三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：M24C64-FMC6TG 编号：C283446

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.7843
50+
￥1.3914
150+
￥1.2229
500+
￥1.0128
2500+
￥0.9192

有货

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型号：24LC02BT-I/SN 编号：C5453

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02/24LC02B（24xx02*）是一款 2 Kbit 的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用 2 线串行接口，组织为一个 256×8 位的存储块。低电压设计允许其在低至 1 V 的电压下工作

数据手册

5+
￥1.7883
50+
￥1.4273
150+
￥1.2726
500+
￥1.0796

有货

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型号：AT24C04D-SSHM-T 编号：C116667

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04D提供4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为512个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。此器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

5+
￥1.8166
50+
￥1.4212
150+
￥1.2517
500+
￥0.9907
2500+
￥0.8965

有货

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型号：24LC04BT-I/OT 编号：C95791

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

5+
￥1.8365
50+
￥1.4636
150+
￥1.3037
500+
￥1.1042
3000+
￥1.0154

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型号：HG24C256MT/TR 编号：C53200143

封装：TSSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

I2C-Compatible Serial E2PROM

5+
￥1.9149
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￥1.5117
150+
￥1.3389
500+
￥1.1233
2500+
￥1.0273

有货

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型号：FM24C512D-TS-T-G 编号：C192125

封装：TSSOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C512D提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65,536个8位字，带有128位UID和128字节安全区。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一个公共两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。

数据手册

5+
￥2.2119
50+
￥1.7376
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￥1.5343
500+
￥1.2807
2500+
￥1.1678

有货

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型号：AT93C56B-SSHM-T 编号：C111441

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/66B提供2048/4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当ORG引脚连接到V(CC)时，其组织形式为128/256个16位字；当ORG引脚接地时，为256/512个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C56B/66B提供节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN和8球VFBGA封装

数据手册

5+
￥2.3787
50+
￥1.8403
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￥1.6095
500+
￥1.3216
2500+
￥1.1934

有货

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型号：CAT24C128YI-GT3 编号：C238978

封装：TSSOP-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C128是一款128 Kb的串行EEPROM，采用I²C接口，内部组织为16384个8位字。它具有64字节的页写缓冲区，支持标准（100 kHz）、快速（400 kHz）和快速增强（1 MHz）I²C协议。

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1+
￥2.63
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￥2.09
30+
￥1.87
100+
￥1.58
500+
￥1.45
1000+
￥1.38

有货

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型号：GT20L24F6Y 编号：C126754

封装：SOT-23-6

品牌：GENITOP(高通)

GT20L24F6Y是一款支持多国文字的字库芯片，支持12套ASCII、拉丁文、西里尔文，希伯来文，同时支持14套ISO8859字符集，该字库支持多达173国文字。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥2.71
10+
￥2.15
30+
￥1.92
100+
￥1.62
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

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型号：M24256-BFMC6TG 编号：C283431

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.47
10+
￥2.7
30+
￥2.37
100+
￥1.96
500+
￥1.77
1000+
￥1.66

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型号：P24CM01B--SSH-MIR 编号：C5263817

封装：-

品牌：PUYA(普冉)

1+
￥3.49
10+
￥2.76
30+
￥2.45
100+
￥2.06
500+
￥1.8
1000+
￥1.69

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型号：AT24C64D-XHM-T 编号：C111440

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C64D 提供 65,536 位串行电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)，每个字包含 8,192 个 8 位字。该器件的级联功能允许最多八个器件共享一条双线总线。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。

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1+
￥3.79
10+
￥3.02
30+
￥2.64
100+
￥2.26
500+
￥2.03
1000+
￥1.91

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型号：M95640-DRDW8TP/K 编号：C2971645

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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1+
￥4.34
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￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.64
500+
￥2.27
1000+
￥2.14

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型号：MX25L512EOI-10G 编号：C504706

封装：TSSOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

是一款CMOS 524,288位串行闪存，内部配置为65,536×8。具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三条总线信号是

数据手册

1+
￥4.82
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￥3.94
30+
￥3.5
100+
￥3.06
500+
￥2.8
1000+
￥2.66

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型号：W25Q20EWUXIE TR 编号：C401660

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q20EW（2M 位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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1+
￥6.24
10+
￥5.33
30+
￥4.87
100+
￥4.42
500+
￥4.14
1000+
￥4

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型号：M24C08-DRDW3TP/K 编号：C2965398

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥6.46
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￥5.31
30+
￥4.68
100+
￥3.96
500+
￥3.65
1000+
￥3.5

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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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1+
￥8.51
10+
￥7.36
30+
￥6.72
100+
￥6.01
500+
￥5.69

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

1+
￥9.09
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￥8.28
30+
￥7.76
100+
￥7.24
500+
￥7
1000+
￥6.9

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型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.54
30+
￥6.65
100+
￥5.63
500+
￥5.19

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型号：DS2502P+T&R 编号：C22443045

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)

DS2502 1Kb 只追加存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些特定批次或产品的信息可通过简易接口访问，例如，利用微控制器的单端口引脚。DS2502 包含一个工厂激光刻蚀的注册号，其中有唯一的 48 位序列号、8 位循环冗余校验码（CRC）和 8 位家族代码（09h），另外还有 1Kb 用户可编程的电可擦可编程只读存储器（EPROM）

1+
￥10.06
10+
￥8.35
30+
￥7.42
100+
￥6.36

有货

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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

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1+
￥10.51
10+
￥8.87
30+
￥7.85
100+
￥6.8
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥12.22
10+
￥11.21
30+
￥10.59
100+
￥9.94
500+
￥9.65
1000+
￥9.52

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型号：W25Q64JWBYIQ 编号：C2691929

封装：WLCSP-12

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

1+
￥15.29
10+
￥13.32
30+
￥12.09
100+
￥10.82
500+
￥10.25
1000+
￥10

有货

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型号：W25Q16JWSNIQ 编号：C7117004

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

1+
￥15.42
10+
￥12.98
30+
￥11.46
100+
￥9.9
500+
￥9.2
1000+
￥8.89

有货

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型号：24LC1025T-I/SM 编号：C183301

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥18.69
10+
￥16.74
30+
￥15.53
100+
￥14.28
500+
￥13.71
1000+
￥13.47

有货

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型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

数据手册

1+
￥19.08
10+
￥16.22
30+
￥14.43
100+
￥12.12
500+
￥11.29
1000+
￥10.93

有货

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥20.97
10+
￥17.95
30+
￥16.07
100+
￥14.14
500+
￥13.27

有货

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥21.68
10+
￥18.6
30+
￥16.76
100+
￥14.91
500+
￥14.05

有货

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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥22.66
10+
￥19.44
30+
￥17.53
100+
￥15.6
500+
￥14.71
1000+
￥14.31

有货

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

数据手册

1+
￥30.02
10+
￥26.45
30+
￥24.32
100+
￥20.94
500+
￥19.95
1000+
￥19.5

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