三星存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：H5AN8G6NDJR-XNC 编号：C2961593

封装：-

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥253.65
30+
￥242.46

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型号：W25X10CLSNIG-TR 编号：C164120

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25X10CL（1M位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥3.7541
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￥3.251
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￥3.0353
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￥2.7663
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￥2.5719
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￥2.5

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型号：ZD24C1MA-SSGMB 编号：C2972568

封装：SOP-8-150mil

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C1MA 是一款1024K位（128K字节）的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议。工作电压范围为1.7V至5.5V，具有4百万次写周期寿命和100年的数据保留时间。提供多种封装选项，包括PDIP、SOP、TSSOP、UDFN和WLCSP。

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￥3.9
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￥3.12
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￥2.73
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￥2.44
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￥2.21
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￥2.09

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型号：24AA025UIDT-I/OT 编号：C2061498

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02UID/24AA025UID（24AA02XUID*）是一款 2 Kbit 的电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该器件由两个 128×8 位的存储块组成，并配备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 的电压下工作

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￥4.81
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￥4
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￥3.6
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￥3.2
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￥2.52
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￥2.4

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型号：GX2431D 编号：C2758004

封装：DFN-6

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX2431D是一款采用单总线接口的1024位EEPROM存储器，具有全球唯一的64位序列号，支持单总线通信协议。每个器件都有一个出厂时利用激光光刻写入芯片的64位ROM地址码，以保证其绝对可溯性。数据按照1-Wire协议串行传输，只需要一根数据线和返回地线。

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￥4.93
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￥3.94
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￥3.44
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￥2.95
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￥2.65
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￥2.5

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型号：24LC512T-I/SM 编号：C18091

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

该产品是一款 64k x 8（512 Kbit）串行电可擦除 PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V 至 5.5V）内工作。它专为先进的低功耗应用而开发，如个人通信和数据采集。该设备还具备高达 128 字节数据的页写入能力，能够在 512K 边界内进行随机和顺序读取。功能地址线允许在同一总线上连接多达八个设备，地址空间可达 4 Mbit。该设备有标准的 8 引脚塑料 DIP、SOIJ、SOIC、TSSOP、DFN 和 14 引脚 TSSOP 封装。24AA512 还有 8 引脚芯片级封装。

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￥5.6
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￥4.51
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￥3.97
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￥3.42
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￥3.1
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￥2.93

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型号：24AA64FT-I/OT 编号：C2061144

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64F/24LC64F/24FC64F(24XX64F*)是一款64Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，将存储体组织为单个8K×8位的存储块。低电压设计使其能够在低至1V的电压下工作

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￥6.63
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￥5.49
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￥4.87
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￥4.16
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￥3.63
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￥3.49

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型号：AT24CM01-SSHM-T 编号：C68393

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥7.38
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￥6.08
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￥5.37
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￥4.34
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￥3.98
1000+
￥3.82

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型号：DS28E01P-100+T 编号：C143315

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1Kb、保护型1-WireEEPROM，带有SHA-1引擎、为外设和系统提供低成本世界级安全认证

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1+
￥11.76
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￥10.11
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￥9.08
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型号：W25Q128JVEIQ 编号：C401662

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

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￥12.09
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￥10.56
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￥9.6
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￥8.62
480+
￥7.7
960+
￥7.5

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型号：DS2431+ 编号：C143305

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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￥15.1
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￥12.77
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￥11.3
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￥9.81
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￥9.13
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￥8.84

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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥31.82
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￥27
30+
￥24.13
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￥21.22
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￥19.89
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￥19.28

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型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 编号：C189908

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。

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￥34.69
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￥30.03
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￥26.4
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￥23.6
500+
￥22.3
1500+
￥21.72

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型号：MX25L51245GZ2I-08G 编号：C2803021

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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65+
￥27.151752
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￥25.098258
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￥23.101806

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型号：H5TQ4G63EFR-RDC 编号：C2803259

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

H5TQ4G83EFR-xxC、H5TQ4G63EFR-xxC、H5TQ4G83EFR-xxI、H5TQ4G63EFR-xxI、H5TQ4G83EFR-xxL、H5TQ4G63EFR-xxL、H5TQ4G83EFR-xxJ、H5TQ4G63EFR-xxJ、H5TQ4G83EFR-xxK和H5TQ4G63EFR-xxK是一款4,294,967,296位的CMOS双倍数据速率III（DDR3）同步动态随机存取存储器（DRAM），非常适合需要高存储密度和高带宽的主存储器应用。4Gb DDR3 SDRAM可实现完全同步操作，其参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在CK的上升沿（CK的下降沿）锁存，而数据、数据选通和写数据掩码输入则在时钟的上升沿和下降沿进行采样

