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24XXX128是一款16K x 8（128 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：PY25Q256HB-SUH-IT 编号：C50201614

封装：SOP-8-208mil

品牌：PUYA(普冉)

是一款串行接口闪存设备，适用于各种基于消费的高容量应用，其中程序代码从闪存映射到嵌入式或外部 RAM 中执行。设备具有灵活的擦除架构。

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型号：XT25Q128FSSIGU-W 编号：C42162955

封装：SOP-8-208mil

128Mb，1.8V，SOP8 208mil封装，工业级温度

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型号：25LC320-I/SN 编号：C47093

封装：SOP-8

32-Kbit(4K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.5V to 5.5V

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型号：IS42S32200L-6TLI 编号：C521294

封装：TSOP-86-10.2mm

64Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，专为在3.3V内存系统中运行而设计，包含67,108,864位。其内部配置为具有同步接口的四存储体DRAM。每个16,777,216位存储体被组织为2,048行×256列×32位

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型号：24AA256UID-I/ST 编号：C619605

封装：TSSOP-8

24AA256UID是一款32K×8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，预编程有EUI - 48和EUI - 64节点地址以及一个32位唯一ID，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：ZD25Q256AYIGY 编号：C41371654

封装：DFN-8L(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,256Mbit,2.7~3.6V,DFN-8L(6x8),WSON-8-EP(6x8),Tube

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型号：MT29F1G08ABAEAWP:E 编号：C524870

封装：TSOPI-48

特性：符合开放NAND闪存接口 (ONFI) 1.0标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小x8：2112字节 (2048 + 64字节)。页面大小x16：1056字 (1024 + 32字)。块大小：64页 (128K + 4K字节)。平面大小：2个平面，每个平面512个块

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型号：XT25F256BWSIGT 编号：C2759959

封装：WSON-8-EP(6x8)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。

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型号：K4B2G1646F-BYMA 编号：C22362395

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：24FC256T-I/SN 编号：C144294

封装：SOIC-8

24FC256是一款256Kbit高速I2C EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，适用于低功耗应用，支持高达1MHz的时钟频率。

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型号：CY7C1041GN30-10ZSXIT 编号：C462529

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1041GN 是高性能 CMOS 快速静态随机存取存储器，组织形式为 256K 字×16 位。数据写入操作通过将片选信号（CE(overline)）和写使能信号（WE(overline)）输入置为低电平来执行，同时在 I/O₀ 至 I/O₁₅ 引脚上提供数据，并在 A₀ 至 A₁₇ 引脚上提供地址。高位字节使能（BHE）和低位字节使能（BLE）输入控制对指定存储单元的高字节和低字节的写操作

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型号：DS2505+T&R 编号：C2061969

封装：TO-92-2.54mm

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

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型号：IS25LP256D-JLLE 编号：C1350139

封装：WSON-8-EP(6x8)

IS25LP256D和IS25WP256D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O模式，以及标准、双输出和四输出SPI模式

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型号：XT26G01DLAIGA 编号：C29781623

封装：LGA-8(6x5)

XT26G01D 是一款 1G-bit (128M-byte) 的 SPI NAND Flash 存储器，支持标准 SPI 接口，双/四线 I/O 选项，具有高级写保护机制。

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型号：IS46TR16640C-125JBLA1 编号：C7598607

封装：TWBGA-96(9x13)

IS46TR16640C-125JBLA1是一款64Mx16 DDR3 SDRAM，支持1.5V供电，数据传输速率为1600MT/s，时序为10-10-10。适用于汽车A1等级，具有低功耗模式、自刷新模式和写入恢复时间等功能。

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型号：NT5CC128M16JR-EK 编号：C428583

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

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型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：MKSV4GCL-ABB 编号：C19633500

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

Flash类型:SLC,商业级，SPI NAND，尺寸6x8mm

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型号：IS62WV51216HBLL-45TLI 编号：C7211338

封装：TSOPII-44

IS62/65WV51216HALL/BLL是高速、低功耗的8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用ISSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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型号：CY62148EV30LL-45ZSXI 编号：C2959462

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是高性能CMOS静态RAM，组织为512K字×8位。该设备采用先进的电路设计，可提供超低工作电流，非常适合在便携式应用（如手机）中提供更长的电池续航时间。该设备还具有自动掉电功能，可显著降低功耗。当设备被取消选择（CE为高电平）时，将其置于待机模式可使功耗降低99%以上

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￥35.82
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型号：MT25QU256ABA8E12-1SIT 编号：C2061023

封装：TPBGA-24(6x8)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

1+
￥36.18
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型号：MT25QL256ABA8E12-1SIT 编号：C598832

封装：TPBGA-24

特性：- SPI兼容串行总线接口，支持单传输速率和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议最高133 MHz，DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，STR和DTR均支持。即插即用（XIP）。编程/擦除暂停操作

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￥41.01
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￥32
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型号：XT27G04ATSIGA 编号：C42162959

封装：TSOP-48

XT27G04A 是一个 3.3V 4 Gbit 的并行 SLC NAND 闪存，支持 8 位 ECC，组织方式为 (4096+256) 字节 × 64 页 × 2048 块。该设备具有两个 4352 字节的静态寄存器，用于在寄存器和存储单元之间传输数据。

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G TR 编号：C41881

封装：TSOP-54-400mil

特性：PC100和PC133兼容。完全同步；所有信号在系统时钟的正沿寄存。内部流水线操作；列地址可以每个时钟周期更改。内部存储体用于隐藏行访问/预充电。可编程突发长度：1、2、4、8或整页。自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式。自刷新模式（AAT设备不可用）。自动刷新：64ms，8192周期（商业和工业）；16ms，8192周期（汽车）。 LVTTL兼容输入和输出。单3.3V±0.3V电源。 AEC-Q100 PPAP提交。 8D响应时间

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型号：XT26Q04DWSIGA 编号：C7429717

封装：SON-8-EP(6x8)

工业级 XT26Q04D是一款4G位（512MB）的SPI（串行外设接口）NAND闪存，具备先进的写保护机制。XT26Q04D支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O选项。

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￥54.36
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￥46.21
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￥41.25
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￥37.08

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型号：SST39VF6401B-70-4C-EKE 编号：C11321

封装：TSOP-48-18.4mm