华虹宏力存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：IS42S32800J-7BLI-TR 编号：C2065206

封装：TFBGA-90(8x13)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G 编号：C5128621

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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型号：W632GU6NB-09 编号：C2641275

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

W632GU6NB 是一个 2G 位的 DDR3L SDRAM，组织为 16,777,216 字 x 8 banks x 16 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。这些速度等级支持 0°C ≤ TCASE ≤ 95°C 的工作温度范围。

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型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

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型号：MR25H10CDF 编号：C246234

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟

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型号：MX29GL512GHT2I-10G 编号：C2803140

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D 编号：C20539796

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块

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型号：XT26G04DWSIGA 编号：C29781635

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G04D是一款4G-bit (512M-byte)的SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双线和四线I/O操作。该存储器具有高级写保护机制，支持单级单元(SLC)技术，具备高性能和高可靠性。它的工作电压为2.7V至3.6V，支持108MHz的高速读取速度，数据保留时间为10年。

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型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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型号：XT25W1GBSFIGA 编号：C42162957

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

1Gb，宽压，SOP16 300mil封装，工业级温度

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型号：MT41K256M16HA-CN 编号：C47127151

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：ChipNobo(无边界)

工业级SRAM存储器

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￥79.191 ￥87.99
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型号：MKDV08GIL-STPB 编号：C48937377

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

8Gbit SD NAND Flash类型:pSLC,擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥93.8315 ￥98.77
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型号：MKDV16GIL-STPB 编号：C48937378

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

16Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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￥94.81 ￥99.8
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型号：MKDN256GCL-ZC 编号：C52753985

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 256Gbit(32GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥131.33
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￥124.97

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型号：IS61WV102416ALL-20TLI 编号：C1353007

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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￥139.44

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型号：THGBMJG6C1LBAU7 编号：C5224589

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：KIOXIA(铠侠)

我们的UFS（通用闪存存储）和e - MMC托管闪存解决方案将闪存和铠侠（KIOXIA）控制器集成在单个封装中。作为e - MMC的理想替代品，UFS兼具高性能、高能效和高可靠性，可满足包括智能手机、平板电脑、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、汽车等在内的移动应用需求。

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￥171.21
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￥162.81

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型号：KLMBG4GEUF-B04Q 编号：C2920521

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥207

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型号：71321LA25PFGI 编号：C1350091

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71321/IDT71421 是高速 2K x 8 双端口静态 RAM，内置中断逻辑，用于处理器间通信。

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￥261.54
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￥249.22

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型号：MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 编号：C21603959

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥344.52
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￥335.57

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型号：MT40A512M16TB-062E IT:R 编号：C27063331

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

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￥349.3
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￥339.12

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型号：MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y 编号：C21674868

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥452.76
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￥441

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型号：K4UCE3Q4AB-MGCL 编号：C29073172

封装：FBGA-200(15x10)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥1138.38
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￥1099.4

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型号：AT24C02CDRG 编号：C19723704

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C02C是一款2 Kbit、兼容I²C的串行EEPROM器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.3208
100+
￥0.2536
300+
￥0.22
2500+
￥0.1948
5000+
￥0.1746
10000+
￥0.1645

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型号：HG24C02CDQ/TR 编号：C44606420

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HGSEMI(华冠)

2-Kbit I2C-compatible Serial EEPROM

5+
￥0.3354
50+
￥0.3277
150+
￥0.3225
500+
￥0.3173

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型号：HG24C02M5/TR 编号：C565360

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256/512/1024/2048个8位字。该设备针对许多需要低功耗和低电压操作的工业和商业应用进行了优化。采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP和5引脚SOT23封装，并通过两线串行接口访问。

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10+
￥0.3564
100+
￥0.2796
300+
￥0.2411
3000+
￥0.2123
6000+
￥0.1893
9000+
￥0.1777

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型号：BL24C04F-PARC 编号：C2856707

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C04F提供2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为256个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。

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10+
￥0.3828
100+
￥0.3012
300+
￥0.2604

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型号：HX24C02DRG 编号：C5145453

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C02是一款2K位串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。支持I2C接口，最高时钟频率为1MHz（5V供电），具有硬件写保护功能，自定时写周期时间为5ms，写周期寿命为100万次，数据保留时间为100年。

数据手册

10+
￥0.3997
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￥0.3181
300+
￥0.2773
2500+
￥0.2365
5000+
￥0.212
10000+
￥0.1998

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型号：AT24C04CDGKRG 编号：C19723708

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C04C 是一款 4Kbit 的 I²C 兼容串行 EEPROM 器件。该器件设计工作的电源电压范围为 1.7V 至 5.5V，最高传输速率为 1MHz，工作温度范围为 -40°C 至 +105°C。该器件集成了一个写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护

10+
￥0.4124
100+
￥0.326
300+
￥0.2828
3000+
￥0.2504
6000+
￥0.2245
9000+
￥0.2115

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型号：HG24C02CM5/TR 编号：C7432359

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M5/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。

10+
￥0.4136
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￥0.327
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￥0.2837
3000+
￥0.2512
6000+
￥0.2252
9000+
￥0.2122

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型号：HG24C04CM/TR 编号：C7432373

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

5+
￥0.4551
50+
￥0.3543
150+
￥0.3039
500+
￥0.2661
2500+
￥0.2504
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