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封装：SOIC-8

CAT93C66是一款4 kb的CMOS串行EEPROM器件，可配置为256个16位寄存器（ORG引脚接VCC）或512个8位寄存器（ORG引脚接GND）。通过DI（或DO）引脚可对每个寄存器进行串行写入（或读取）操作。该器件具备顺序读取和带自动清除功能的自定时内部写入特性

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型号：M24C16-DRMN3TP/K 编号：C2061039

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级16 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：93LC56BT-I/SN 编号：C6164

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：IS25LP080D-JBLE-TR 编号：C2061030

封装：SOP-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP080D和IS25WP080D/040D/020D串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下仍具备高度的灵活性和出色的性能。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式。该器件支持双I/O和四I/O，以及标准、双输出和四输出SPI

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型号：CAT24M01WI-GT3-TUDI 编号：C36533664

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

CAT24M01是一款1Mb I2C EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准、快速和快速增强I2C协议，具有256字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，100万次擦写寿命，100年数据保留时间。

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型号：M95M01-RMN6TP-TUDI 编号：C41355576

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M95M01是一款1Mbit（131,072x8）的串行SPI接口EEPROM，支持高速时钟，兼容SPI总线协议，具有硬件保护功能和增强的ESD保护。工作电压为2.8V至5.5V，写周期时间为8ms，数据保留时间超过40年，写周期寿命超过1,000,000次。

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型号：AT21CS01-STUM10-T 编号：C616192

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT21CS01/AT21CS11是一款双引脚存储器（SI/O和接地引脚），它可从SI/O引脚获取能量，为集成电路供电。该器件提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），以128个8位字的形式组织。该器件经过优化，可通过两点机械连接在无电源附件中添加配置和使用信息，这种连接方式仅将一个信号（SI/O）和接地端引入无电源附件

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型号：IS25LP016D-JKLE 编号：C1350237

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存存储器以精简引脚封装形式，提供了一种兼具高度灵活性与高性能的通用存储解决方案。该闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成的4线SPI接口进行访问，这些引脚也可配置为多I/O模式

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型号：AT93C86A-10SU-2.7-T 编号：C6508

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

当 ORG 引脚连接到 Vcc 时，AT93C86A 提供 16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 1024 个 16 位字；当该引脚接地时，则为 2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有重要要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C86A 提供节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 JEDEC SOIC、8 引脚 MAP 和 8 引脚 TSSOP 封装

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型号：M24C08-DRDW3TP/K 编号：C2965398

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级8 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：W25Q16JVUUIQ 编号：C571259

封装：USON-8(3x4)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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型号：GT22L16A2Y 编号：C515674

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

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型号：25LC080AT-I/SN 编号：C2061506

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC080A/B是8Kbit的串行EEPROM，通过SPI接口访问，支持16字节页面写操作，具有100万次擦写寿命和超过200年的数据保持能力。

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型号：CAV24C128WE-GT3 编号：C605350

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C128 是一款 EEPROM 串行 128-Kb I2C - 汽车级，内部组织为 16,384 个词，每个词 8 位。它具有 64 字节页写入缓存，支持 Standard (100?kHz)、Fast (400?kHz) 和 Fast-Plus (1?MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：M24512-RMN6P 编号：C1349691

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512Kbit (64Kbyte) 的I2C串行访问EEPROM，支持1 MHz的时钟频率，工作电压范围为1.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，具有超过4百万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。

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型号：AT45DB021E-SSHN-T 编号：C161752

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

2-Mbit(256K x 8bit)，SPI接口，工作电压：1.65V to 3.6V

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型号：11LC010T-E/TT 编号：C2062073

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量范围从 1 Kbit 到 16 Kbit 的串行电可擦除 PROM。这些器件以 8 位存储器块的形式组织，并支持获得专利的单输入/输出 UNI/O⊕ 串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为一个单串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

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型号：AT45DB081E-SSHN-T 编号：C81940

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

8Mbit 133MHz 1.7V-3.6V SPI

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型号：25AA040AT-I/OT 编号：C144218

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：AT24CS02-STUM-T 编号：C2060969

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为128×8（1K）或256×8（2K）。 128位唯一工厂编程序列号。永久只读值

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型号：24CW640T-I/OT 编号：C616215

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

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型号：24LC64-I/P 编号：C16472

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：GT22L16M1Y 编号：C126758

封装：SOP-16

品牌：GENITOP(高通)

GT22L16M1Y是一款16x16点阵字库芯片，支持GB18030国标汉字（同时支持UNICODE编码）。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GT24L24A2Y16 编号：C515657

封装：TDFN-8-EP(2x3)

品牌：GENITOP(高通)

GT24L24A2Y16是一款16、24点阵字库芯片，支持GB18030国标简体汉字、BIG5繁体、JIS0208日文字符集、KSC5601韩文字符集及其它多国字符集并均兼容Unicode。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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型号：GD25B32ES2GR 编号：C25960595

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：W25Q16JVZPIQ 编号：C377853

封装：WSON-8(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

16兆 3.3V spi nor flash

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型号：AT24C16C-STUM-T 编号：C2061175

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C16C提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为2048个8位字。该器件针对低功耗和低电压运行至关重要的众多工业和商业应用进行了优化。该器件提供节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8引脚PDIP、5引脚SOT23、8球VFBGA和8焊盘XDFN封装

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型号：CAT24C512HU5IGT3 编号：C153773

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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