华邦存储器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：W25N01GVTBIG TR 编号：C17491636

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W29N04KWBIBG TR 编号：C21723043

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W25N01JWZEIG TR 编号：C17383986

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W971GG6NB25I TR 编号：C17569663

封装：TFBGA-84(8x12.5)

品牌：Winbond(华邦)

W971GG6NB是1Gbit DDR2 SDRAM，组织为8,388,608字 × 8个bank × 16位。该设备分为以下等级：-18, 18l, 18J, -25, 25l, 25J 和 -3。-25, 25l 和 25J 等级符合DDR2-800 (5-5-5)或DDR2-800 (6-6-6)规范，支持-40°C至105°C的工作温度范围。工作电压为1.8V±0.1V。

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型号：W25N01JWZEIT TR 编号：C17527738

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W97BH2MBVA2E 编号：C17295909

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH2MBVA2E 是一款低功耗双倍数据速率存储器 (LPDDR2)，具有 2Gb 的存储容量，32 位数据宽度，1.8V 核心供电，1.2V I/O 供电。该设备支持 8 个内部bank，支持 1066 Mbps 数据传输率。

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￥17.98
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型号：W97BH6MBVA2E 编号：C17277459

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH6MB是一款低功耗DDR2 SDRAM，具有2Gb的存储容量，16位数据宽度，支持800Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构，通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试，具有多种工作模式，包括深度掉电模式。

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￥17.98
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型号：W97BH6MBVA2I 编号：C17204618

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH6MB是一款低功耗DDR2 SDRAM，具有2Gb的存储容量，16位数据宽度，支持800Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构，通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试，具有多种工作模式，包括深度掉电模式。

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型号：W97BH2MBVA2I 编号：C17261599

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH2MB是一款低功耗DDR2 SDRAM，具有2Gb的存储容量，32位数据宽度，支持800Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构，通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试，具有多种工作模式，包括深度掉电模式。

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型号：W9812G6KB-6 TR 编号：C20346191

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9812G6KB是一个高带宽同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为2M x 4 BANKS x 16 BITS。该设备每秒可传输高达166M个字。适用于高性能应用的主要内存。

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型号：W631GU6NB-12 TR 编号：C17671888

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

W631GU6NB 是 1G bits DDR3L SDRAM，组织为8,388,608 words×8 banks×16 bits。该设备支持多种速度等级，包括-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。支持0°C至95°C的工作温度范围。

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￥46.67
200+
￥18.63
500+
￥18
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型号：W29N01HZDINF TR 编号：C17445839

封装：VFBGA-48(8x6.5)

品牌：Winbond(华邦)

W29N01HZDINF TR是一款1G-bit 1.8V NAND Flash存储器，适用于嵌入式系统，支持低功耗操作，提供多种封装选项。

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￥46.67
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￥18.63
500+
￥18
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型号：W29N01GVSIAA 编号：C2880011

封装：TSOP-48-12.0mm

品牌：Winbond(华邦)

W29N01GV是一款1G-bit的NAND Flash存储器，适用于嵌入式系统。它支持标准NAND命令集，工作电压为2.7V至3.6V，具有低功耗特性。该设备提供138,412,032字节的存储空间，分为1,024个可擦除块，每个块大小为135,168字节。

数据手册

单价：
￥58.85 / 个

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型号：W71NW11GE1EW 编号：C21138672

封装：-

品牌：Winbond(华邦)

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￥46.94
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型号：W97BH2MBVA1I 编号：C17295871

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH2MB是一款低功耗DDR2 SDRAM，具有2Gb的存储容量，32位数据宽度，支持1066Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构，通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试，具有多种工作模式，包括深度掉电模式。

1+
￥47.02
168+
￥18.76
504+
￥18.14
1008+
￥17.83

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型号：W97BH6MBVA1I 编号：C17672166

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

LPDDR2 SDRAM 2Gb，内部配置为8个Bank的内存设备。该设备使用双数据速率架构在命令/地址(CA)总线上减少系统中的输入引脚数量。10位CA总线包含命令、地址和Bank/Row缓冲信息。

1+
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￥18.76
504+
￥18.14
1008+
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型号：W97BH2MBVA1E 编号：C17616304

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH2MBVA1E 是一款低功耗双倍数据速率存储器 (LPDDR2)，具有 2Gb 的存储容量，32 位数据宽度，1.8V 核心供电，1.2V I/O 供电。该设备支持 8 个内部bank，支持 1066 Mbps 数据传输率。

1+
￥47.02
168+
￥18.76
504+
￥18.14
1008+
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型号：W97BH6MBVA1E 编号：C17295880

封装：VFBGA-134(10x11.5)

品牌：Winbond(华邦)

W97BH6MB是一款低功耗DDR2 SDRAM，具有2Gb的存储容量，16位数据宽度，支持1066Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构，通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试，具有多种工作模式，包括深度掉电模式。

1+
￥47.02
168+
￥18.76
504+
￥18.14
1008+
￥17.83

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型号：W9864G6KT-6 TR 编号：C17265349

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KT是一款高速同步动态随机存取存储器，组织为1M x 4 BANKS x 16 BITS。该设备每秒可传输高达166M个字的数据。支持多种速度等级，包括-6, -6l 和 -6J。

1+
￥47.1
200+
￥18.8
500+
￥18.17
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￥17.86

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型号：W9864G6KT-6I TR 编号：C17296073

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KT是一个高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)，组织为1M words x 4 banks x 16 bits。该设备每秒可提供高达166M words的数据带宽。适用于高性能应用的主要内存。

1+
￥47.1
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型号：W631GG8NB-15 TR 编号：C17489404

封装：VFBGA-78(8x10.5)

品牌：Winbond(华邦)

W631GG8NB是一款1G位DDR3 SDRAM，组织结构为16,777,216字×8个bank×8位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I, 15I, 09J, 11J, 12J, 15J。工业级支持-40°C至95°C的工作温度范围，工业加级支持-40°C至105°C的工作温度范围。该DDR3 SDRAM设计符合以下关键特性：双倍数据速率架构，八个内部bank并发操作，8位预取架构，可编程读突发顺序，双向差分数据选通，DLL对齐DQ和DQS转换与外部时钟同步。