三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC16BT-I/SN 编号：C5456

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA16/24LC16B（24xx16*）是一款16 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件由8个256x8位的存储块组成，采用两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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5+
￥2.2466
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￥1.7682
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￥1.1978

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型号：24LC64-I/SN 编号：C511260

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个8K x 8位的单块存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作，待机和工作电流分别仅为1μA和3mA。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信或数据采集。还具备高达32字节数据的页写能力。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间高达512 Kbits。有标准8引脚PDIP、表面贴装SOIC、SOIJ、TSSOP、DFN、TDFN和MSOP封装，也有5引脚SOT-23和芯片级封装。

数据手册

5+
￥2.2493
50+
￥1.7654
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￥1.2993
2500+
￥1.1841

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型号：BR25G256FJ-3GE2 编号：C509766

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

256 - 3是一款采用SPI总线接口的256Kbit串行EEPROM。

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1+
￥2.4825 ￥3.31
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￥1.8915 ￥2.91
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￥1.4905 ￥2.71
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￥1.287 ￥2.34

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型号：CAT24C64YI-GT3 编号：C238979

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C64 是一款 64-kb CMOS 串行 EEPROM 器件，内部组织为 8192 个词，每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。

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5+
￥2.5271
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￥2.0378
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￥1.2623

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型号：GT20L24F6Y 编号：C126754

封装：SOT-23-6

品牌：GENITOP(高通)

GT20L24F6Y是一款支持多国文字的字库芯片，支持12套ASCII、拉丁文、西里尔文，希伯来文，同时支持14套ISO8859字符集，该字库支持多达173国文字。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

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1+
￥2.73
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￥2.17
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￥1.93
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500+
￥1.36
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型号：GD25Q16ESIG 编号：C2693492

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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1+
￥3.18
10+
￥2.67
30+
￥2.44
95+
￥1.7
475+
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￥1.5

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型号：BR25H080FJ-2CE2 编号：C2061902

封装：SOIC-8

品牌：ROHM(罗姆)

BR25H080FJ-2CE2是一款8Kbit SPI接口的EEPROM，支持2.5V到5.5V的工作电压，具有超过1百万次的写周期寿命和超过100年的数据保留时间。

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1+
￥3.51
10+
￥2.79
30+
￥2.44
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￥2.08
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￥1.87
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型号：HG24C512N 编号：C2902482

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），内部组织为65,536个8位字。设备的级联功能允许最多4个设备共享一个公共两线总线。针对低功耗和低电压运行至关重要的许多工业和商业应用进行了优化。有节省空间的8引脚PDIP、20引脚JEDEC SOIC、8引脚无引线阵列（LAP）和8球dBGA封装。整个系列有5.0V（4.5V至5.5V）、2.7V（2.7V至5.5V）和1.8V（1.8V至3.6V）版本。

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1+
￥3.81
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￥3.07
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￥2.57
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型号：W25X40CLSSIG-TR 编号：C164122

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

数据手册

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￥4.28
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￥3.52
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￥3.2
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￥2.7621 ￥2.79
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￥2.5839 ￥2.61
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￥2.475 ￥2.5

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型号：M95040-DRMN3TP/K 编号：C2061115

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用4 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥4.37
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￥3.48
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￥3.04
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￥2.61
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￥2.34
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型号：GX2431 编号：C2926931

封装：TO-92-3

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

数据手册

1+
￥4.76
10+
￥3.81
30+
￥3.33
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￥2.86
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￥2.58
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￥2.43

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型号：IS25LP016D-JULA3-TR 编号：C43316710

封装：USON-8(2x3)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP016D和IS25WP016D串行闪存提供了一种通用的存储解决方案，在引脚数量简化的封装中具备高度灵活性和高性能。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间要求有限、引脚数量少且功耗低的系统。该器件通过一个4线SPI接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，这些引脚也可配置为多I/O模式

1+
￥4.77
10+
￥3.79
30+
￥3.31
100+
￥2.83
500+
￥2.54
1000+
￥2.39

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型号：MX25L1606EM1I-12G 编号：C3014050

封装：SOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：Hold功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程存储器（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

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1+
￥4.78
10+
￥3.89
30+
￥3.45
100+
￥3
500+
￥2.74
1000+
￥2.6

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型号：11AA02E48T-I/TT 编号：C616174

