三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：GD25Q32ETIGR 编号：C2986328

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32MBIT（4M x 8）SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 3.3V

数据手册

1+
￥6.91
10+
￥5.68
30+
￥5.01
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￥4.25
500+
￥3.91
1000+
￥3.75

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型号：CAV24C16WE-GT3 编号：C146711

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAV24C02/04/08/16分别为2 Kb、4 Kb、8 Kb和16 Kb的CMOS串行EEPROM器件，其内部结构分别为16页、32页、64页和128页，每页16字节。所有器件均支持标准（100 kHz）和快速（400 kHz）I²C协议。写入数据时，需提供起始地址，然后将1至16个连续字节加载到页写缓冲区，再在一个内部写周期内将所有数据写入非易失性存储器

数据手册

1+
￥3.9494 ￥4.03
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￥2.8864 ￥3.28
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￥2.262 ￥2.9
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￥1.9656 ￥2.52
500+
￥1.794 ￥2.3
1000+
￥1.7004 ￥2.18

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型号：11AA02E48T-I/TT 编号：C616174

封装：SOT-23-3

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AA02EXX器件是一款2 Kbit串行电可擦除PROM。该器件采用×8位存储块结构，并支持单UNI/O串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被组合成一个单独的串行比特流（SCIO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和值

数据手册

1+
￥4.78
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￥3.93
30+
￥3.51
100+
￥3.09
500+
￥2.73
1000+
￥2.6

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型号：BL25CM1A-PARC 编号：C2943349

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL25CM1A是一款1Mbit (131,072x8) EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为2.8V至5.5V，工作温度范围为-40°C至85°C，写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。

数据手册

1+
￥5.7
10+
￥4.6
30+
￥4.05
100+
￥3.5
500+
￥3.17
1000+
￥3

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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

数据手册

1+
￥6.07
10+
￥5.3
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￥4.97
100+
￥4.56
500+
￥4.22
1000+
￥4.1

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型号：24AA256T-I/SN 编号：C152172

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA256/24LC256/24FC256（24xx256*）是一款32K x 8（256 Kbit）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

数据手册

1+
￥6.15
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￥4.98
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￥4.39
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￥3.81
500+
￥3.46
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￥3.28

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型号：AT45DB041E-SSHN-T 编号：C226095

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4MB存储容量,8 bit,SPI接口,1.65V-3.6V

数据手册

1+
￥6.7
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￥5.45
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￥4.83
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￥4.21
500+
￥3.62
1000+
￥3.43

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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

数据手册

1+
￥6.94
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￥6.77
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￥6.66
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￥6.55

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型号：HG25Q128BMW/TR 编号：C22461597

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q128MW/TR升级替代料，建议试样，3.3v128m位串行闪存，带有双/四元SPI

1+
￥8.28
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￥6.8
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￥5.99
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￥5.08
500+
￥4.67
1000+
￥4.49

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

1+
￥10.69
10+
￥8.99
30+
￥7.92
100+
￥6.83
500+
￥6.34
1000+
￥6.12

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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

1+
￥12.96
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￥10.91
30+
￥9.63
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￥8.32
500+
￥7.73

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型号：APS6404L-SQN-SN 编号：C5360304

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

该伪静态随机存取存储器（PSRAM）设备具有高速、低引脚数接口。它有4个单数据速率（SDR）输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QPI）模式下运行，频率高达144 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据。它最适合用于低功耗和低成本的便携式应用。它集成了无缝的自管理刷新机制，因此不需要系统主机提供动态随机存取存储器（DRAM）刷新支持。自刷新功能是一种特殊设计，旨在最大限度地提高存储器读取操作的性能。