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封装：WSON-8-EP(6x8)

GigaDevice GD5F1GQ5UEYIGR是一款1Gb SLC NAND Flash，支持标准、双线、四线SPI和DTR模式。它具有高级安全特性，包括8K字节OTP区域和内部ECC。页面大小为2048字节+128字节，典型编程时间为400us，典型擦除时间为3ms。工作电压为2.7V至3.6V，工作温度范围为-40°C至85°C。

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￥55.11
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￥48.21
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型号：FM25V10-GTR 编号：C44173

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V10是一款1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，具有高耐久性和低功耗。它支持SPI接口，最高时钟频率为40MHz，适用于需要频繁写入的应用。

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￥39.6
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￥34.4
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型号：MT25QL128ABA1ESE-0SIT 编号：C41359590

封装：SOP-8-208mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高达90 MB/s。STR和DTR均支持的协议:扩展I/O协议

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￥40.28
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￥27.88

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型号：MX25L51245GZ2I-08G 编号：C2803021

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：先进的扇区保护功能（实体保护和密码保护）。多I/O支持。单I/O、双I/O和四I/O。支持DTR（双倍传输速率）模式。支持高达166MHz的时钟频率。支持串行外设接口

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￥58.68
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型号：MT41J128M16JT-125:K 编号：C426885

封装：FBGA-96

品牌：micron(镁光)

特性：VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V。 1.5V中心端接推挽式I/O。差分双向数据选通。 8n位预取架构

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￥73.49
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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

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型号：SDINBDG4-8G 编号：C577444

封装：BGA-153

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：MKDV32GCL-STPA 编号：C47118466

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:MLC,商业级选型推荐,广泛适配在各大MCU平台上；MKDV32GCL-STH/MKDV32GCL-STPA升级款;尺寸6.6x8mm。P/E Cycles 5000次，支持SD3.0，支持1.8v/3.3v IO电压；C10, U1, V10, A2；SDNAND别名贴片式TF卡、贴片式SD卡、T卡等, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥275.31 ￥289.8
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￥261.668 ￥275.44

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型号：MKDV16GIL-STPA 编号：C20607687

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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￥298.0055 ￥313.69
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型号：24C16BN(XBLW) 编号：C18723545

封装：SOP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

10+
￥0.27189 ￥0.2862
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￥0.23047 ￥0.2426
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￥0.209665 ￥0.2207
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￥0.19418 ￥0.2044
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￥0.181735 ￥0.1913
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型号：AT24C02 编号：C7470930

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

10+
￥0.2954
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￥0.2442
300+
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￥0.1994
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型号：BL24C16F-PARC 编号：C2828223

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C16F提供16384位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为2048个字节。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。写保护引脚允许在接地时进行正常读写操作，连接到Vcc时启用写保护。

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10+
￥0.4747
100+
￥0.3931
300+
￥0.3523
2500+
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型号：FT24C16A-KLR-T 编号：C5263774

封装：SOT-23-5

品牌：FMD(辉芒微)

FT24C16A是一款16,384位的串行EEPROM，支持标准的2线双向串行接口。它具有低电压和低功耗操作，工作电压范围为1.7V到5.5V，工业温度范围为-40°C到85°C。该器件支持16字节页写模式，具有自定时编程周期（最大5ms），1 MHz（2.5-5V）和400 kHz（1.7V）兼容性，以及100年的数据保留能力。

5+
￥0.5609
50+
￥0.4553
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型号：BL24C32A-NTRC 编号：C691878

封装：UDFN-8L-EP(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32A是一款32K位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持I2C双向数据传输协议。具备页写入功能，硬件数据保护，高可靠性，增强ESD/闩锁保护，随机和顺序读模式。

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5+
￥0.7407
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￥0.5929
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型号：AT24C02C-STUM-T 编号：C94534

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压工作：VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。 I²C 兼容（两线）串行接口: -100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

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￥2.74
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型号：ZD24C512A-SSGMT 编号：C2896788

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD24C512A提供512K位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65536个8位字。支持低电压操作（1.7V至5.5V），兼容所有I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，写保护引脚允许硬件数据保护，高可靠性，数据保留时间为100年，写周期寿命为400万次。

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1+
￥2.83
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￥2.22
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型号：BL24CM1A-PARC 编号：C414060

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072 x 8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能，提供高达4百万次的写周期寿命和100年的数据保留时间。

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1+
￥3.17
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￥2.52
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￥1.67
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型号：24LC64T-I/OT 编号：C511267

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/ 24FC64 (24)xx64是一个64 Kbit电可擦除PROM。该设备被组织为一个单块8Kx8位存储器，具有两线串行接口。低电压设计允许低至1.7V的操作，待机和工作电流分别仅为1μA和3 mA。

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1+
￥3.52
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￥2.82
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型号：CAT24C256HU4IGT3 编号：C233771

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C256 是一款 EEPROM 串行 256-Kb I2C，内部组织为 512 页，每页 64 字节。它具有 64 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C256 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

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￥4.13
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￥2.2
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型号：GD25Q32ESIGR 编号：C2832998

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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型号：FM24CL16B-GTR 编号：C31082

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入的应用场景。

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￥7.49
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型号：ZD25Q128CSIGT 编号：C19626875

封装：SOP-8-208mil

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,128Mbit,2.7~3.6V,SOP-8-208mil,Tube

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￥7.69
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￥6.43
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￥5.73
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￥4.36
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型号：M95M01-RMN6TP 编号：C111166

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥9.3
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型号：GD25Q64ESIGR 编号：C2831359

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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￥4.55
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型号：FM24W256-GTR 编号：C66020

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、快速2线串行接口（I2C），支持高达1 MHz的频率，低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），工业温度范围（-40°C至+85°C）。该设备适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用，如数据记录和工业控制。

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￥22
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￥18.73
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￥16.79
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￥14.82
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￥13.5

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型号：FM25W256-GTR 编号：C23520

封装：SOIC-8-150mil

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25W256是一款256-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用32K x 8的逻辑组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写），151年的数据保持能力，无延迟写入，非常快的SPI接口（最高20 MHz），低功耗，宽电压范围（2.7V至5.5V），以及工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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￥31.17
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￥27.3
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￥25.01
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￥20.56
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￥19.49
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型号：MX35LF1GE4AB-Z4ITR 编号：C2802769

封装：WSON-8(6x8)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX35LF1GE4AB是一款采用串行接口的1Gb单级单元（SLC）NAND闪存器件。该器件的存储阵列采用了与并行NAND相同的单元架构，但实现了行业标准的串行接口。芯片中集成了一个内部4位纠错码（ECC）逻辑，默认处于启用状态

40+
￥41.65
400+
￥36.06
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￥32.66

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型号：MT29F1G08ABAEAWP-IT:E 编号：C2891523

封装：TSOPI-48

品牌：micron(镁光)

特性：符合开放 NAND 闪存接口 (ONFI) 1.0 标准。单级单元 (SLC) 技术。页面大小 x8：2112 字节 (2048 + 64 字节)。页面大小 x16：1056 字 (1024 + 32 字)。块大小：64 页 (128K + 4K 字节)。平面大小：2 个平面，每个平面 512 块

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