东芝存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q128JVPIM TR 编号：C2441427

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

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2+
￥11.33
20+
￥9.84
60+
￥9.02
200+
￥8.1
1000+
￥7.69
2000+
￥7.5

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型号：W25Q64JVXGIQ 编号：C2940195

封装：XSON-8-EP(4x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JV（64M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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1+
￥10.16
10+
￥8.95
30+
￥8.34
100+
￥7.74
500+
￥6.99
1000+
￥6.8

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型号：W25Q64JWSSIQ 编号：C2985658

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25Q64JW（64M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备远超普通串行闪存器件的灵活性和性能。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI（XIP）直接执行代码，以及存储语音、文本和数据

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1+
￥10.23
10+
￥8.9
30+
￥8.17
100+
￥7.34
500+
￥6.57
1000+
￥6.4

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型号：W9864G6KH-6 编号：C62378

封装：TSOPII-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

是一种高速同步动态随机存取存储器（SDRAM），组织为1M字×4组×16位，可提供高达每秒200M字的数据带宽。针对不同应用，分为-5、-6、-6I和-7等速度等级。5部件最高可运行至200MHz/CL3；-6和-6I部件最高可运行至166MHz/CL3（-6I为工业级，支持-40°C至85°C）；-7部件最高可运行至143MHz/CL3，且tRP = 18ns。对SDRAM的访问是突发式的，当通过ACTIVE命令选择一个组和行时，一页中的连续存储位置可以以1、2、4、8或整页的突发长度进行访问

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1+
￥23.84
10+
￥21.91
30+
￥20.7
108+
￥18.8
540+
￥18.25
864+
￥18

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型号：W9751G6NB-25 编号：C908414

封装：VFBGA-84

品牌：Winbond(华邦)

存储器类型:易失存储器格式:DRAM 存储器接口:并联写周期时间-字,页:15ns 访问时间:400ps 安装类型:表面贴装型封装/外壳: 84-VFBGA 供应商器件封装: 84-VFBGA（8x12.5）

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1+
￥28.14
10+
￥25.43
30+
￥23.74
209+
￥21.13
418+
￥20.34
1045+
￥20

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型号：K4B4G1646E-BCNB 编号：C2803248

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥44.4
10+
￥38.51
30+
￥34.92

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型号：K4B4G1646E-BYMA 编号：C500275

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥48.36
10+
￥42.53
30+
￥38.98
112+
￥36

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型号：MT25QU512ABB1EW9-0SIT 编号：C2060949

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率：STR所有协议下最大166 MHz；DTR所有协议下最大90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s

1+
￥79.21
10+
￥75.39
30+
￥68.78
100+
￥63

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型号：MT40A512M16TB-062E:R 编号：C2887392

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。片上、内部、可调VREFDQ生成。1.2V伪开漏I/O

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1+
￥251.64
30+
￥240.67

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型号：K4F6E3S4HM-MGCJ 编号：C2842431

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥440.44
30+
￥319.72

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型号：AD24C32 编号：C5125084

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C32是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，具有4096字节的存储容量，支持1.8V至5.5V的工作电压，适用于多种应用场景，如智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子和通信设备等。

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5+
￥0.3924
50+
￥0.3464
150+
￥0.3234
500+
￥0.3061
2500+
￥0.2611
4000+
￥0.2542

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型号：ZD24C256A-SSGMT 编号：C2896642

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C256A提供256-Kbit的串行EEPROM，支持I2C兼容接口，工作电压1.7V至5.5V，具有超低功耗和高可靠性。

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5+
￥1.2294
50+
￥0.9766
150+
￥0.8683
500+
￥0.7331
3000+
￥0.6129
6000+
￥0.5768

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型号：24LC16BT-I/SN 编号：C5456

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16/24LC16B（24xx16*）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由8个256x8位的存储块组成，采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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5+
￥1.7522
50+
￥1.3792
150+
￥1.2193
500+
￥0.9342
3300+
￥0.8454

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型号：CAT24C04WI-GT3 编号：C71194

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件，内部组织为 32 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。

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5+
￥1.8453
50+
￥1.4378
150+
￥1.2632
500+
￥1.0453
3000+
￥0.9032
6000+
￥0.845

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型号：CAT93C86VI-GT3 编号：C238493

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C86 是一款 16-Kb 串行 EEPROM 内存器件，可配置为 16 位寄存器（VCC 处的 ORG 引脚）或 8 位寄存器（GND 处的 ORG 引脚）。每个寄存器均可使用 DI（或 DO）引脚进行串行写入（或读取）。CAT93C86 具有一个自计时内部写入，带自动清除。片上接通电源重置电路会保护内部逻辑不会以错误状态通电。

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5+
￥2.2341
50+
￥1.7578
150+
￥1.5537
500+
￥1.2031
3000+
￥1.0897
6000+
￥1.0217

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型号：CAT24C128WI-GT3 编号：C81195

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为16,384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

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1+
￥2.26
10+
￥1.76
30+
￥1.54
100+
￥1.27
500+
￥1.15
1000+
￥1.08

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型号：AT24C02D-MAHM-T 编号：C461609

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V 至 3.6V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I²C 兼容（两线）串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 3.6V

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5+
￥2.3392
50+
￥1.8586
150+
￥1.6526
500+
￥1.3476
2500+
￥1.2332
5000+
￥1.1645

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型号：AT25256B-SSHL-T 编号：C36901

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

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1+
￥2.6
10+
￥2.3
30+
￥2.15
100+
￥2
500+
￥1.91
1000+
￥1.86

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型号：M95256-WMN6TP 编号：C221504

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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1+
￥2.69
10+
￥2.12
30+
￥1.87
100+
￥1.57
500+
￥1.28
1000+
￥1.2

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型号：93LC56BT-I/OT 编号：C190271

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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1+
￥2.75
10+
￥2.14
30+
￥1.87
100+
￥1.54
500+
￥1.4
1000+
￥1.31

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型号：GD25Q80CTIGR 编号：C395464

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

C版本是8寸的晶元，65纳米的工艺

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1+
￥3.37
10+
￥2.66
30+
￥2.36
100+
￥1.98
500+
￥1.82
1000+
￥1.71

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型号：24AA02E48T-I/OT 编号：C38987

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款2 Kbit电可擦除PROM。该器件由两个128×8位存储器块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，I温度下的最大待机电流仅为1μA，E温度下为5μA，最大工作电流为1 mA。还具备最多八字节数据的页写能力（24AA025E48/24AA025E64为16字节）。有标准8引脚SOIC、5引脚SOT-23和6引脚SOT-23封装可供选择。

数据手册

1+
￥3.5
10+
￥2.8
30+
￥2.46
100+
￥2.11
500+
￥2.04
1000+
￥1.93

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型号：W25Q80DVUXIE 编号：C401667

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q80DV（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥4.77
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.1
500+
￥2.63
1000+
￥2.5

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型号：W25Q32JVSNIQ 编号：C5355146

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作。

1+
￥6.75
10+
￥5.83
30+
￥5.37
100+
￥4.92
500+
￥4.65
1000+
￥4.5

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型号：FM24CL64B-GTR 编号：C9829

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

64-Kbit(8K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。

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