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￥41.84
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￥36.77
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￥33.69
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￥28.5

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型号：W29N02KVSIAF 编号：C2940193

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N02KV是一款2Gbit、3.3V供电的NAND Flash存储器，适用于低功耗和高可靠性的应用。支持标准NAND命令集，提供多种封装选项，包括48-pin TSOP1、48-ball VFBGA和63-ball VFBGA。

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￥51.8
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￥46.88
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￥43.95
96+
￥40.99
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￥39.62
768+
￥39

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型号：W632GU6NB-11 编号：C3034991

封装：VFBGA-96

品牌：Winbond(华邦)

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￥53.88
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￥47.63
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￥43.82
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￥40.2237 ￥40.63

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型号：W25Q01JVZEIQ 编号：C5137036

封装：WSON-8-EP(8x6)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。

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￥85.7
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￥74.99
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￥68.47
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型号：SDINBDG4-8G-XI1 编号：C577445

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

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￥164.37
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￥157.91
30+
￥138.02
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￥128.25

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型号：MT40A1G16TB-062E:F 编号：C20561900

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C

1+
￥814.6
30+
￥775.21

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型号：JSM24C02 编号：C2857178

封装：SOP-8

品牌：JSMSEMI(杰盛微)

JSM24C02/04/08/16系列提供2048/4096/8192/16384位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256/512/1024/2048个8位字。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。

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10+
￥0.31008 ￥0.3876
100+
￥0.24576 ￥0.3072
300+
￥0.2136 ￥0.267
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￥0.18944 ￥0.2368
4000+
￥0.15584 ￥0.1948
8000+
￥0.14616 ￥0.1827

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型号：ZD24C08A-SSGMB 编号：C918266

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C08A是一款兼容I2C协议的8K位串行EEPROM，具有16字节的页面大小，支持单电源供电，最高时钟频率为1MHz，写入时间为3ms。

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10+
￥0.3498
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￥0.2779
300+
￥0.2314
1000+
￥0.2044
5000+
￥0.1829
10000+
￥0.1721

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型号：BL24C02F-RRRC 编号：C498263

封装：TSOT-23-5L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C02F 提供 2Kbits (256 字节) 的 EEPROM 存储，支持 I2C 协议，具有硬件数据保护功能。适用于低功耗和低电压操作的工业和商业应用。

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10+
￥0.3802
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￥0.3062
300+
￥0.2692
3000+
￥0.2415
6000+
￥0.2193
9000+
￥0.2082

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型号：24C32N(XBLW) 编号：C18723552

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C32系列是32,768位的串行可擦除可编程只读存储器，采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V。

5+
￥0.4182
50+
￥0.3672
150+
￥0.3417
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￥0.3226
2000+
￥0.3073
4000+
￥0.2997

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型号：ZD24C64A-SSGMB 编号：C2837682

封装：SOIC-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C64A是一款低电压I2C兼容串行EEPROM，内部组织为8,192 x 8 (64Kb)，支持100kHz至1MHz的时钟频率，具有超低功耗和高可靠性。

数据手册

5+
￥0.478
50+
￥0.4221
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￥0.3749
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￥0.3539
2500+
￥0.3372
5000+
￥0.3288

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型号：FM24C02C-SO-T-G 编号：C189501

封装：SOIC-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C02C是一款低工作电压的2-Wire Serial EEPROM，具有2048位存储容量，组织为256个8位字。该设备适用于多种工业和商业应用，特别是需要低功耗和低电压操作的场合。

数据手册

5+
￥0.5074
50+
￥0.397
150+
￥0.3418
500+
￥0.3004
2500+
￥0.2673
4000+
￥0.2507

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型号：AT24C08CM/TR 编号：C22396888

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C08M/TR升级替代料，建议试样，AT24C08C是一款8Kbit I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于-40°C至+105°C的工作温度范围。该设备具有硬件和软件写保护功能，提供16字节的可写锁定页和128位唯一ID。支持2线串行接口，传输速率可达1MHz。

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￥0.5565
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￥0.441
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￥0.3832
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￥0.3399
2500+
￥0.3052
5000+
￥0.2879

有货

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型号：AT24C128CDR140 编号：C51026304

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C128是一款提供128K比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为16384x8比特，内部分为256页，每页64字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，64-byte页写，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年。