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  • W631GU8NB是一款16M bits的DDR3L SDRAM,组织为16,777,216 words × 8 banks × 8 bits。支持1.35V供电,兼容1.5V供电。工作温度范围为0°C至95°C。提供多种CAS Latency设置,支持写入恢复时间控制和自刷新模式。
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  • W29N01HZ/WXXNA 是一款1G-bit 1.8V NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统,支持低功耗和多种封装选项。该设备具有单级单元(SLC)技术,提供高可靠性和长寿命的数据存储。
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  • W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存,支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构,每个块大小为128KB,总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟,提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。
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  • W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存,支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构,每个块大小为128KB,总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟,提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。
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  • W29N01HVXINF是一款1G-bit的NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统,支持媒体数据存储,如语音、视频、文本和照片。该设备工作在单个2.7V到3.6V的电源电压下,存储阵列总共有138,412,032字节,分为1,024个可擦除块,每个块包含64个可编程页,每页2,112字节。
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  • W631GG8NB 是一款 16,777,216 字 × 8 bank × 8 位的 DDR3 SDRAM。该设备支持以下速度等级:-09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I 和 15I。商业等级支持 0°C 至 95°C 的工作温度范围,而工业等级支持 -40°C 至 95°C 的工作温度范围。该 DDR3 SDRAM 设计符合以下关键特性:双倍数据速率架构、八个内部bank并发操作、8 位预取架构、可编程读突发顺序、双向差分数据选通、DLL 对齐数据选通和写数据。
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  • W29N04GV是一款4Gbit的3.3V NAND FLASH存储器,适用于低功耗应用。其组织结构为512MB,每个块包含64个可编程页面,每个页面大小为2112字节(2048 + 64字节)。支持单级单元(SLC)技术,提供高速读写性能和低功耗。
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  • W971GG6NB是1Gbit DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字 × 8个bank × 16位。该设备分为以下等级:-18, 18l, 18J, -25, 25l, 25J 和 -3。-18, 18l 和 18J 等级符合DDR2-1066 (6-6-6)规范,支持-40°C至95°C的工作温度范围。工作电压为1.8V±0.1V。
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  • W9864G6JT 是一款高速同步动态随机存取内存 (SDRAM),组织结构为1M字 x 4个bank x 16位。W9864G6JT 的数据带宽最高可达每秒166兆字(166MHz/CL3规范)。访问 SDRAM 是突发导向的,可以连续访问一个页面中的多个内存位置。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,提供缓冲读取和顺序读取模式。该设备可在 1.70V 至 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。W25N04KW 支持高达 104MHz 的标准 SPI 时钟频率,以及 208MHz 和 416MHz 的等效双/四线 SPI 时钟频率。此外,还提供了内置的 ECC 功能和灵活的页面加载方法。
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  • W25N04KW 是一款 4G-bit 单层单元 (SLC) Qspi NAND 闪存,支持双/四线 SPI 接口,具有缓冲读取和顺序读取功能。该设备可在 1.70V 到 1.95V 的单电源下工作,具有低功耗和宽温度范围的特点。
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