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封装：SOP-8-208mil

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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型号：M24C16-WMN6P 编号：C283443

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M24C16是一款16Kbit I2C兼容的EEPROM，支持400kHz I2C总线模式。该器件在不同工作电压范围内具有不同的特性，包括2.5V至5.5V、1.8V至5.5V和1.6V至1.7V。所有器件都支持400kHz的时钟频率。

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型号：93LC86CT-I/SN 编号：C2061401

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

16K位低压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。像93XX86C这样的字可选器件，需依靠驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。93XX86A器件采用专用8位内存架构，而93XX86B器件采用专用16位内存架构

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型号：AT24LC512CM/TR 编号：C42391465

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

512-Kbit I²C-compatible Serial EEPROM

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型号：CAV24C02WE-GT3 编号：C154828

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C - 汽车级器件，内部组织为 16 页，每页 16 个字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议，也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为：提供开始地址，然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中，然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为：提供开始地址，然后以顺序移出数据，同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多八个 CAV24C02 器件的寻址。

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型号：AT25020B-SSHL-T 编号：C2061419

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：兼容串行外设接口 (SPI)，支持SPI模式0 (0,0) 和3 (1,1)。低电压操作：1.8V (Vcc = 1.8V至5.5V)。工业温度范围：-40℃至+85℃。 20 MHz时钟速率 (5V)。 8字节页面模式。块写保护：可保护1/4、1/2或整个阵列。写保护 (WP) 引脚和写禁用指令，用于硬件和软件数据保护。自定时写周期，最长5 ms。 ESD保护 < 4000V。高可靠性: -耐久性：1000000次写循环。 -数据保留：100年。环保（无铅/无卤化物/符合RoHS标准）封装选项。裸片销售选项：晶圆形式和凸点晶圆

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型号：24AA08T-I/OT 编号：C144178

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08/24LC08B（24xx08*）是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256 x 8 位的存储块组成，具备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

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型号：BR24G1MFJ-5AE2 编号：C6516030

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

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型号：93LC56BT-I/SN 编号：C6164

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93XX56A/B/C 器件是 2Kbit 低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。像 93AA56C、93LC56C 或 93C56C 这类字可选器件，依靠驱动 ORG 引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用 8 位通信，可选用 93XX56A 器件；而 93XX56B 器件则提供专用 16 位通信

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型号：24AA02UIDT-I/OT 编号：C511274

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 2 Kbit 电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该设备由两个 128×8 位存储块组成，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至 1.7V 的电压下工作，最大待机和工作电流分别仅为 1 μA 和 1 mA。还具备最多 8 字节数据的页写入能力（24AA025UID 为 16 字节）。有标准 8 引脚 PDIP、8 引脚 SOIC、5 引脚 SOT-23 和 6 引脚 SOT-23 封装。

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型号：MX25L1006EMI-10G 编号：C71944

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

1-Mbit(1M x 1bit/500K x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：24LC256-I/SN 编号：C411625

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx256是32Kx8（256 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内运行。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备还具有高达64字节数据的页面写入能力。

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型号：M95080-DRMN8TP/K 编号：C2061229

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

M95080-DRMN8TP/K 是一款8 Kbit (1 Kbyte) 的EEPROM，支持串行SPI总线接口，可在高达105°C的温度下工作。具有高速时钟频率（最高20 MHz），短写周期时间（4 ms），以及4百万次写周期寿命。

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型号：M24256-DFMN6TP 编号：C2970055

封装：SO-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

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型号：BQ2022ALPR 编号：C1349491

封装：TO-92-3

品牌：TI(德州仪器)

BQ2022A是一款1Kb串行EPROM，其中包含出厂设定的唯一64位识别号、8位CRC生成以及8位系列代码。该器件具有单线接口，可减少电路板布线，支持同步通信，减少主机中断开销，无需待机功耗。采用3引脚SOT-23封装和TO-92封装。

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型号：AT45DB081E-SHN-T 编号：C226096

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

8Mb（264 字节 x 4096 页）,1.7 V ~ 3.6 V,SPI接口,85MHz

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型号：W25X10CLSNIG 编号：C56210

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

1-Mbit(128K x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.3V to 3.6V

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型号：W25X10CLUXIG 编号：C2895612

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25X10CL（1M 位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用，以及存储语音、文本和数据

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型号：IS25LP032D-JBLE 编号：C2841347

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D 和 IS25WP032D 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它采用引脚数量精简的封装，具备高度的灵活性和出色的性能。该产品适用于对空间、引脚数量和功耗要求严苛的系统。该器件通过 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

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型号：AT24C04C-PUM 编号：C8811

封装：DIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并可通过两线串行接口访问

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型号：25AA02E48T-I/OT 编号：C145570

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA02E48是一款2Kbit SPI总线串行EEPROM，预编程有全球唯一的48位节点地址，支持EUI-48标准。工作电压范围为1.8V至5.5V，最大时钟频率为10MHz。

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型号：XT25Q64FWOIGT 编号：C29781638

封装：WSON-8-EP(6x5)

品牌：XTX(芯天下)

64Mbit 1.8V SPI NOR Quad I/O

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型号：MD25Q128SIG 编号：C2832662

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：M95M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C41355575

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M95M02是一款2Mbit（256K字节）的串行SPI总线EEPROM，具有页大小为256字节，支持字节写入和页写入操作。工作电压为2.8V至5.5V，时钟频率最高可达5MHz，具有超过400万次的写周期寿命和超过200年的数据保留时间。提供多种封装选项，包括SO8和WLCSP8。

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型号：AT24CS32-STUM-T 编号：C147891

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT24CS32提供32,768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为4,096个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT24CS32有节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN和5引脚SOT23封装可供选择，并通过两线串行接口进行访问

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型号：FM24C16B-GTR 编号：C66016

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24C16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。支持100万亿次读写操作，数据保留时间长达151年。支持最高1 MHz的I2C接口。

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型号：GD25LQ32ESIGR 编号：C2928890

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：FM24CL16B-G 编号：C2953561

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

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型号：CAT24C512HU5IGT3 编号：C153773

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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型号：W25Q128FVSIG 编号：C571265

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和功率有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码 (XIP) 以及存储语音、文本和数据。该器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作，工作电流低至 4mA，掉电电流低至 1μA。

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