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M24C01(C02) 是一款 1(2) Kbit 的 I²C 兼容 EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为 128 (256)×8 位。M24C01/02-W 可在 2.5 V 至 5.5 V 的电源电压下访问；M24C01/02-R 可在 1.8 V 至 5.5 V 的电源电压下访问，而 M24C02-F 可在……

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型号：M24C08-WMN6P 编号：C283441

封装：SO-8

是 8-Kbit I²C 兼容的 EEPROM（电可擦可编程存储器），组织为 1k×8 位。M24C08-W 可在 2.5V 至 5.5V 的电源电压下访问；M24C08-R 可在 1.8V 至 5.5V 的电源电压下访问；M24C08-F 可在 1.7V 至 5.5V（全温度范围）的电源电压下访问，或在 1.6V 至 1.7V 的扩展电源电压下访问。所有这些器件都以 400kHz 的时钟频率工作。

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型号：M24C16-RMC6TG 编号：C2913652

封装：DFN-8(2x3)

16 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：M24C16-WMN6P 编号：C283443

封装：SO-8

M24C16是一款16Kbit I2C兼容的EEPROM，支持400kHz I2C总线模式。该器件在不同工作电压范围内具有不同的特性，包括2.5V至5.5V、1.8V至5.5V和1.6V至1.7V。所有器件都支持400kHz的时钟频率。

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型号：CAT24C32HU4I-GT3 编号：C233772

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件，内部组织为 4096 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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型号：FT24C512A-ETR-T 编号：C417377

封装：TSSOP-8

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C512A系列是524,288位的串行EEPROM，组织为65,536个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，具有低功耗和低电压特性，支持1.8V至5.5V的工作电压。提供标准的2线双向串行接口，适用于多种应用场景。

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型号：M95020-WMN6P 编号：C2802543

封装：SO-8N-150mil

M95010/M95020/M95040 器件（M950x0）是电可擦除可编程存储器（EEPROM），分别组织为 128×8 位、256×8 位和 512×8 位，通过 SPI 总线访问。M950x0*W 的工作电源电压范围为 2.5 V 至 5.5 V，M950x0-R 的工作电源电压范围为 1.8 V 至 5.5 V，M950x0-DF 的工作电源电压范围为 1.7 V 至 5.5 V，环境温度范围为 -40℃ 至 +85℃。

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型号：AT24C256CN 编号：C7432369

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

是一款256-Kbit I²C兼容的串行EEPROM（电可擦可编程存储器）设备。设计工作在1.7V至5.5V的电源电压范围内，最大传输速率为1MHz。工作温度范围为 -40°C至 +105°C。集成了写保护引脚，用于对整个存储阵列进行硬件写保护。串行EEPROM存储器组织为512页，每页64字节，总计32768 * 8位。提供一个额外的64字节识别页，供用户存储敏感应用参数。该页在应用数据写入后可永久锁定为只读模式。还提供一个单独的存储块，包含工厂编程的128位唯一ID。该块为只读模式，可通过发送特定的读取命令进行访问。采用无铅绿色封装：DIP-8、TSSOP-8、SOP-8、MSOP-8。

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型号：HG25Q32BM/TR 编号：C7432378

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q32M/TR升级替代料，建议试样

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型号：AT25040B-SSHL-T 编号：C111443

封装：SOIC-8

的AT25010B/020B/040B提供1024/2048/4096位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256/512个字，每个字8位。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25010B/020B/040B采用节省空间的JEDEC SOIC、UDFN、TSSOP、XDFN和VFBGA封装

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型号：M24512-DFMC6TG 编号：C222237

封装：DFN-8(2x3)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，具有三条芯片使能线

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型号：GD25Q80CSIG 编号：C79073

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

8M-bit SPI FLASH ,支持2线Dual、4线Quad SPI接口

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型号：GD25Q80ESIG 编号：C2832999

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：93LC66BT-I/SN 编号：C46698

封装：SOP-8

是 4Kbit 低电压串行电可擦除 PROM（EEPROM）。字可选设备（如 93AA66C、93LC66C 或 93C66C）依赖于驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字大小。对于专用 8 位通信，有 93XX66A 设备，而 93XX66B 设备提供专用 16 位通信。先进的 CMOS 技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储应用。整个 93XX 系列有标准封装（包括 8 引脚 PDIP 和 SOIC）和先进封装（包括 8 引脚 MSOP、6 引脚 SOT-23、8 引脚 2x3 DFN/TDFN 和 8 引脚 TSSOP）。所有封装均为无铅（哑光锡）表面处理。

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型号：MX25L4006EM1I-12GTR 编号：C2803013

封装：SOP-8

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。四个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI)、串行数据输出 (SO) 和片选 (CS#)。通过 CS# 输入可启用对设备的串行访问。

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型号：MX25L3236FM2I-08Q 编号：C504701

封装：SOP-8-208mil

32Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 4,194,304 x 8。在四 I/O 模式下，结构变为 8,388,608 位 x 4；在两 I/O 模式下，结构变为 16,777,216 位 x 2。具有串行外设接口和软件特性。

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型号：BY25Q64ASSIG(R) 编号：C2686191

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

是64M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为240Mbits/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。该器件使用单一低压电源，范围从2.7V到3.6V。此外，该器件支持JEDEC标准制造商和设备ID以及三个256字节的安全寄存器。

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型号：MX25V1635FM2ITR 编号：C2802926

封装：SOP-8-208mil

特性：2.3V-3.6V用于读取、擦除和编程操作。支持唯一ID和安全一次性可编程（OTP）。支持多I/O。支持单I/O、双I/O和四I/O。支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。支持串行外设接口。模式0和模式3。 16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位（双I/O模式）结构或4,194,304 x 4位（四I/O模式）结构。每个扇区为4K字节，每个块为32K字节或每个块为64K字节

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型号：24LC256-I/SN 编号：C411625

封装：SOIC-8

24xxx256是32Kx8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备还具有高达64字节数据的页面写入能力。

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型号：AT24C16D-MAHM-T 编号：C2061409

封装：UDFN-8-EP(2x3)

AT24C16D提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23和8球VFBGA封装

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型号：MX25L8006EM1I-12G 编号：C106262

封装：SOP-8

8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：GD25B64ESIGR 编号：C6954184

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：24LC128-I/SN 编号：C92359

封装：SOIC-8

24AA128/24LC128/24FC128（24××128*）是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：MX25L4006EM1I-12G 编号：C56001

封装：SOP-8

4-Mbit(4M x 1bit/2M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：24AA32AT-I/SN 编号：C2061215

封装：SOP-8

是一款32 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个4K x 8位内存的单块，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1 μA和1 mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页面写入能力。功能地址线允许在同一总线上最多连接八个设备，提供高达256 Kbits的地址空间。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装。也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

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型号：GX2431P 编号：C472477

封装：MSOP-8

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款1024位1-Wire EEPROM芯片，由四个存储器页组成，每页256位。数据先被写入一个8字节暂存器中，经校验无误后复制到EEPROM存储器。其特点在于，四个存储器页相互独立，可以单独设置写保护或EPROM仿真模式。通过一根1-Wire总线进行通信，通信采用标准的1-Wire协议。

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型号：M24M01-RDW6TP 编号：C283500

封装：TSSOP-8

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：24CW160T-I/OT 编号：C616213

封装：SOT-23-5