三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOIC-16-300mil

特性：CMOS 3.0伏核心,具有通用I/O。SPI支持多I/O。SPI时钟极性和相位模式0和3,支持DDR选项。扩展寻址:24位或32位地址选项。串行命令集和引脚布局与S25FL A、S25FL K和S25FL P SPI系列兼容。多I/O命令集和引脚布局与S25FL P SPI系列兼容

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型号：MKDV2GCL-AB 编号：C2686056

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

MK SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于商业标准的 SD 卡，由 NAND 闪存和高性能控制器组成，支持高达 50 MHz 的时钟频率，支持 SPI 模式，写入速度最高可达 Class 6，封装尺寸为 6x8mm。工作电压为 3.3V，工作温度范围为 -25°C 至 85°C。

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型号：S25FL256SAGNFI000 编号：C914933

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

特性：CMOS 3.0 伏核心，具备通用 I/O。 SPI 支持多 I/O。 SPI 时钟极性和相位模式 0 和 3，具备 DDR 选项。扩展寻址：24 位或 32 位地址选项。串行命令集和引脚布局与 S25FL-A、S25FL-K 和 S25FL-P SPI 系列兼容。多 I/O 命令集和引脚布局与 S25FL-P SPI 系列兼容

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型号：DS1972-F5+ 编号：C5209391

封装：-

品牌：ADI(亚德诺)

iButton1024位EEPROM、 EPROM仿真模式，用于保护数据不被意外擦除

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型号：MR25H10CDF 编号：C246234

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：Everspin

MR25H10是一款1,048,576位磁阻随机存取存储器（MRAM）器件，其组织形式为131,072个8位字。MR25H10提供与串行EEPROM和串行闪存兼容的读写时序，无写入延迟，且读写耐久性不受限制。与其他串行存储器不同，该器件在存储器中进行读写操作时均可随机进行，写入之间无延迟

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型号：NT5TU64M16HG-AC 编号：C908389

封装：FBGA-84

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：JEDEC DDR2 兼容。双数据速率在 DQs、DQS、DM 总线。 4n 预取架构。有效命令吞吐量。发布式 CAS 和附加延迟 (AL)。可配置的 DS 以实现系统兼容性

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型号：ZDSD01GLGEAG 编号：C2830323

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，1Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

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型号：MT41K64M16TW-107:J 编号：C75475

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3（1.5V）SDRAM 数据表规格。

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型号：MT47H32M16NF-25E:H 编号：C2841140

封装：FBGA-84

品牌：micron(镁光)

512Mb DDR2 SDRAM，支持X4, X8, X16配置，具有4n位预取架构，支持差分时钟和数据选通。提供多种速度等级和封装选项。

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型号：W632GG6NB-11 编号：C2641226

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W632GU6NB-11 编号：C3034991

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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型号：F35SQA001G-WWT 编号：C5126827

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：FORESEE(江波龙)

F35SQA001G 是一款 1Gbit (128Mx8bit) 的串行 NAND 闪存，支持标准 SPI 接口和双/四线 SPI 模式。工作电压为 2.7V 至 3.6V，支持 104 MHz 的 SPI 时钟频率。该设备具有内部 1-bit ECC 逻辑，默认启用。支持 JEDEC 标准制造商和设备 ID，具有唯一 ID 和 62 个 OTP 页面。

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型号：GDP2BFLM-CA 编号：C5184009

封装：FBGA-96

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：MT25QU256ABA8ESF-0SIT 编号：C2061781

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：NT5CC256M16ER-EK 编号：C428584

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：符合DDR3标准。 8n预取架构，差分时钟（CK/CK）和数据选通（DQS/DQS），DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新（ASR），具备自动刷新和自刷新模式，有节能模式和掉电模式。信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性，可配置片上终端，通过外部ZQ焊盘（240欧姆±1%）进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度，具备信号同步，通过MR设置进行写电平校准，通过MPR进行读电平校准。

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

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型号：MKDN032GIL-AD 编号：C52754175

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte), Flash 类型pSLC, P/E Cycles 5万次，速度等级：C10,U1,V10,别名贴片式TF卡,内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能;-40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压

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型号：MKDN064GIL-ZC 编号：C53374590

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等，应用：工业设备、物联网终端、嵌入式系统、数据记录

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￥261.2616 ￥283.98
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￥248.6208 ￥270.24

