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W29N01HZ/WXXNA 是一款1G-bit 1.8V NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统,支持低功耗和多种封装选项。该设备具有单级单元(SLC)技术,提供高可靠性和长寿命的数据存储。
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  • W29N04KW/ZxxBF 是 4Gbit 的 NAND Flash 存储器,适用于嵌入式系统,支持标准 NAND 命令集,工作电压为 1.7V 到 1.95V,支持 8 位和 16 位总线宽度。
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  • W29N04KW/ZxxBG 是一款4Gbit 1.8V NAND FLASH存储器,支持标准NAND命令集,适用于低功耗和高密度存储应用。提供48-pin TSOP1和63-ball VFBGA封装。
    • 1+

      ¥52.96
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  • W25N02KV是一款2G-bit SLC QSPI NAND Flash存储器,支持双/四线SPI接口,具有低功耗、宽温度范围的特点。工作电压为2.7V至3.6V,支持高达104MHz的SPI时钟频率。
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  • W25N01JWTBIT TR是一款1G-bit的Serial SLC NAND Flash Memory,支持1.70V到1.95V的供电电压,具备多种SPI接口模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI。它还支持DTR模式,提供高效的连续读取模式。
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  • W29N04GV 是一款 4Gbit 3.3V NAND FLASH 存储器,支持标准 NAND 命令集,适用于代码阴影到 RAM、固态应用和数据存储。具有低功耗、高性能和紧凑封装的特点。
    数据手册
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  • W25N02KW是Winbond公司生产的2G-bit SLC NAND闪存,支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。具有低功耗、宽温度范围、高可靠性等特点。
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  • W25N02KW是Winbond公司生产的2Gbit SLC NAND Flash存储器,支持标准SPI、双SPI和四SPI接口。该存储器具有灵活的架构,每个块大小为128KB,支持快速读取和顺序读取模式。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,提供缓冲读取和顺序读取模式。该设备可在 1.70V 至 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。W25N04KW 支持高达 104MHz 的标准 SPI 时钟频率,以及 208MHz 和 416MHz 的等效双/四线 SPI 时钟频率。此外,还提供了内置的 ECC 功能和灵活的页面加载方法。
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  • W631GG8NB 是一款 16,777,216 字 × 8 bank × 8 位的 DDR3 SDRAM。该设备支持以下速度等级:-09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I 和 15I。工业等级支持 -40°C 至 95°C 的工作温度范围,而工业加等级支持 -40°C 至 105°C 的工作温度范围。该 DDR3 SDRAM 设计符合以下关键特性:双倍数据速率架构、八个内部bank并发操作、8 位预取架构、可编程读突发顺序、双向差分数据选通、DLL 对齐数据选通和写数据。
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  • W631GU8NB是一款16M bits的DDR3L SDRAM,组织为16,777,216 words × 8 banks × 8 bits。支持1.35V供电,兼容1.5V供电。工作温度范围为0°C至95°C。提供多种CAS Latency设置,支持写入恢复时间控制和自刷新模式。
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  • W29N04GV是一款4Gbit的3.3V NAND FLASH存储器,适用于低功耗应用。其组织结构为512MB,每个块包含64个可编程页面,每个页面大小为2112字节(2048 + 64字节)。支持单级单元(SLC)技术,提供高速读写性能和低功耗。
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