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LPDDR2 SDRAM 2Gb,内部配置为8个Bank的内存设备。该设备使用双数据速率架构在命令/地址(CA)总线上减少系统中的输入引脚数量。10位CA总线包含命令、地址和Bank/Row缓冲信息。
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  • W97BH2MBVA1E 是一款低功耗双倍数据速率存储器 (LPDDR2),具有 2Gb 的存储容量,32 位数据宽度,1.8V 核心供电,1.2V I/O 供电。该设备支持 8 个内部bank,支持 1066 Mbps 数据传输率。
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  • W97BH6MB是一款低功耗DDR2 SDRAM,具有2Gb的存储容量,16位数据宽度,支持1066Mbps的数据速率。该器件使用双数据率架构,通过减少系统中的输入引脚数量来实现高速操作。它还支持边界扫描测试,具有多种工作模式,包括深度掉电模式。
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  • W9864G6KT是一款高速同步动态随机存取存储器,组织为1M x 4 BANKS x 16 BITS。该设备每秒可传输高达166M个字的数据。支持多种速度等级,包括-6, -6l 和 -6J。
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  • W9864G6KT是一个高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为1M words x 4 banks x 16 bits。该设备每秒可提供高达166M words的数据带宽。适用于高性能应用的主要内存。
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  • W631GU8NB 是一款16M x 8BANKS x 8BIT DDR3L SDRAM,支持多种速度等级,包括-09, -11, -12, -15等。该设备支持突发长度8 (BL8) 和突发截断4 (BC4) 模式,可编程读突发顺序,双向差分数据选通(DQS 和 DQS#) 与数据传输同步。
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  • W631GG8NB是一款1G位DDR3 SDRAM,组织结构为16,777,216字×8个bank×8位。该设备分为以下速度等级:-09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I, 15I, 09J, 11J, 12J, 15J。工业级支持-40°C至95°C的工作温度范围,工业加级支持-40°C至105°C的工作温度范围。该DDR3 SDRAM设计符合以下关键特性:双倍数据速率架构,八个内部bank并发操作,8位预取架构,可编程读突发顺序,双向差分数据选通,DLL对齐DQ和DQS转换与外部时钟同步。
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  • W631GG6NB是一款1G bits DDR3 SDRAM,组织为8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。支持多种速度等级,包括DDR3-1866 (13-13-13),工业级工作温度范围为-40°C至95°C。
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  • W29N01HV 是一款1G-bit的NAND Flash存储器,专为嵌入式系统设计,具有低功耗和高可靠性。它支持标准NAND命令集,适用于代码映射到RAM、固态应用和数据存储。
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  • W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存,支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构,每个块大小为128KB,总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟,提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。
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  • W631GG6NB是一款1G bits DDR3 SDRAM,组织为8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。支持多种速度等级,包括DDR3-2133 (14-14-14),工业级工作温度范围为0°C至95°C。
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  • W29N01HZBINF TR是一款1G-bit 1.8V NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统,支持低功耗操作,提供多种封装选项。
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  • W29N01HWBINF TR是一款1G-bit 1.8V NAND Flash存储器,适用于嵌入式系统,支持低功耗操作,提供多种封装选项。
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  • W631GU8NB是一款16M bits的DDR3L SDRAM,组织为16,777,216 words × 8 banks × 8 bits。支持1.35V供电,兼容1.5V供电。工作温度范围为0°C至95°C。提供多种CAS Latency设置,支持写入恢复时间控制和自刷新模式。
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  • W631GG8NB是一款1G位DDR3 SDRAM,组织结构为16,777,216字×8个bank×8位。该设备分为以下速度等级:-09, -11, -12, -15, 09I, 11I, 12I, 15I, 09J, 11J, 12J, 15J。工业级支持-40°C至95°C的工作温度范围,工业加级支持-40°C至105°C的工作温度范围。该DDR3 SDRAM设计符合以下关键特性:双倍数据速率架构,八个内部bank并发操作,8位预取架构,可编程读突发顺序,双向差分数据选通,DLL对齐DQ和DQS转换与外部时钟同步。
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