东芝存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25Q20EWUXIE TR 编号：C401660

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q20EW（2M 位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥6.24
10+
￥5.33
30+
￥4.87
100+
￥4.42
500+
￥4.14
1000+
￥4

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型号：AT45DB041E-SHN-T 编号：C63570

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4-Mbit(500K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

数据手册

1+
￥6.72
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￥5.62
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￥5.08
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￥4.53
500+
￥3.8
1000+
￥3.63

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型号：GD25Q32CSIGR 编号：C318845

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。

数据手册

1+
￥8.44
10+
￥7.06
30+
￥6.3
100+
￥5.44
500+
￥4.68
1000+
￥4.5

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型号：MX25R3235FM1IL0 编号：C2802824

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构。每个扇区为4K字节,每个块为32K字节或64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源操作

1+
￥10.63
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￥8.44
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￥7.24
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￥5.88
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￥5.28
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￥5

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型号：MX25V1635FZUI 编号：C6330274

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。支持唯一ID和安全OTP。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口模式0和模式3。具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或64K字节，任何块都可单独擦除。单电源供电，读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA

1+
￥12.16
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￥10.47
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￥9.54
100+
￥8.48
500+
￥8.02
1000+
￥7.8

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型号：W25Q32JVSNIQ 编号：C5355146

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作。

1+
￥16.48
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￥15.13
30+
￥14.38
100+
￥13.55
500+
￥13.17
1000+
￥13

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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥22.64
10+
￥19.37
30+
￥17.43
100+
￥15.46
500+
￥14.56
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￥14.15

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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

数据手册

1+
￥39.6
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￥34.4
30+
￥29.22
100+
￥26.09
500+
￥24.65
1000+
￥24

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

40+
￥41.65
400+
￥36.06
1200+
￥32.66

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型号：MX25L51245GZ2I-08G 编号：C2803021

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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1+
￥58.68
10+
￥52.23
30+
￥48.3
100+
￥45

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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

数据手册

1+
￥84.16
10+
￥73.49
30+
￥66.99
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￥56.14

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥85.25
10+
￥81.58
30+
￥67.65
100+
￥62.1

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥275.31 ￥289.8
30+
￥261.668 ￥275.44

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型号：MKDV16GIL-STPA 编号：C20607687

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥298.0055 ￥313.69
30+
￥283.366 ￥298.28

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C2803245

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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1+
￥300.47
30+
￥266.4

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型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

1+
￥814.41
30+
￥770.09

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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

10+
￥0.27189 ￥0.2862
100+
￥0.23047 ￥0.2426
300+
￥0.209665 ￥0.2207
1000+
￥0.19418 ￥0.2044
4000+
￥0.181735 ￥0.1913
8000+
￥0.175465 ￥0.1847

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型号：AT24C02 编号：C7470930

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

10+
￥0.2954
100+
￥0.2442
300+
￥0.2186
1000+
￥0.1994
4000+
￥0.1532
8000+
￥0.1455

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型号：BL24C16F-PARC 编号：C2828223

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。写保护引脚允许在接地时进行正常读写操作，连接到Vcc时启用写保护。

数据手册

10+
￥0.4747
100+
￥0.3931
300+
￥0.3523
2500+
￥0.3132
5000+
￥0.2887
10000+
￥0.2765

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型号：24C64S(XBLW) 编号：C41408505

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C64系列是65,536位的串行EEPROM，组织为8192个8位字。支持标准2线双向串行接口，适用于1.8V至5.5V的宽电压范围。

5+
￥0.526395 ￥0.5541
50+
￥0.412395 ￥0.4341
150+
￥0.355395 ￥0.3741
500+
￥0.312645 ￥0.3291
3000+
￥0.278445 ￥0.2931
6000+
￥0.26125 ￥0.275

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型号：FT24C16A-KLR-T 编号：C5263774

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM，支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.7V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式，具有自定时编程周期（最大5ms），1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容性，以及100年的数据保留能力。