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首页 > 热门关键词 > 微控制器
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特性:核心:ARM 32位Cortex-M3 CPU,最高频率72 MHz,在0等待状态内存访问时性能为1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),单周期乘法和硬件除法。 存储器:256至512 Kbytes的闪存,高达64 Kbytes的SRAM,带有4个片选的灵活静态存储器控制器,支持Compact Flash、SRAM、PSRAM、NOR和NAND存储器,LCD并行接口,8080/6800模式。
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配备嵌入式STM32 MCU的高级BLDC控制器
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  • 2V~3.6V CPU位数:32-Bit CPU内核:ARM Cortex-M3主频(MAX):73MHz ROM类型:FLASH 128K
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  • 特性:核心:32位Cortex-M0+ CPU,频率高达64 MHz。工作温度:-40℃至85℃/125℃。内存:高达64 KB的闪存。8 KB带硬件奇偶校验的SRAM。CRC计算单元。复位和电源管理:电压范围:1.7 V至3.6 V
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  • 特性:超低功耗平台。1.65 V至3.6 V电源。40至125℃温度范围。0.29 μA待机模式(3个唤醒引脚)。0.43 μA停止模式(16个唤醒线)。0.86 μA停止模式 + RTC + 20-Kbyte RAM保留
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  • 商城规格书仅供参考,具体参考小华官网最新资料手册
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  • N32G455系列采用32bit ARM Cortex-M4F内核,最高工作主频144MHz,支持浮点运算和DSP指令,集成多达512KB Flash,144KB SRAM,4x12bit 5Msps ADC,4xOPAMP,7xCOMP,2x1Msps 12bit DAC,支持多达24通道电容式触摸按键,集成多路U(S)ART、I2C、SPI、QSPI、USB、CAN通信接口,1xSDIO接口,内置密码算法硬件加速引擎
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  • 特性:ARM Cortex-M4 32bit MCU+FPU,120MHz/150DMIPS,128KB Flash,36KB SRAM,5KB OTP,15Timers,6HRPWMs,3ADCs,3DACs,3CMPs,4UARTs,3LINs,1SPI,1I2C,2CAN FDs(FD/2.0B)。 集成FPU、MPU。 支持SIMD指令的DSP和CoreSight标准调试单元。 最高工作主频120MHz,达到150DMIPS或410Coremarks的运算性能。 最大128KB的Flash memory,最大36KB的单周期访问高速SRAM。 系统电源:1.8~3.63V。应用:面向AC/DC、DC/DC数字电源应用,如通信与服务器电源、砖块电源、微逆、直流充电桩电源模块、储能DC/DC、户外电源等
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  • 特性:核心:最大CPU频率:高达24 MHz,在CPU频率 ≤ 16 MHz时0等待状态。采用哈佛架构和3级流水线的先进STM8内核。扩展指令集。在24 MHz时最大20 MIPS。 存储器:程序:64 Kbytes Flash,在55℃下100个周期后数据保留20年。数据:128 bytes真数据EEPROM,耐久性100 kcycles
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  • 频率 (MHz):150,FLASH (KB):256,SRAM (KB):32,CPU:ARM? Cortex?-M4,工作电压(V):2.6~3.6,工作温度:-40°C ~ 105°C,封装:LQFP48
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  • 特性:32位ARM Cortex-M0内核,最高25 MHz时钟频率,单周期每机器周期架构,单周期乘法器。 片上内存: -36 KB闪存(包括EEPROM)。 -4 KB EEPROM(在闪存中模拟)。 -768字节100时间可编程内存(100TP)
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      ¥14.9723 ¥20.51
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  • 特性:仅需学习35条指令,除分支指令外均为单周期指令。 工作速度:DC-20 MHz振荡器/时钟输入,DC-200 ns指令周期。 中断能力。 8级深度硬件堆栈。 直接、间接和相对寻址模式。 精密内部振荡器:工厂校准精度±1%,软件可选8 MHz至31 kHz频率范围,软件可调双速启动模式,关键应用的晶体故障检测,运行期间可进行时钟模式切换以节省功耗。 节能睡眠模式。 宽工作电压范围(2.0V-5.5V)
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  • Risc-V 32bit@400MHZ 1.1V,存储:8MPSRAM;Flash External Spi Nand/Nor Flash,EMMC 4.41封装:QFN68 7x7mm
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  • 特性:超低功耗平台。 供电电压为1.65V至3.6V。 温度范围为 -40℃至125℃。 待机模式(2个唤醒引脚)电流为0.27μA。 停止模式(16个唤醒线)电流为0.4μA。 停止模式 + RTC + 8KB RAM保持电流为0.8μA
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  • STM32F100XX 价值系列集成了高性能的 ARM CorteX-M3 32 位 RISC 内核,工作频率为 24 MHz,高速嵌入式存储器(Flash 存储器高达 128 KB 和 SRAM 高达 8 KB),以及一系列增强型外设和 I/O,连接到两个 APB 总线。所有设备提供标准通信接口(最多两个 I2C、两个 SPI、一个 HDMI CEC 和最多三个 USART)、一个 12 位 ADC、两个 12 位 DAC、最多六个通用 16 位定时器和一个高级控制 PWM 定时器。STM32F100XX 低密度和中密度价值系列的工作温度范围为 -40 至 +85℃ 和 -40 至 +105℃,供电电压范围为 2.0 至 3.6 V。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F100XX 价值系列包括三种不同封装的设备,引脚数从 48 到 100 不等。根据所选设备的不同,包含不同的外设组合。这些特性使 STM32F100XX 价值系列微控制器适用于广泛的应用领域,如应用控制和用户界面、医疗和手持设备、PC 和游戏外设、GPS 平台、工业应用、PLC、逆变器、打印机、扫描仪、报警系统、可视对讲机和 HVAC 系统。
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  • 特性:仅需学习49条指令,除分支指令外均为单周期指令。 工作速度:直流-32 MHz振荡器/时钟输入,直流-125 ns指令周期。 高达16K x 14字的闪存程序存储器。 高达1024字节的数据存储器(RAM)。 具备自动上下文保存的中断能力。 16级深度硬件堆栈。 直接、间接和相对寻址模式。 处理器可读取程序存储器
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      ¥12.25
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  • 特性:带有FPU的32位Arm Cortex-M4F内核,最高168MHz工作频率。 Flash容量最高为1MB。 SRAM:系统(192KB)+ 备份(4KB)。 EMMC支持CF卡、SRAM、PSRAM、SDRAM、NOR和NAND存储器。 HSECLK支持4~26MHz外部晶体/陶瓷振荡器。 LSECLK支持32.768KHz晶体/陶瓷振荡器
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      ¥11.55
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      ¥11.2
  • 有货
  • AT89S52是一款低功耗、高性能的CMOS 8位微控制器,带有8K字节的系统内可编程闪存。该器件采用Atmel的高密度非易失性存储器技术制造,并与行业标准80C51指令集和引脚布局兼容。片上闪存允许程序存储器通过系统内编程或传统的非易失性存储器编程器进行重新编程。通过将多功能8位CPU与系统内可编程闪存结合在单片芯片上,Atmel AT89S52是一款功能强大的微控制器,为许多嵌入式控制应用提供了高度灵活且成本效益高的解决方案。AT89S52提供以下标准特性:8K字节的闪存、256字节的RAM、32条I/O线、看门狗定时器、两个数据指针、三个16位定时器/计数器、六向量两级中断架构、全双工串行端口、片上振荡器和时钟电路。此外,AT89S52设计采用了静态逻辑,可以在零频率下工作,并支持两种软件可选的节能模式。空闲模式停止CPU运行,但允许RAM、定时器/计数器、串行端口和中断系统继续工作。掉电模式保存RAM内容,但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能,直到下一个中断或硬件复位为止。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.34
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      ¥12.38
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  • 主流Arm Cortex-M0+ 32位MCU,高达256KB Flash,144KB RAM,6x USART,定时器,ADC,DAC,通讯。 I/F,1.7-3.6V
    • 1+

