华虹宏力存储器_厂家_价格_品牌_库存

是256-Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器F-RAM是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与串行闪存和EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，无写延迟

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型号：MT47H64M16NF-25E IT:M 编号：C151066

封装：FBGA-84

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的双输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可选突发长度（BL）：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。汽车温度（AT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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型号：MKSV4GCL-ABB 编号：C19633500

封装：LGA-8(6x8)

Flash类型:SLC,商业级，SPI NAND，尺寸6x8mm

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型号：K4A4G085WE-BCTD 编号：C2920049

封装：FBGA-78

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKDV1GCL-ABG 编号：C42381020

封装：LGA-8(6x8)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C4速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。MKDV1GCL-ABA的升级款，擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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型号：CY7C1049DV33-10ZSXIT 编号：C3018881

封装：TSOPII-44-10.2mm

是高性能CMOS静态随机存储器，组织形式为512K字×8位。通过低电平有效芯片使能 (CE)、低电平有效输出使能 (OE) 和三态驱动器，可轻松进行内存扩展。可通过将芯片使能 (CE) 和写使能 (WE) 输入置为低电平来写入设备。在地址引脚指定的位置上，8个IO引脚 (IO0至IO7) 上的数据将被写入

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型号：S29GL128P10TFI010 编号：C915960

封装：TSOP-56-18.5mm

的 S29GL01G/512/256/128P 是采用 90 纳米制程技术制造的 Mirrorbit 闪存产品。这些器件的页面访问时间仅 25 纳秒，随机访问时间最快可达 90 纳秒。它们配备写缓冲器，一次操作最多可对 32 个字/64 字节进行编程，与标准编程算法相比，有效编程时间更短

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型号：MT41K256M16TW-107 AAT:P 编号：C524865

封装：FBGA-96

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联访问时间:20ns 安装类型:表面贴装型供应商器件封装:96-FBGA(8x14)

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D 编号：C20539796

封装：TSOPI-48

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块

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型号：XT25W1GBSFIGA 编号：C42162957

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

1Gb，宽压，SOP16 300mil封装，工业级温度

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型号：MT41K256M16TW-107 AIT:P 编号：C524866

封装：FBGA-96

4Gb x16 Automotive DDR3L SDRAM，支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容。工作温度范围为-40°C至+125°C。

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型号：MKEV004GCB-SC510 编号：C20607685

封装：FBGA-153(11.5x13)

MLC, eMMC 4GB, eMMC5.1, 11.5x13mm,-25°C to +85°C

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型号：MT48H32M16LFB4-6 IT:C 编号：C2061935

封装：VFBGA-54(8x8)

该移动SDRAM具有32兆位x16位的存储容量，支持低功耗模式，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。时钟周期为6ns。

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型号：IS42S32160F-6BLI 编号：C1348852

封装：BGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

512Mb SDRAM 是一种高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于在3.3V VDD/VDDQ或2.5V VDD/VDDQ存储系统中运行，具体取决于DRAM选项。内部配置为具有同步接口的四体DRAM。该512Mb SDRAM（536,870,912位）包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的正沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容。512Mb SDRAM能够以高数据速率同步突发数据，并自动生成列地址，能够在内部存储体之间交错以隐藏预充电时间，并且能够在突发访问期间的每个时钟周期随机更改列地址

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型号：XT27G04ATSIGA 编号：C42162959

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G04A 是一个 3.3V 4 Gbit 的并行 SLC NAND 闪存，支持 8 位 ECC，组织方式为 (4096+256) 字节 × 64 页 × 2048 块。该设备具有两个 4352 字节的静态寄存器，用于在寄存器和存储单元之间传输数据。

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型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

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型号：MKDN016GCL-AA 编号：C5220822

封装：LGA-16(9x12.5)

MK Nano SD NAND 是一种嵌入式存储解决方案，设计为LGA封装形式。其操作类似于SD卡，适用于商用级别。它由NAND闪存和高性能控制器组成，支持SD3.0接口，允许大多数通用CPU利用。

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型号：CY14E256LA-SZ25XIT 编号：C2952990

封装：SOIC-32

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型号：MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 编号：C21603959

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型号：CY7C1381KV33-133AXI 编号：C914902

封装：TQFP-100