东芝存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MX25L6406EM2I-12G 编号：C60525

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

64-Mbit(64M x 1bit/32M x 2bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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1+
￥11.38
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型号：GD25B256DFIGR 编号：C2904423

封装：SOP-16-300mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B256D（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2和I/O3。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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1+
￥14.08
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型号：MKDV1GCL-ABG 编号：C42381020

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C4速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。MKDV1GCL-ABA的升级款，擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥15.39 ￥16.2
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型号：GD25LQ128ESIGR 编号：C2927797

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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1+
￥15.68
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型号：IS25LP128F-JBLE 编号：C2980247

封装：SOIC-8-208mil

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP128F 和 IS25WP128F 串行闪存为用户提供了一种灵活的存储解决方案，它具有高度的灵活性和高性能，且采用引脚数量简化的封装。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多 I/O 模式。该器件支持双 I/O 和四 I/O 模式，以及标准、双输出和四输出 SPI 模式

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￥15.89
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型号：DS28EC20+T 编号：C596397

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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型号：MKDV2GCL-ABB 编号：C7500177

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级选型推荐2Gbit,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV2GCL-AB升级款,SLC,商业级，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥20.254 ￥21.32
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￥17.2995 ￥18.21
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￥15.542 ￥16.36
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型号：FM25V01A-GTR 编号：C2684782

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V01A是一款128-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用16K x 8的逻辑组织方式。它支持高速SPI接口，最高时钟频率可达40 MHz，具备高耐久性和低功耗特性，适用于需要频繁写入的应用场景。

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1+
￥20.35
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型号：ZDSD01GLGEAG 编号：C2830323

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，1Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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1+
￥21.45
10+
￥18.55
30+
￥16.83
100+
￥13.48
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960+
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型号：SST39LF400A-55-4C-EKE 编号：C637379

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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1+
￥26.5728 ￥41.52
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￥26.1184 ￥40.81
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型号：XT27G02BTSIGA 编号：C20417424

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G02B 是一款单通道 3.3V、2Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×2048 块。该器件有两个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

1+
￥27.75
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￥26.5
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￥25.73
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￥25.09

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型号：MKDV2GCL-ABG 编号：C42381021

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C6速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。MKDV2GCL-ABB的升级款，擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥29.3075 ￥30.85
10+
￥25.023 ￥26.34
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￥22.4865 ￥23.67
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￥18.7245 ￥19.71
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￥18.1925 ￥19.15

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型号：W632GU6NB-09 编号：C2641275

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

W632GU6NB 是一个 2G 位的 DDR3L SDRAM，组织为 16,777,216 字 x 8 banks x 16 位。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。这些速度等级支持 0°C ≤ TCASE ≤ 95°C 的工作温度范围。

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1+
￥35.3
10+
￥30.29
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￥27.24
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￥24.68

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型号：MKDV4GCL-ABG 编号：C42381022

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 更快随机读写速度等,兼容SPI模式，SD一线式和四线式；具有C10速度等级，商业级，采用SLC（单层单元）闪存类型。擦写寿命(P/E) 10万次，通过了一万次的随机断电测试，确保了其可靠性。内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥35.302 ￥37.16
10+
￥30.742 ￥32.36
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￥27.968 ￥29.44
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￥25.6405 ￥26.99

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型号：W25Q512JVFIM 编号：C2641168

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥39.12
10+
￥34.07
30+
￥31.07

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型号：CY7C1011DV33-10ZSXI 编号：C1349125

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1010DV33 是一款高性能 CMOS 静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 256K 字×8 位。通过低电平有效的片选信号（CE）、低电平有效的输出使能信号（OE）和三态驱动器，可轻松实现存储器扩展。向该器件写入数据时，需将片选信号（CE）和写使能信号（WE）置为低电平

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1+
￥45.34
10+
￥39.24
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￥35.52

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型号：K4A4G165WE-BCRC 编号：C2803250

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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1+
￥56.1
10+
￥50.1
30+
￥46.45

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型号：F35SQB002G-WWT 编号：C49297080

封装：WSON-8(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

是一款2G位（256Mx8bit）的串行NAND闪存，工作在单一3.3V VCC上。该设备支持标准串行外设接口（SPI）、双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据SIO0（DI）、SIO1（DO）、SIO2（WP#）和SIO3（HOLD#）。支持JEDEC标准制造商和设备ID、唯一ID、一个参数页和62个OTP页。芯片内有一个内部8位ECC逻辑，默认启用。内部ECC可以通过命令禁用或启用。