三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：FM24C64D-DN-T-G 编号：C908402

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：FM(复旦微)

FM24C64D是一款65,536位的2线串行EEPROM，组织为8,192个8位字，带有128位唯一ID和32字节的安全区域。该设备支持最多8个设备共享一个2线总线，适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

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型号：24LC08BT-I/SN 编号：C5455

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA08/24LC08B（24xxx08）是一款 8 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由四个 256×8 位的存储块组成，并具备两线串行接口。低电压设计使其能够在低至 1 V 的电压下工作

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型号：25Q16DR-TD 编号：C49211305

封装：SOP-8-150mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

通信模式：支持标准 SPI 接口，也支持双输出 / 四输出的 SPI 模式。SPI 最高支持 104MHz，双倍速是 208MHz，四倍速是 416MHz。

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型号：FM25Q16A-SOB-T-G 编号：C358633

封装：SOP-8-208mil

品牌：FM(复旦微)

是 16M 位（2M 字节）串行闪存，具有先进的写保护机制。支持标准串行外设接口 (SPI)、双/四 I/O 以及 2 时钟指令周期四外设接口 (QPI)。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI (XIP) 执行代码以及存储语音、文本和数据。可使用页面编程指令一次编程 1 到 256 字节。设计允许一次擦除单个扇区/块或执行全芯片擦除操作。可配置为在软件保护模式下保护部分内存。每个扇区或块可承受至少 100K 次编程/擦除周期。

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型号：AT24C128C-XHM-T-TUDI 编号：C36533641

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能，支持64字节页写模式，写周期寿命为1,000,000次，数据保留时间为40年。

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型号：BL24C256AE0-PARC 编号：C7436520

封装：SOP-8L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C256A提供256K位（32K字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。内部组织为512页，每页64字节。具有高可靠性，增强的ESD/闩锁保护，以及100年的数据保留能力。

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￥2.0204
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型号：CAT24C128YI-GT3-TUDI 编号：C36533640

封装：TSSOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C128/CAT24C128提供131,072位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为16,384个8位字。设备支持1.7V到5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能，支持64字节页写模式，写周期寿命为1,000,000次，数据保留时间为40年。

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￥2.08
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型号：AT24C512C-SSHD-T-TUDI 编号：C36533649

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C512/CAT24C512 是兼容工业标准2线接口的EEPROM设备，具有65,536 x 8位的存储阵列，支持页写模式，自定时写周期，工作电压范围为1.7V到5.5V，最高工作速度可达1MHz。

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￥2.2348
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型号：CAT24C512WI-GT3-TUDI 编号：C41355583

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C512/CAT24C512 是一款兼容I2C标准的EEPROM设备，支持128字节页写模式，工作电压范围为1.7V至5.5V，具有自定时写周期和硬件数据保护功能。

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￥2.24
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型号：24LC16B-I/SN 编号：C1349383

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xx16是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由八个256×8位的存储块组成，采用两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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型号：M93C46-RMN3TP/K 编号：C2061269

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用1-Kbit MICROWIRE串行EEPROM

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型号：M24M01-RMN6TP-TUDI 编号：C36533663

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M01是一款1Mb I2C EEPROM，内部组织为131,072个8位字。支持标准、快速和快速增强I2C协议，具有256字节页写缓冲区，硬件写保护，低功耗CMOS技术，100万次擦写寿命，100年数据保留时间。

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￥2.48
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型号：24LC02BT-E/SN 编号：C615682

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24xxx02是一款2 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为一个256×8位的存储块。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作

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￥2.53
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型号：CAT93C66VI-GT3 编号：C890471

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT93C66是一款4 kb的CMOS串行EEPROM器件，可配置为256个16位寄存器（ORG引脚接VCC）或512个8位寄存器（ORG引脚接GND）。通过DI（或DO）引脚可对每个寄存器进行串行写入（或读取）操作。该器件具备顺序读取和带自动清除功能的自定时内部写入特性

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型号：M95640-DRMN3TP/K 编号：C314019

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用64 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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型号：GD25Q80CTIGR 编号：C395464

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

C版本是8寸的晶元，65纳米的工艺

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￥3.71
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￥2.32

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型号：BY25Q32ESSIG 编号：C22391874

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q32ES是一款32M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为216Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

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￥3.87
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￥3.15
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型号：P25Q64SH-SSH-IT 编号：C5263845

封装：SOP-8-150mil

品牌：PUYA(普冉)

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￥4.75
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￥2.85
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型号：AT93C86A-10SU-2.7-T 编号：C6508

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

当 ORG 引脚连接到 Vcc 时，AT93C86A 提供 16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 1024 个 16 位字；当该引脚接地时，则为 2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有重要要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C86A 提供节省空间的 8 引脚 PDIP、8 引脚 JEDEC SOIC、8 引脚 MAP 和 8 引脚 TSSOP 封装

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