三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

是一款采用先进铁电工艺的16-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，该产品以总线速度执行写操作，不会产生写延迟

1+
￥9.65
10+
￥8.13
30+
￥7.3
100+
￥5.92
500+
￥5.5
1000+
￥5.32

有货

立即购买

型号：FM24C04B-GTR 编号：C9826

封装：SOIC-8

4-Kbit(512 × 8bit)，I2C接口，工作电压：5V

数据手册

1+
￥9.74
10+
￥8.16
30+
￥7.29
100+
￥6.31
500+
￥5.35
1000+
￥5.15

有货

立即购买

型号：CAT25M02VI-GT3-TUDI 编号：C41355581

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT25M02/CAT25M02是一款2M位（262,144 x 8位）的串行外围接口（SPI）EEPROM，具有2.8V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为55MHz，数据保留时间为100年，写周期寿命为1百万次。

1+
￥17.5465 ￥18.47
10+
￥15.0005 ￥15.79
30+
￥13.49 ￥14.2
100+
￥11.9605 ￥12.59
500+
￥11.2575 ￥11.85
1000+
￥10.9345 ￥11.51

有货

立即购买

型号：GD25Q256DYIGR 编号：C2758337

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q256D（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

数据手册

1+
￥19.8
10+
￥17.76
30+
￥16.48

有货

立即购买

型号：23LC512-I/ST 编号：C219763

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC512 是一款 512Kbit 的 SPI 串行 SRAM，支持 SDI 和 SQI 接口。该器件采用低功耗 CMOS 技术，支持无限次读写，零写入时间，以及 64K x 8 -Bit组织结构。工作电压范围为 2.5-5.5V，支持工业温度范围（-40°C 至 +85°C）。

数据手册

1+
￥24.16
10+
￥20.56
30+
￥18.41
100+
￥16.25

有货

立即购买

型号：MT47H64M16NF-25E:M 编号：C367427

封装：FBGA-84(8x12.5)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

数据手册

1+
￥27.91
10+
￥24.06
30+
￥21.78
100+
￥19.47
500+
￥18.41

有货

立即购买

型号：GD25Q256EBIRY 编号：C2982798

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q256E（256M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#/RESET#）。双I/O数据传输速率为266Mbit/s，四I/O数据传输速率为532Mbit/s。

1+
￥33.11
10+
￥28.42
30+
￥25.63
100+
￥22.81

有货

立即购买

型号：ZDSD04GLGIAG 编号：C5349318

封装：LGA8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，工业级（ -40℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥33.58
10+
￥28.87
30+
￥25.99
100+
￥21.67

有货

立即购买

型号：EPCQ4ASI8N 编号：C569021

封装：SOIC-8

品牌：Intel/Altera

EPCQ4ASI8N是用于FPGA配置的串行存储器，采用8引脚小外形集成电路封装(SOIC)，符合JEDEC MS-012标准。

数据手册

1+
￥33.93
10+
￥29.01
30+
￥26.01

有货

立即购买

型号：DS1972-F5+ 编号：C5209391

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

1+
￥34.9932 ￥53.02
10+
￥34.4058 ￥52.13
30+
￥32.4984 ￥49.24
100+
￥32.1024 ￥48.64

有货

立即购买

型号：MT29F4G08ABADAWP:D 编号：C78135

封装：TSOPI-48

Flash 4GBIT

数据手册

1+
￥40.59
10+
￥35.88
30+
￥33.01

有货

立即购买

型号：MT41K256M8DA-125 IT:K 编号：C2063887

封装：FBGA-78(8x10.5)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V 中心端接推挽式 I/O。差分双向数据选通。 8n 位预取架构

数据手册

1+
￥41.4
10+
￥36.79
30+
￥33.98
100+
￥31.62

有货

立即购买

型号：XT61M2G8D2TA-B8BEA 编号：C558831

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M2G8D2TA-B8BxX 是一款多芯片封装存储器，结合了2Gb (256M x 8) NAND Flash和2Gb (64M x 32) Low Power DDR2 SDRAM。NAND Flash提供了高密度非易失性存储解决方案，而LPDDR2 SDRAM则适用于需要大容量快速存储的应用场景。

数据手册

1+
￥59.87
10+
￥57.38
30+
￥55.87
100+
￥49.59

有货

立即购买

型号：MKDN032GCL-AD 编号：C52754172

封装：LGA-16(9x12.5)

