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  • W978H6KB系列是一款低功耗DDR2 SDRAM,具有256Mb的存储容量,支持四通道架构,数据宽度为x16位。该器件支持高速数据传输,最高可达1066 Mbps,并具备多种低功耗模式,包括Deep Power Down和Partial Array Self-Refresh。
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  • W978H2KB系列是一款低功耗DDR2 SDRAM,具有256Mb的存储容量,支持四通道架构,数据宽度为x32位。该器件支持高速数据传输,最高可达1066 Mbps,并具备多种低功耗模式,包括Deep Power Down和Partial Array Self-Refresh。
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  • W25N02JWTBIC是一款1G-bit的Serial SLC NAND Flash Memory,支持1.70V到1.95V的供电电压,具备多种SPI接口模式,包括标准SPI、Dual SPI和Quad SPI。它还支持DTR模式,提供高效的连续读取模式。
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  • W29N01HVXINF是一款1G-bit的NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统,支持媒体数据存储,如语音、视频、文本和照片。该设备工作在单个2.7V到3.6V的电源电压下,存储阵列总共有138,412,032字节,分为1,024个可擦除块,每个块包含64个可编程页,每页2,112字节。
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  • W9864G6JB是一款1M× 4BANKS × 16BITS的SDRAM,支持高达166 MHz的时钟频率,具有自刷新模式、突发读写模式和自动预充电功能。适用于高性能应用。
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  • W971GG6NB是1Gbit DDR2 SDRAM,组织为8,388,608字 × 8个bank × 16位。该设备分为以下等级:-18, 18l, 18J, -25, 25l, 25J 和 -3。-18, 18l 和 18J 等级符合DDR2-1066 (6-6-6)规范,支持0°C至85°C的工作温度范围。工作电压为1.8V±0.1V。
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  • W9864G6JT 是一款高速同步动态随机存取内存 (SDRAM),组织结构为1M字 x 4个bank x 16位。W9864G6JT 的数据带宽最高可达每秒166兆字(166MHz/CL3规范)。访问 SDRAM 是突发导向的,可以连续访问一个页面中的多个内存位置。
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  • W29N02KZDIBE是一款2G-bit的1.8V NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统。它支持标准的NAND命令集,具有低功耗和高可靠性。存储阵列总共包含285,212,672字节,分为2,048个可擦除块,每个块包含64个可编程页。
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