东芝存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

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型号：W25N02KWZEIR 编号：C17401814

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N02KW是Winbond公司生产的2G-bit SLC NAND闪存，支持标准SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。具有低功耗、宽温度范围、高可靠性等特点。

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型号：M24M02-DWMN3TP/K 编号：C2061773

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 MHz时钟的汽车2-Mbit串行I2C总线EEPROM

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型号：IS42S32800J-7BLI-TR 编号：C2065206

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb Synchronous DRAM，支持166 MHz、143 MHz 和 133 MHz 的时钟频率。具有全同步特性，所有信号都参考时钟的上升沿。内部包含4个Bank，每个Bank为2M x 32位。支持可编程突发长度和突发顺序。支持自动刷新和自刷新模式。工作电压为3.3V ± 0.3V。

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G 编号：C5128621

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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型号：MT41K128M16JT-125 AAT:K 编号：C2909868

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据手册规格。

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型号：MR25H10CDF 编号：C246234

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟

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型号：F35SQA002G-WWT 编号：C5126829

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

F35SQA002G是一款2Gbit（256Mx8bit）的串行NAND闪存，支持标准SPI接口，最大时钟频率为104MHz。该设备具有JEDEC标准的制造商和设备ID，唯一ID，一个参数页和62个OTP页。内部1位ECC逻辑默认启用。

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型号：MX29GL512GHT2I-10G 编号：C2803140

封装：TFSOP-56-18.4mm

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：MT29F4G08ABADAWP-IT:D 编号：C20539796

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant。单级单元 (SLC) 技术。组织架构：页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 2048 块

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型号：XT26G04DWSIGA 编号：C29781635

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT26G04D是一款4G-bit (512M-byte)的SPI NAND Flash存储器，支持标准SPI、双线和四线I/O操作。该存储器具有高级写保护机制，支持单级单元(SLC)技术，具备高性能和高可靠性。它的工作电压为2.7V至3.6V，支持108MHz的高速读取速度，数据保留时间为10年。

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型号：CY62167EV30LL-45ZXIT 编号：C511152

封装：TSOP-48-12.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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型号：MT46H32M16LFBF-5 IT:C 编号：C2061960

封装：VFBGA-60(8x9)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD / VDDQ = 1.70–1.95V。每字节数据双向数据选通 (DQS)。内部流水线双倍数据速率 (DDR) 架构；每个时钟周期两次数据访问。差分时钟输入 (CK 和 CK#)

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型号：XT25W1GBSFIGA 编号：C42162957

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

1Gb，宽压，SOP16 300mil封装，工业级温度

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型号：MT41K256M16HA-CN 编号：C47127151

封装：FBGA-96(9x14)

品牌：ChipNobo(无边界)

工业级SRAM存储器

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型号：XTSDG08GWSIGA 编号：C25836657

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：XTX(芯天下)

XTX SD NAND是一种嵌入式存储解决方案，设计为WSON8或LGA8封装。支持1.8V和3.3V供电电压，符合SD 2.0接口标准，适用于大多数嵌入式应用，具有高可靠性和低功耗。

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型号：MKDV08GIL-STPB 编号：C48937377

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

8Gbit SD NAND Flash类型:pSLC,擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

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型号：MKDV16GIL-STPB 编号：C48937378

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

16Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测