      ¥20.11
    • 10+

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      ¥13.75
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      ¥12.95
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  • 特性:ARM 32 位 Cortex-M3 CPU 内核,最高频率 72 MHz,在 0 等待状态内存访问时,性能为 1.25 DMIPS/MHz(Dhrystone 2.1),具备单周期乘法和硬件除法功能。 16 或 32 KB 的闪存,6 或 10 KB 的 SRAM。 2.0 至 3.6 V 应用电源和 I/O,POR、PDR 和可编程电压检测器(PVD),4 至 16 MHz 晶体振荡器,内部 8 MHz 工厂校准 RC,内部 40 kHz RC,用于 CPU 时钟的 PLL,带校准功能的 32 kHz RTC 振荡器。 具备睡眠、停止和待机模式,VBAT 为 RTC 和备份寄存器供电。 2 个 12 位、1 μs A/D 转换器(最多 16 个通道),转换范围 0 至 3.6 V,具备双采样和保持能力,有温度传感器。 7 通道 DMA 控制器,支持定时器、ADC、SPIs、I²Cs 和 USARTs 等外设
    数据手册
    • 1+

      ¥20.9727 ¥33.29
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      ¥16.8699 ¥31.83
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      ¥13.3042 ¥30.94
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      ¥12.9817 ¥30.19
  • 有货
  • 特性:工作范围: 电压范围:2.7 至5.5 V。 Flash 编程电压范围:2.7 至5.5 V。 温度范围(环境):-40 至125°C。 性能: 最高48 MHz 的ARM Cortex-M0+ 内核。 单周期32 位 x 32 位乘法器。 单周期I/O 访问端口
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    • 1+

