东芝存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：W25N02KVZEIR TR 编号：C17626844

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KV是一款2G-bit SLC QSPI NAND Flash存储器，支持双/四线SPI接口，具有低功耗、宽温度范围的特点。工作电压为2.7V至3.6V，支持高达104MHz的SPI时钟频率。

10+
￥49.51
100+
￥44.56
300+
￥41.54
1000+
￥39

有货

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型号：CAT25256VI-GT3 编号：C238492

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT25256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb SPI 器件，内部组织为 32kx8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持串行外围接口 (SPI) 协议。该器件通过芯片选择 (CS) 输入启用。另外，所需总线信号为时钟输入 (SCK)、数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线路。保持输入可用于暂停与 CAT25256 器件的任何串行通信。该器件具有软件和硬件写保护，包括部分和完整阵列保护。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。可用于新产品（修订版E）。

数据手册

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￥3.11
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￥2.44
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￥2.16
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￥1.8
500+
￥1.51
1000+
￥1.41

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型号：MB85RS16PNF-G-JNERE1 编号：C38647

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

16-Kbit(2K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册

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￥4.42
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￥3.67
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￥3.13
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￥2.69
500+
￥2.66
1500+
￥2.57

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型号：M24M02-DRMN6TP 编号：C115042

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

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￥7.57
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￥6.35
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￥5.67
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￥4.91
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￥4.58
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￥4.42

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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

数据手册

1+
￥22.77
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￥19.87
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￥18.06
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￥16.2
500+
￥15.36
1000+
￥14.99

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型号：MKDV4GCL-ABB 编号：C7500178

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,MKDV4GCL-AB升级款,SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥24.912 ￥27.68
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￥21.771 ￥24.19
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￥20.169 ￥22.41
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￥18.027 ￥20.03
352+
￥17.253 ￥19.17
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￥16.929 ￥18.81

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型号：MX35LF1GE4AB-Z4I 编号：C402160

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LFxGE4AB是一款具有串行接口的1Gb/2Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的存储单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

数据手册

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￥29.05
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￥24.67
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￥22.07
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￥19.43
480+
￥18.22
960+
￥17.67

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型号：MT25QL256ABA1EW9-0SIT 编号：C2061007

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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1+
￥45.92
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￥40.64
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￥37.27
100+
￥34

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型号：AT24C02 编号：C7470930

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

10+
￥0.2953
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￥0.2442
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￥0.2186
1000+
￥0.1994
4000+
￥0.1532
8000+
￥0.1455

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型号：AT24C64 编号：C18186739

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AT24C64是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)，存储容量为8192字节，分为256页，每页32字节。具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期，支持SOP-8和DIP-8封装。适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制。

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￥0.6875
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￥0.5579
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￥0.4931
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￥0.4445
2500+
￥0.3246
5000+
￥0.3051

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型号：BL24C256A-SFRC 编号：C110276

封装：TSSOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件写保护功能，适用于工业和商业应用。

数据手册

5+
￥0.8948
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￥0.7028
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￥0.6068
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￥0.5348
3000+
￥0.4772
6000+
￥0.4484

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型号：CAT24C08WI-GT3 编号：C80801

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C08 是一款 EEPROM 串行 8-Kb I2C 器件，内部组织为 64 页，每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多两个 CAT24C08 器件的寻址。

数据手册

5+
￥1.7073
50+
￥1.3444
150+
￥1.1889
500+
￥0.9175
3000+
￥0.8311
6000+
￥0.7793

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型号：AT24C512CDRG 编号：C19723714

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C512C 是一款512-Kbit I2C兼容串行EEPROM，具有1MHz传输速率，工作温度范围为-40°C到+105°C。该设备集成了硬件写保护功能，用于保护整个内存阵列。

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￥1.9053
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￥1.5021
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￥1.3293
500+
￥1.1137
2500+
￥1.0177
5000+
￥0.96

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型号：CAT24C32WI-GT3 编号：C81193

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

数据手册

5+
￥1.9839
50+
￥1.5806
150+
￥1.4078
500+
￥1.1778
3000+
￥1.0818
6000+
￥1.0242

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型号：24LC64T-I/SN 编号：C5460

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64（24XX64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个1×8位的存储块构成，并具备两线串行接口。低电压设计使其可在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.0798
50+
￥1.6396
150+
￥1.451
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￥1.2157
3300+
￥1.1109
6600+
￥1.048

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型号：24LC256T-I/SN 编号：C5458

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24××256*）是一款 32K × 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.8V 至 5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥3.18
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￥2.55
30+
￥2.28
100+
￥1.94
500+
￥1.79
1000+
￥1.7

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型号：W25Q128JWSIQ TR 编号：C7150045

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

1+
￥13.85
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￥12.05
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￥10.91
100+
￥9.76
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￥9.23
1000+
￥9

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型号：FM25V02A-GTR 编号：C66029

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V02A是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，支持高速SPI接口，具有高耐久性和低功耗特性。

数据手册

1+
￥19.88
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￥17.35
30+
￥15.77
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￥12.95
500+
￥12.22
1000+
￥11.9

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型号：W956D8MBYA5I 编号：C2844948

封装：TFBGA-24

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V 或 2.7V~3.6V。最大时钟频率：200MHz。双倍数据速率（DDR）高达 400MT/s

数据手册

1+
￥39.02
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￥36.4
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￥34.77
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￥33.09
480+
￥32.33
960+
￥32

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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

数据手册

1+
￥142.27
10+
￥135.48
30+
￥122.07
100+
￥111.81

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C2803245

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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1+
￥241.9
30+
￥220

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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

10+
￥0.25574 ￥0.2692
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￥0.21413 ￥0.2254
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￥0.193325 ￥0.2035
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￥0.177745 ￥0.1871
4000+
￥0.165205 ￥0.1739
8000+
￥0.15903 ￥0.1674

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型号：BL24C64A-PARC 编号：C89291

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C64A 是一款64Kbits (8Kbytes)的串行低功耗、低电压EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，可实现部分页写入。提供多种封装形式，包括8-lead PDIP/SOP/TSSOP/UDFN和WLCSP4。

数据手册

5+
￥0.5924
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￥0.4771
150+
￥0.4195
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￥0.3762
2500+
￥0.3416
5000+
￥0.3243

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型号：M24C08-RDW6TP 编号：C283440

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.743
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￥0.5784
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￥0.4961
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￥0.4344
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￥0.385
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￥0.3603

有货

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型号：M24C02-FMN6TP 编号：C114502

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7603
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￥0.5968
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￥0.515
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￥0.4537
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￥0.4046
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￥0.38

有货

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型号：AT24C256CM/TR 编号：C7432367

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥1.8753
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￥1.4665
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￥1.2912
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￥1.0726
2500+
￥0.9752
5000+
￥0.9168

有货

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型号：W25Q80DVSNIG TR 编号：C401655

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，掉电时电流消耗低至 1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由 4096 个可编程页面组成，每个页面 256 字节。一次最多可编程 256 字节

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