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AA02EXX器件是一款2 Kbit串行电可擦除PROM。该器件采用×8位存储块结构，并支持单UNI/O串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被组合成一个单独的串行比特流（SCIO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

数据手册

1+
￥4.78
10+
￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.09
500+
￥2.73
1000+
￥2.6

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型号：M24512-DRDW8TP/K 编号：C2832785

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM，105°C工作温度

1+
￥5.07
10+
￥4.32
30+
￥3.95
100+
￥3.58
500+
￥3.35
1000+
￥3.24

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型号：GD25LQ32ESIGR 编号：C2928890

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

1+
￥5.39
10+
￥4.49
30+
￥4.03
100+
￥3.58
500+
￥2.47
1000+
￥2.33

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型号：M24M01-DFMN6TP 编号：C222230

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥6.37
10+
￥5.07
30+
￥4.42
100+
￥3.77
500+
￥3.38
1000+
￥3.18

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型号：DS2502P+T&R 编号：C22443045

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)

DS2502 1Kb 只追加存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些特定批次或产品的信息可通过简易接口访问，例如，利用微控制器的单端口引脚。DS2502 包含一个工厂激光刻蚀的注册号，其中有唯一的 48 位序列号、8 位循环冗余校验码（CRC）和 8 位家族代码（09h），另外还有 1Kb 用户可编程的电可擦可编程只读存储器（EPROM）

1+
￥9.77
10+
￥8.07
30+
￥7.13
100+
￥6.08

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型号：M24M01-RMN6P 编号：C1349431

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M01是一款1 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128 K×8位。M24M01 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下工作，M24M01 - DF可在1.7 V至5.5 V的电源电压下工作，工作环境为……（原句未完整）

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1+
￥9.9
10+
￥8.25
30+
￥7.35
100+
￥6.33
500+
￥5.78
1000+
￥5.58

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥10.56
10+
￥8.86
30+
￥7.79
100+
￥6.7
500+
￥6.21
1000+
￥5.99

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型号：M95M01-DFCS6TP/K 编号：C221451

封装：WLCSP-8(1.7x2.6)

品牌：ST(意法半导体)

1-Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥11.69
10+
￥9.63 ￥10.7
30+
￥8.064 ￥10.08
100+
￥7.56 ￥9.45
500+
￥7.336 ￥9.17
1000+
￥7.232 ￥9.04

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型号：HG25Q256BMW/TR 编号：C52204739

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3V, 256M-BIT [ x1/ x2/ x4] (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

1+
￥13.99
10+
￥11.88
30+
￥10.56
100+
￥9.21
500+
￥8.6
1000+
￥8.33

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型号：24FC1025T-I/SN 编号：C219471

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥16.5
10+
￥13.97
30+
￥12.39
100+
￥10.77
500+
￥10.03

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型号：M95M02-DWMN3TP/K 编号：C222181

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用2048 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

1+
￥17.87
10+
￥15.19
30+
￥13.59
100+
￥11.98
500+
￥11.24
1000+
￥10.9

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型号：W25Q256JVFIQ 编号：C115993

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

256Mbit(32Mx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),同W25Q256FVFIG,W25Q128JVSIQ,W25Q128FVSIG

数据手册

1+
￥19.68
10+
￥17.38
44+
￥15.94
88+
￥14.46
484+
￥13.79

有货

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型号：X5045S8IZT1 编号：C11981

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

电压监控，阀值电压=4.5V to 5.5V

数据手册

1+
￥21.3
10+
￥18.36
30+
￥16.6
100+
￥13.52
500+
￥12.71

有货

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型号：25LC1024T-I/SM 编号：C616166

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1024 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具有通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在字节或页写入操作中并非必需

数据手册

1+
￥27.06
10+
￥24.05
30+
￥20.17
100+
￥18.24

有货

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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

数据手册

1+
￥27.43
10+
￥23.41
30+
￥21.02
100+
￥18.61
500+
￥17.49

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型号：IS42S16160J-6BLI 编号：C1351289

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥32.19
10+
￥28.27
30+
￥25.94
100+
￥20.77
348+
￥19.68

有货

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型号：MX25L51245GMI-08G 编号：C19191699

封装：SOP-16-300mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口。模式0和模式3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏。512Mb：536,870,912 x 1位结构或268,435,456 x 2位（双I/O模式）结构或134,217,728 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持：单I/O、双I/O和四I/O

1+
￥33.78
10+
￥28.95
30+
￥26.08
100+
￥23.18
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￥21.85
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