SD NAND 32Gbit(4GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥61.807 ￥65.06
10+
￥53.257 ￥56.06
30+
￥48.051 ￥50.58
100+
￥43.681 ￥45.98

有货

立即购买

型号：MKDN064GCL-AD 编号：C52754173

封装：LGA-16(9x12.5)

SD NAND 64Gbit(8GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥67.83 ￥71.4
10+
￥58.4535 ￥61.53
30+
￥52.7345 ￥55.51
100+
￥47.937 ￥50.46

有货

立即购买

型号：MKEMC008GT2M-C 编号：C6152614

封装：BGA-153(7.5x9)

8GB eMMC 小封装 7.5x9mm,符合智能穿戴及IoT产品的小型化的需求

1+
￥71.5255 ￥75.29
10+
￥68.1435 ￥71.73
30+
￥62.2915 ￥65.57
100+
￥57.1805 ￥60.19

有货

立即购买

型号：AT25M02-SSHM-T 编号：C2061882

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25M02提供2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备提供1.7V至5.5V或2.5V至5.5V的工作电压。

数据手册

1+
￥82.22
10+
￥71.14
30+
￥64.38
100+
￥58.72

有货

立即购买

型号：FM22L16-55-TG 编号：C66024

封装：TSOPII-44-10.2mm

FM22L16是一款256K x 16的非易失性F-RAM存储器，支持高速读写操作，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件兼容SRAM，支持页模式操作，工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至+85°C。

数据手册

1+
￥83.87
10+
￥73.41
30+
￥66.65
135+
￥60.75

有货

立即购买

型号：MT28EW01GABA1LJS-0SIT 编号：C2064354

封装：TSOP-56-14.0mm

特性：单级单元（SLC）工艺技术。密度：1Gb。电源电压：VCC(overline) = 2.7–3.6V（编程、擦除、读取）；VCCQ(overline) = 1.65-VCC（I/O 缓冲器）。异步随机/页面读取。页面大小：16 字或 32 字节。页面访问：20ns

1+
￥94.47
10+
￥90.92
30+
￥84.78

有货

立即购买

型号：MKDV08GCL-STP 编号：C19192126

封装：LGA-8(6.6x8)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐;广泛适配在各大MCU平台上；尺寸6.6x8mm。支持SD2.0,-25°C to +85°C，C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥100.719 ￥106.02
10+
￥96.197 ￥101.26
30+
￥88.3595 ￥93.01
100+
￥81.529 ￥85.82

有货

立即购买

型号：H5AN8G6NCJR-VKC 编号：C2803261

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是 8Gb CMOS 双数据速率 IV (DDR4) 同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，非常适合需要大存储密度和高带宽的主存储器应用。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在 CK 的上升沿锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在其上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行 8 位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥119.13
10+
￥114.47
30+
￥98.24

有货

立即购买

型号：MT47H128M16RT-25E:C 编号：C46795

封装：FBGA-84(9x12.5)

特性：VDD = 1.8V±0.1V，VDDQ = 1.8V±0.1V。 JEDEC标准1.8V I/O（SSTL_18兼容）。差分数据选通（DQS，DQS#）选项。 4n位预取架构。 x8的重复输出选通（RDQS）选项。 DLL使DQ和DQS转换与CK对齐。 8个内部存储体用于并发操作。可编程CAS延迟（CL）。后置CAS附加延迟（AL）。写入延迟 = 读取延迟-1 tCK。可编程突发长度：4或8。可调数据输出驱动强度。 64ms，8192周期刷新。片上终端（ODT）。工业温度（IT）选项。符合RoHS标准。支持JEDEC时钟抖动规范

数据手册

1+
￥130.67
10+
￥125.03
30+
￥104.68
100+
￥96.16

有货

立即购买

型号：CY14B256LA-SZ45XIT 编号：C2951972

封装：SOIC-32

的CY14B256LA是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），每个存储单元都包含一个非易失性元件。该存储器组织形式为32K字节，每字节8位。嵌入式非易失性元件采用了量子阱（QuantumTrap）技术

1+
￥175.45
30+
￥166.75

有货

立即购买

型号：FEMDRW008G-88A39 编号：C3249966

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

数据手册

1+
￥188
10+
￥181.61
30+
￥142.14
100+
￥132.48

有货

立即购买

型号：CY7C1381KV33-133AXI 编号：C914902

封装：TQFP-100