪存操作时进行编程和擦除,支持擦除中止。 高达4K的随机存取存储器(RAM)。 两种超低功耗停止模式、降低功耗等待模式、用于运行、等待和停止模式的超低功耗实时中断。 振荡器(XOSC):环形控制皮尔斯振荡器,晶体或陶瓷谐振器范围为31.25kHz至38.4kHz或1MHz至16MHz。 多功能时钟发生器(MCG):具备PLL和FLL模式(FLL使用内部温度补偿时偏差可达1.5%),内部参考时钟可微调(出厂时已微调,微调值存储在闪存中),具备振荡器/谐振器选项的外部参考。 看门狗计算机正常运行(COP)复位,可选择从备用专用1-kHz内部时钟源或总线时钟运行
    数据手册
    • 5+

      ¥29.7
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      ¥22.87
    • 160+

      ¥20.69
    • 480+

      ¥18.2952 ¥18.48
    • 2560+

      ¥17.2854 ¥17.46
    • 4960+

      ¥16.83 ¥17
  • 有货
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      ¥29.87
    • 10+

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    • 30+

      ¥22.76
    • 100+

      ¥20.09
    • 500+

      ¥18.85
    • 1000+

      ¥18.29
  • 有货
  • 特性:内核:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU、在Flash存储器中实现零等待状态运行性能的自适应实时加速器(ART加速器)、主频高达180MHz,MPU,能够实现高达225DMIPS/1.25DMIPS/MHz(Dhrystone2.1)的性能,具有DSP指令集。 高达2MB Flash,组织为两个区,可读写同步。 高达256 + 4KB的SRAM,包括64-KB的CCM(内核耦合存储器)数据RAM。 具有高达32位数据总线的灵活外部存储控制器:SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR、SDRAM、Compact Flash/NOR/NAND存储器。 LCD并行接口,兼容8080/8600模式。 LCD-TFT控制器有高达XGA的分辨率,具有专用的Chrom-ART Accelerator,用于增强的图形内容创建(DMA2D)。 1.7V到3.6V供电和I/O。 POR、PDR、PVD和BOR
    数据手册
    • 1+

      ¥32.08
    • 10+

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      ¥20.43
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      ¥33.04
    • 10+

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    • 60+

      ¥25.34
    • 120+

      ¥22.44
    • 360+

      ¥21.11
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl,电源电压1.71V至3.6V,温度范围-40℃至85/105/125℃。 VBAT模式下为300nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。 关机模式30nA(5个唤醒引脚)。 待机模式120nA(5个唤醒引脚)。 带RTC的待机模式420nA。 停止2模式1.1μA,带RTC时1.4μA。 运行模式100μA/MHz(LDO模式)。 运行模式39μA/MHz(@3.3V SMPS模式)
    数据手册
    • 1+

      ¥35.01
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      ¥30.04
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    • 500+

      ¥22.72
    • 1000+

      ¥22.1
  • 有货
  • 特性:核心:32位Cortex-M4 CPU带FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)允许从闪存零等待状态执行,频率高达170 MHz,213 DMIPS,具备MPU和DSP指令。 工作条件:VDD、VDDA电压范围为1.71 V至3.6 V。 数学硬件加速器:CORDIC用于三角函数加速;FMAC:滤波数学加速器。
    数据手册
    • 1+

      ¥36.83
    • 10+

      ¥31.82
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    • 100+

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    • 1+

      ¥40.41
    • 10+

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    • 60+

      ¥31.87
    • 120+

      ¥29.16
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  • 特性:电源管理模式:运行:CPU开启,外设开启。空闲:CPU关闭,外设开启。睡眠:CPU关闭,外设关闭。 双速振荡器启动。 故障安全时钟监视器。 节能外设模块禁用(PMD)
    数据手册
    • 1+

      ¥40.7
    • 10+

      ¥35.27
    • 30+

      ¥29.73
    • 160+

      ¥26.47
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  • 低功耗、精密模拟微控制器、双通道Σ-Δ型ADC,Flash/EE存储器,ARM7TDMI内核
    数据手册
    • 1+

      ¥42.88
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    • 30+

      ¥31.72
    • 100+

      ¥28.67
  • 有货
  • 适用于嵌入式应用的基于ARM Cortex-M3的微控制器,具有高度集成和低功耗的特点。ARM Cortex-M3是下一代内核,提供系统增强功能,如增强的调试功能和更高级别的支持块集成。可在高达100 MHz(部分型号)或120 MHz(LPC1759)的CPU频率下运行。ARM Cortex-M3 CPU采用3级流水线,使用哈佛架构,具有独立的本地指令和数据总线以及用于外设的第三条总线,还包括一个支持推测分支的内部预取单元
    数据手册
    • 1+

      ¥57.84
    • 10+

      ¥49.77
    • 30+

      ¥41.93
    • 119+

      ¥37.4319 ¥37.81
  • 有货
  • 特性:电压范围:2.7 V至5.5 V。 环境温度范围:HSRUN模式下为 -40℃至105℃,RUN模式下为 -40℃至150℃。 Arm Cortex-M4F/M0+ 32位CPU核心。 支持高达112 MHz频率(HSRUN模式),每MHz 1.25 Dhrystone MIPS。 基于Armv7架构和Thumb-2 ISA的Arm核心。 集成数字信号处理器(DSP)。 可配置嵌套向量中断控制器(NVIC)。 单精度浮点单元(FPU)
    数据手册
    • 1+

      ¥70.3
    • 10+

      ¥69.27
    • 30+

      ¥67.5
    • 100+

      ¥65.2905 ¥65.95
  • 有货
  • 特性:核心:ARM 32 位 Cortex M7 CPU 带 DPFPU、ART 加速器和 L1 缓存:16KB 指令/数据缓存,允许从嵌入式闪存和外部存储器以零等待状态执行,最高 216MHz,MPU,462 DMIPS/2.14 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。高达 2MB 的闪存,分为两个存储体,支持读写同时进行。SRAM:512KB(包括 128KB 用于关键实时数据的数据 TCM RAM) + 16KB 指令 TCM RAM(用于关键实时程序) + 4KB 备份 SRAM。灵活的外部存储器控制器,最高 32 位数据总线:支持 SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDRSDRAM、NOR/NAND 存储器。双模式 Quad SPI。Chrom ART 加速器(DMA2D),图形硬件加速器,可增强图形用户界面。硬件 JPEG 编解码器。LCD TFT 控制器,支持最高 XGA 分辨率
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    • 1+

      ¥70.36
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  • 特性:核心:32 位 Arm Cortex-M4 CPU 带 FPU,自适应实时加速器(ART Accelerator)可实现从闪存零等待状态执行,频率高达 168 MHz,具备内存保护单元,210 DMIPS/1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),支持 DSP 指令。 存储器:高达 1 M 字节闪存;高达 192 + 4 K 字节 SRAM,包括 64 K 字节 CCM(核心耦合内存)数据 RAM;512 字节 OTP 内存;灵活的静态内存控制器,支持 Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR 和 NAND 内存。 LCD 并行接口,支持 8080/6800 模式。
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      ¥73.54
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