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封装：BGA-200(10x15)

特性：VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V)。VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17)。VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI)。单数据速率架构用于命令和地址；所有控制和地址在时钟上升沿锁存

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型号：MX25L8006EM1I-12G 编号：C106262

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

8-Mbit( 8 x 1bit/4 x 2bit)，工作电压：2.7V to 3.6V

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型号：IS25LP032D-JNLE-TR 编号：C2063103

封装：SOIC-8

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP032D和IS25WP032D串行闪存为用户提供了一种通用存储解决方案，该方案在简化引脚封装的情况下，仍具有高度的灵活性和出色的性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多I/O接口

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型号：MX25U12832FZNI02 编号：C2802861

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压为1.65至2.0伏。134,217,728 x 1位结构或67,108,864 x 2位（双I/O模式）结构或33,554,432 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从-1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。SPI模式快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

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型号：M95M02-DRMN6TP 编号：C915963

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Mbit串行SPI总线EEPROM

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型号：25AA1024T-I/SM 编号：C2653525

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款1024 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。通信可以通过保持引脚（HOLD）暂停。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装，包括8引脚PDIP和SO/L，以及先进的8引脚DFN封装。所有设备都符合RoHS标准。

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型号：DS24B33+ 编号：C1523890

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1-Wire4KbEEPROM、通过单个触点为电缆、传感器轻松添加EEPROM，非易失存储校准数据

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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

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型号：W25Q128JWBAQ 编号：C52993625

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

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型号：MX30LF1G18AC-TI 编号：C128679

封装：TSOPI-48

品牌：MXIC(旺宏电子)

1Gb (128M x 8)

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型号：W631GG6MB-12 编号：C408825

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

W631GG6MB 是 1G bits 的 DDR3 SDRAM，组织方式为 8,388,608 words × 8 banks × 16 bits。该设备支持最高传输速率可达 2133 MT/s (DDR3-2133)，适用于各种应用。该设备分为以下速度等级：-09, -11, -12, -15, 09l, 11l, 12l, 15l, 09J, 11J, 12J 和 15J。其中，12 工业级支持 0°C 至 95°C。

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型号：XT25Q512FSFIGA 编号：C42165006

封装：SOP-16-300mil

品牌：XTX(芯天下)

512Mb，1.8V,SOP16 300mil封装，支持1bit Corrected/every 8-Byte，支持 Program Strong，速度最高支持 133MHz，DTR 80MHz

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型号：IS43TR16128BL-125KBLI 编号：C2977983

封装：BGA-96(13x9)

品牌：ISSI(美国芯成)

特性：标准电压：VDD 和 VDDQ = 1.5V ± 0.075V。低电压 (L)：VDD 和 VDDQ = 1.35V + 0.1V,-0.067V。向后兼容 1.5V。高速数据传输速率，系统频率高达 1066 MHz。 8 个内部存储体用于并发操作。 8n 位预取架构

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型号：GD5F1GQ5REYIGR 编号：C2927042

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GigaDevice SPI-NAND GD5F1GQ5REYIGR 是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双、四线SPI及DTR模式。具有低功耗、高可靠性、内部ECC等功能，适用于嵌入式系统。

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型号：K4B2G1646F-BCMA 编号：C3002777

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MT25QU128ABA1ESE-0SIT 编号：C2653519

封装：SO-8

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高166 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

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型号：ZDSD02GLGEAG 编号：C2875853

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，2Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

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型号：GD5F2GM7REYIGR 编号：C23706308

封装：WSON-8(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：CY62167DV30LL-55ZXIT 编号：C2956479

封装：TSOP-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167DV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字×16-Bit。该设备具有超低功耗特性，适用于便携式设备，如手机。它支持自动断电功能，当未选中时可显著降低功耗。

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型号：GD5F2GM7UEWIGR 编号：C24733363

封装：WSON-8(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：W634GU6RB-09 编号：C33031009

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：K4A4G165WG-BCWE 编号：C49260570

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：CY14B101NA-ZS45XIT 编号：C2932413

封装：TSOP-44

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY14B101NA 是一款快速静态RAM (SRAM)，每个存储单元都包含一个非易失性元素。该存储器组织为128K字节的8-Bit或64K字的16-Bit。非易失性元素采用QuantumTrap技术，提供20年的数据保留时间。支持无限次读写和RECALL操作，最多支持1百万次STORE操作。

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

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型号：MKDN256GCL-ZC 编号：C52753985

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:TLC, 256Gbit(32GByte),工作温度 -25°C to +85°C，广泛适配在各大MCU平台上；支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：K4A8G165WC-BIWE 编号：C2920134

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKEMF032GT1E-C 编号：C22374386

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,32GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°,CLDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

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型号：FEMDNN064G-C9A61 编号：C49284704

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：FORESEE(江波龙)

特性：eMMC 5.1 规格兼容性：JEDEC 标准编号 JESD84-E51A，向后兼容 eMMC4.41/4.5/5.0。工作电压范围:VCC（NAND）：2.7 ~ 3.6V。VCCQ（控制器）：1.7 ~ 1.95V / 2.7 ~ 3.6V。总线模式:先进的 12 信号接口，包括 8 线 DATA、CLK、CMD、RSTN、DS

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