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封装：SOIC-8-208mil

25系列串行闪存系列具有四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件在原SST25VFxxxA器件的基础上，提高了工作频率，降低了功耗。SST25VF016B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。

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型号：SST26VF032BT-104I/SM 编号：C69337

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O™（SQI™）系列闪存设备采用六线4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：GD25LQ128ESIGR 编号：C2927797

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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型号：W25Q64JVSSIM 编号：C5362615

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：S25FL128SAGMFI001 编号：C466853

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容

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型号：XTSDQ01GWSIGA 编号：C7429711

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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型号：IS62WV51216EBLL-45TLI 编号：C1348903

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216EALL/IS62WV51216EBLL 是高速 8M 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 512K 字×16 位。它采用高性能 CMOS 技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：S27KL0642DPBHB023 编号：C5157921

封装：FBGA-24(6x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：W632GU6RB-09 编号：C42088618

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：XT26Q12DWSIGA 编号：C42165005

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XT26Q12D是一款2G-bit (256M-byte) SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI接口及双/四线I/O选项，具备先进的写保护机制。

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型号：XT26G01DLAIGA 编号：C29781623

封装：LGA-8(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G01D 是一款 1G-bit (128M-byte) 的 SPI NAND Flash 存储器，支持标准 SPI 接口，双/四线 I/O 选项，具有高级写保护机制。

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型号：S34ML04G100TFI000 编号：C98940

封装：TSOPI-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

3.3V 4Gbit

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型号：MKDV4GCL-ABG 编号：C42381022

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C10速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

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￥76.665 ￥80.7
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￥62.719 ￥66.02

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型号：ZDSD04GLGIAG 编号：C5349318

封装：LGA8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：MT47H128M8SH-25E IT:M 编号：C2839094

封装：FBGA-60(8x10)

品牌：micron(镁光)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

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型号：CY14B101LA-SZ25XIT 编号：C2953458

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

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型号：CY15B104Q-SXI 编号：C2759922

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY15B104Q是一款4兆位非易失性铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高速SPI接口。它具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力，支持高达40 MHz的时钟频率，低功耗，适用于频繁写入的应用场景。

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型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-18.4mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

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￥127.92
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型号：IS61WV102416ALL-20TLI 编号：C1353007

封装：TSOPI-48

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：KLMCG4JETD-B041 编号：C2915276

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKDN064GIL-ZC 编号：C53374590

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等，应用：工业设备、物联网终端、嵌入式系统、数据记录

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￥261.2616 ￥283.98
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￥248.6208 ￥270.24

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型号：71321LA25PFGI 编号：C1350091

封装：TQFP-64(14x14)

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

IDT71321/IDT71421 是高速 2K x 8 双端口静态 RAM，内置中断逻辑，用于处理器间通信。

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￥261.54
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￥249.22

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型号：MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y 编号：C21674868

封装：-

品牌：micron(镁光)

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￥349.86
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￥338.1

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型号：MT40A2G8JC-062E IT:E 编号：C2887390

封装：TFBGA-78

品牌：micron(镁光)

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1+
￥498.09
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￥472.34

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型号：KLUFG8RHGB-B0E1 编号：C45261440

封装：-

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
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￥805.58

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型号：HG24C02M5/TR 编号：C565360

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256/512/1024/2048个8位字。该设备针对许多需要低功耗和低电压操作的工业和商业应用进行了优化。采用节省空间的8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚TSSOP和5引脚SOT23封装，并通过两线串行接口访问。

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10+
￥0.3562
100+
￥0.2794
300+
￥0.241
3000+
￥0.2122
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￥0.1892
9000+
￥0.1777

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型号：HG24C02M/TR 编号：C7432098

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M/TR提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。支持I2C（2-wire）接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

10+
￥0.3666
100+
￥0.2898
300+
￥0.2514
2500+
￥0.2226
5000+
￥0.1996
10000+
￥0.188

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型号：HG24C02CM5/TR 编号：C7432359

封装：SOT-23-5

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M5/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。

10+
￥0.4136
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￥0.327
300+
￥0.2837
3000+
￥0.2512
6000+
￥0.2252
9000+
￥0.2122

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型号：FM93C66A-SO-T-G 编号：C2928937

封装：SOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM93C66A是一款4Kbit的三线串行EEPROM，具有低电压和标准电压操作能力，支持1.7V至5.5V的工作电压范围。它提供多种封装选项，包括PDIP8、SOP8、TSSOP8、TDFN8和TSOT23-6L。该器件适用于需要低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

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￥0.4382
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￥0.4289
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￥0.4226

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型号：HX24C04DRG 编号：C5145454

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C02/04/08/16系列提供2K至16K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为256/512/1024/2048个8位字。该设备适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。支持I2C两线串行接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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￥0.4703
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￥0.3743
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