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封装：TSOPII-54-10.2mm

IS42S16400J是一款64Mb同步动态随机存取内存(SDRAM)，具有1兆位x16位x4个bank的组织结构，支持全同步操作，所有信号都参考正时钟边缘。工作频率为143MHz，单3.3V电源供电，LVTTL接口。可编程突发长度，内部bank用于隐藏行访问/预充电时间，具备自动刷新模式和低功耗模式。

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型号：APS6404L-3SQN-SN 编号：C3028887

封装：SOP-8L

品牌：Apmemory

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型号：GD25Q256DYIGR 编号：C2758337

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q256D（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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型号：23LC512-I/ST 编号：C219763

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术，支持无限次读写，零写入时间，以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

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型号：SST26VF064BT-104I/SM 编号：C2653524

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

Serial Quad I/O (SQI) 系列闪存设备具有六线、4位 I/O 接口，可在低引脚数封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口 (SPI) 协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。

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型号：GD25Q256EBIRY 编号：C2982798

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q256E（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速率为266Mbit/s，四I/O数据传输速率为532Mbit/s。

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型号：ZDSD04GLGIAG 编号：C5349318

封装：LGA8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：EPCQ4ASI8N 编号：C569021

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

EPCQ4ASI8N是用于FPGA配置的串行存储器，采用8引脚小外形集成电路封装(SOIC)，符合JEDEC MS-012标准。

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型号：DS1972-F5+ 编号：C5209391

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

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型号：MT25QU256ABA1EW7-0SIT 编号：C2063145

封装：WPDFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：XT61M2G8D2TA-B8BEA 编号：C558831

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M2G8D2TA-B8BxX 是一款多芯片封装存储器，结合了2Gb (256M x 8) NAND Flash和2Gb (64M x 32) Low Power DDR2 SDRAM。NAND Flash提供了高密度非易失性存储解决方案，而LPDDR2 SDRAM则适用于需要大容量快速存储的应用场景。

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型号：MKDN032GCL-AD 编号：C52754172

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥61.807 ￥65.06
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型号：K4A4G165WF-BCTD 编号：C2803249

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKDN064GCL-AD 编号：C52754173

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 64Gbit(8GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：AT25M02-SSHM-T 编号：C2061882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25M02提供2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备提供1.7V至5.5V或2.5V至5.5V的工作电压。

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型号：FM22L16-55-TG 编号：C66024

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM，支持页模式操作，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

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型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-14.0mm

品牌：micron(镁光)

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

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型号：MKDV08GCL-STP 编号：C19192126

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐;广泛适配在各大MCU平台上；尺寸6.6x8mm。支持SD2.0,-25°C to +85°C，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

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型号：CY14B256LA-SZ45XIT 编号：C2951972

封装：SOIC-32

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

的CY14B256LA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织形式为32K字节，每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

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型号：FEMDRW008G-88A39 编号：C3249966

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C5821038

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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型号：CY7C1381KV33-133AXI 编号：C914902

封装：TQFP-100

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1381KV33-133AXI 是一款支持133 MHz总线操作的3.3V 512K x 36 和 1M x 18 流通SRAM，具有ECC功能，用于减少软错误率。

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型号：K4AAG165WA-BCTD 编号：C2920139

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：SL24C08D 编号：C5155393

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C08D是一款1024x8位电可擦除PROM，采用两线串行接口，工作电压范围为1.8V~5.5V，具有页写能力，每页16字节。支持多种封装形式，包括SOP-8、DIP-8和SOT-23-5。具有低功耗待机模式，擦写寿命为100万次，数据保持时间为100年。

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型号：ZD25WD20BKIGR 编号：C3646779

封装：USON-6(1.2x1.2)

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,USON-6(1.2x1.2),Tape&Reel

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型号：AT24C16-TD 编号：C42421828

封装：SOP-8

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

电可擦除PROM，采用256/512/1024/2048/4096/8192×8-bit的组织结构以及两线串行接口。电压可允许低至1.8V，待机电流和工作电流分别为1μA和1mA。具有页写能力，每页分别为8/16/16/16/32/32字节。具有8-pin PDIP和8-pin SOP和5-pin SOT三种封装形式。

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￥0.3712
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￥0.3628
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型号：HG24C02M/TR 编号：C7432098

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M/TR提供2048位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为256个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。支持I2C（2-wire）接口，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

10+
￥0.3725
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￥0.2957
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￥0.2573
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￥0.2285
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￥0.2055
10000+
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型号：HK24C16HA-USR-B 编号：C33576252

封装：SOP-8

品牌：HK(航顺)

HK24C16HA-USR-B是一款16Kbit (2048 x 8)的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，工作电压范围为1.8V至5.5V，支持16字节页写模式，具有自定时写周期（最大5ms），1MHz (5V)和400kHz (1.8V, 2.5V, 2.7V)兼容性，工业温度范围（-40°C至85°C），100年数据保留时间，1,000,000次写周期寿命。

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￥0.207
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型号：HG24C02CM/TR 编号：C7432361

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C02M/TR升级替代料，建议试样，HG24C02C是一款2-Kbit I2C兼容串行EEPROM，工作电压范围为1.7V至5.5V，最高传输速率为1MHz，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，可提供高达2,000,000次写周期寿命和200年的数据保留时间。

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