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型号：MKEML016GV1E-IE 编号：C52753987

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型pSLC, 16GB eMMC 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况,应用车载、电力、工控、视频监控、可穿戴设备等

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￥342.285 ￥360.3
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￥325.717 ￥342.86

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型号：H5CG48AGBDX018N 编号：C46552763

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

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型号：MT53E1G32D2FW-046 AUT:B 编号：C5128897

封装：-

品牌：micron(镁光)

特性：超低电压核心和 I/O 电源。VDD1 = 1.70-1.95V；标称 1.80V。VDD2 = 1.06-1.17V；标称 1.10V。VDDQ = 1.06-1.17V；标称 1.10V 或低 VDDQ = 0.57-0.65V；标称 0.60V

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￥2247.34
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型号：AT24C02CDR630 编号：C51026300

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

20+
￥0.16479 ￥0.1831
200+
￥0.12834 ￥0.1426
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￥0.10809 ￥0.1201
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￥0.09594 ￥0.1066
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￥0.08541 ￥0.0949
20000+
￥0.07965 ￥0.0885

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型号：24C02A(LX) 编号：C22397198

封装：SOP-8

品牌：LX(灵星芯微)

24C02A是一款提供2048比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为256x8比特，内部分为32页，每页8字节，随机字地址需要一个8比特的数据字地址。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。

20+
￥0.2185
200+
￥0.1737
600+
￥0.1488
4000+
￥0.1262
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￥0.1133
20000+
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型号：H24C02S 编号：C41419578

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

这款EEPROM采用I²C接口，提供2Kbit的存储容量，支持最高1MHz的时钟频率。其宽泛的工作电压范围（1.8V至5.5V）使其兼容多种电源标准。适用于需要非易失性数据存储的应用场景，如保存配置数据、校准参数或小量关键信息记录，确保数据在断电后仍能保持完整。

10+
￥0.283005 ￥0.2979
100+
￥0.223725 ￥0.2355
300+
￥0.194085 ￥0.2043
3000+
￥0.171855 ￥0.1809
6000+
￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

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型号：HK24C02G3-ULR-T 编号：C33576244

封装：SOT-23-5

品牌：HK(航顺)

HK24C02是一款2Kbit的I2C兼容串行EEPROM，具有低功耗特性，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，提供多种封装选项，适用于工业温度范围。

10+
￥0.2951
100+
￥0.2377
300+
￥0.209

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型号：SL24C16D 编号：C5155394

封装：SOP-8

品牌：Slkor(萨科微)

SL24C16是16K位电可擦除PROM，采用2048x8-bit的组织结构，具有两线串行接口，工作电压范围1.8V~5.5V，存储容量16Kbits，擦写寿命100万次，数据保持时间100年。

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5+
￥0.4348 ￥0.5435
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￥0.34608 ￥0.4326
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￥0.30168 ￥0.3771
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￥0.2684 ￥0.3355
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￥0.24176 ￥0.3022
4000+
￥0.22848 ￥0.2856

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型号：AT24C04M/TR 编号：C2688456

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化，其中低功耗和低电压操作至关重要。采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT-23 封装，并通过两线串行接口访问。

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5+
￥0.4797
50+
￥0.3789
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￥0.3285
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￥0.2907
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￥0.2462
5000+
￥0.231

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型号：AT24LC02M/TR 编号：C3007887

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24LC02 / AT24LC04 / AT24LC08 / AT24LC16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 256/512/1024/2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT24LC02 / AT24LC04 / AT24LC08 / AT24LC16 采用节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT23 封装，可通过两线串行接口访问

数据手册

5+
￥0.505
50+
￥0.4042
150+
￥0.3538
500+
￥0.316
2500+
￥0.2583
5000+
￥0.2431

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型号：AT24C08CP164 编号：C51026295

封装：DIP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C08是一款8192位的串行EEPROM，分为1024个字（8位）的存储单元。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。

5+
￥0.5122
50+
￥0.4066
150+
￥0.3538
500+
￥0.3142
2000+
￥0.2825
4000+
￥0.2667

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型号：HG24C08CM/TR 编号：C22396892

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C08M/TR升级替代料，建议试样

5+
￥0.5362
50+
￥0.4258
150+
￥0.3706
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￥0.3292
2500+
￥0.296
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