      ¥21.19
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      ¥18.23
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      ¥16.38
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      ¥14.49
  • 有货
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      ¥21.27
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      ¥16.21
    • 100+

      ¥14.3
    • 500+

      ¥13.42
  • 有货
  • ATmega328PB 是一款基于增强型 RISC 架构的低功耗 CMOS 8位微控制器。通过在单个时钟周期内执行强大的指令,ATmega328PB 可以实现接近每 MHz 1MIPS 的吞吐量。这使系统设计者能够优化设备的功耗与处理速度。核心结合了丰富的指令集和32个通用工作寄存器。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许在一个时钟周期内执行的单条指令中访问两个独立的寄存器。由此产生的架构代码效率更高,同时实现了比传统CISC微控制器快十倍的吞吐量。ATmega328PB 提供以下特性:具有读写同步功能的32K字节片上可编程Flash、1K字节EEPROM、2K字节SRAM、27条通用I/O线、32个通用工作寄存器、五个带有比较模式的灵活定时器/计数器、内部和外部中断、两个串行可编程USART、两个面向字节的两线串行接口(I2C)、两个SPI串行端口、TQFP和QFN/MLF封装中的8通道10位ADC、带内部振荡器的可编程看门狗定时器、时钟失效检测机制以及六种软件可选的节能模式。空闲模式会停止CPU运行,但允许SRAM、定时器/计数器、USART、两线串行接口、SPI端口和中断系统继续工作。PTC支持最多启用24个自容式传感器和144个互容式传感器。掉电模式保存寄存器内容,但冻结振荡器,禁用所有其他芯片功能,直到下一个中断或硬件复位为止。在节能模式下,异步定时器继续运行,允许用户在设备其余部分休眠时保持定时基准。此外,还能够在节能模式/触控唤醒及PTC模拟和数字部分动态开关的情况下运行PTC。ADC降噪模式停止CPU及除异步定时器、PTC和ADC外的所有I/O模块,以减少ADC转换期间的切换噪声。在待机模式下,晶体/谐振器振荡器运行而设备其余部分处于休眠状态。这样可以在极低功耗的同时实现快速启动。该设备采用高密度非易失性存储技术制造。片上ISP Flash允许通过SPI串行接口、常规非易失性存储器编程器或运行于AVR核心上的片上引导程序对程序存储器进行在系统重新编程。引导程序可以使用任何接口将应用程序下载到应用Flash存储器中。当应用Flash部分更新时,引导Flash部分中的软件将继续运行,提供真正的读写同步操作。通过将8位RISC CPU与片上自编程Flash结合在同一芯片上,ATmega328PB 成为一种强大且高度灵活、成本效益高的解决方案,适用于多种嵌入式控制应用。ATmega328PB 支持一整套程序和系统开发工具,包括:C编译器、宏汇编器、程序调试器/仿真器、在线仿真器和评估套件。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.13
    • 10+

      ¥18.42
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      ¥14.8
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      ¥13.96
  • 有货
  • 特性:超低功耗,采用FlexPowerControl:电源电压范围为1.71V至3.6V。温度范围为 -40℃至85/105/125℃。VBAT模式下为200nA:为RTC和32×32位备份寄存器供电。8nA关机模式(5个唤醒引脚)。28nA待机模式(5个唤醒引脚)。带RTC的280nA待机模式。1.0μA停止2模式,带RTC时为1.28μA。84μA/MHz运行模式(LDO模式)
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    • 1+

      ¥23.31
    • 10+

      ¥19.94
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      ¥17.93
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      ¥15.9
    • 500+

      ¥14.96
  • 有货
  • MSP430FR5994 具有 256KB FRAM、8KB SRAM、LEA、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C、计时器的 16MHz MCU
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    • 1+

      ¥23.46
    • 10+

      ¥20.43
    • 30+

      ¥18.63
    • 100+

      ¥16.81
    • 500+

      ¥15.97
  • 有货
  • 特性:带有FPU的32位Cortex-M4 CPU。最高288 MHz工作频率,带存储器保护单元(MPLU),内建单周期乘法和硬件除法。内建浮点运算单元(FPU)。具有DSP指令集。256 K字节至4032 K字节的内部闪存储器。sLib:将指定之主存储区设为执行代码安全库区,此区代码仅能调用无法读取。默认384 K字节的SRAM,最大可设定为512 K字节。具有16位数据总线的外部存储器控制器(XMC):支持CF卡、SRAM、PSRAM、NOR、NAND和SDRAM存储器
    数据手册
    • 1+

      ¥23.93
    • 10+

      ¥20.34
    • 30+

      ¥18.1
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