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首页 > 热门关键词 > 三星存储器
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CAT24C32 是一款 32-kb I2C 串行 EEPROM 器件,内部组织为 4096 个词,每个词 8 位。它具有 32 字节页写入缓存,支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。
数据手册
  • 5+

    ¥2.0023
  • 50+

    ¥1.5986
  • 150+

    ¥1.4255
  • 500+

    ¥1.1953
  • 3000+

    ¥1.0991
  • 6000+

    ¥1.0414
  • 有货
  • 是一款8K位电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该设备由四个256×8位存储器块组成,具有两线串行接口。其低电压设计允许在低至1.7V的电压下工作,待机和工作电流分别仅为1μA和1mA。还具备高达16字节数据的页写入能力。
    数据手册
    • 5+

      ¥2.6454
    • 50+

      ¥2.0799
    • 150+

      ¥1.8375
    • 500+

      ¥1.4048
    • 3000+

      ¥1.2702
    • 6000+

      ¥1.1894
  • 有货
  • SPI NOR FLASH,32Mbit,1.65~3.6V,USON2x3x0.45mm,Tape&Reel
    数据手册
    • 1+

      ¥3.44
    • 10+

      ¥2.79
    • 30+

      ¥2.47
    • 100+

      ¥2.15
    • 500+

      ¥1.83
    • 1000+

      ¥1.73
  • 有货
  • 的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装
    数据手册
    • 1+

      ¥3.87
    • 10+

      ¥3.16
    • 30+

      ¥2.81
    • 100+

      ¥2.45
    • 500+

      ¥2.24
    • 1000+

      ¥2.14
  • 有货
  • W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储
    数据手册
    • 20+

      ¥5.4
    • 200+

      ¥4.71
    • 600+

      ¥4.06
    • 2500+

      ¥3.72
    • 10000+

      ¥3.51
    • 20000+

      ¥3.4
  • 有货
  • W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储
    数据手册
    • 1+

      ¥6.1
    • 10+

      ¥5.28
    • 30+

      ¥4.87
    • 100+

      ¥4.47
    • 500+

      ¥4.03
    • 1000+

      ¥3.9
  • 有货
  • W25Q32JW(32M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI(XIP)直接执行代码以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 1+

      ¥8.59
    • 10+

      ¥7.33
    • 30+

      ¥6.7
    • 100+

      ¥6.07
    • 500+

      ¥5.7
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • 32-Mbit(4M x 8bit),SPI接口,工作电压:2.3V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥12.82
    • 10+

      ¥11.14
    • 30+

      ¥10.1
    • 100+

      ¥9.02
    • 500+

      ¥7.8
    • 1000+

      ¥7.59
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口-模式 0 和模式 3。单电源操作。读、擦除和编程操作电压为 2.7 至 3.6 伏。134,217,728 x 1 位结构,或 67,108,864 x 2 位(双 I/O 模式)结构,或 33,554,432 x 4 位(四 I/O 模式)结构。协议支持-单 I/O、双 I/O 和四 I/O。从 -1V 到 Vcc + 1V 可承受 100mA 的闩锁保护
    数据手册
    • 1+

      ¥18.32
    • 10+

      ¥15.5
    • 30+

      ¥13.74
    • 92+

      ¥10.17
    • 460+

      ¥9.36
    • 920+

      ¥9
  • 有货
  • Micron 2Gb x8/x16 NAND Flash Memory 是一款高性能的闪存设备,支持异步接口,具有单层单元 (SLC) 技术。该设备提供 2112 字节的页面大小,每个块包含 64 个页面,总共有 2048 个块。支持 1.8V 和 3.3V 供电电压,工业温度范围为 -40°C 到 +85°C。
    数据手册
    • 1+

      ¥85.27
    • 10+

      ¥81.83
    • 30+

      ¥75.88
    • 100+

      ¥70.7
  • 有货
    • 30+

      ¥155.51
    • 900+

      ¥148
  • 有货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。 VPP = 2.5V-125mV / + 250mV。 片上、内部、可调VREFDQ生成。 1.2V伪开漏I/O。 在TC温度范围内的刷新时间: -40°C至85°C时为64ms。85°C至95°C时为32ms
    数据手册
    • 1+

      ¥453.11
    • 30+

      ¥430.33
    • 32+

      ¥360.43
  • 有货
  • 特性:VDD = VDDQ = 1.2V ± 60mV。VPP = 2.5V-125mV + 250mV。On-die, internal, adjustable VREFDQ generation。1.2V pseudo open-drain I/O。TC maximum up to 95°C。64ms, 8192-cycle refresh up to 85°C
    • 1+

      ¥814.41
    • 30+

      ¥770.09
  • 有货
  • 24C01是一款1024位(1K位)的串行EEPROM,组织为256个8位字。采用先进的CMOS工艺制造,适用于低功耗和低电压应用。支持1.8V至5.5V的工作电压范围,工作温度范围为-40°C至85°C。具有标准的2线双向串行接口。
    • 20+

      ¥0.20159 ¥0.2122
    • 200+

      ¥0.15542 ¥0.1636
    • 600+

      ¥0.12977 ¥0.1366
    • 4000+

      ¥0.11438 ¥0.1204
    • 8000+

      ¥0.100985 ¥0.1063
    • 20000+

      ¥0.09386 ¥0.0988
  • 有货
  • ZD24C16A是一款兼容I2C协议的16K位串行EEPROM,具有16字节的页面大小,支持单电源供电,最高时钟频率为1MHz,写入时间为3ms。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.415
    • 100+

      ¥0.3391
    • 300+

      ¥0.2911
    • 1000+

      ¥0.2551
    • 5000+

      ¥0.2263
    • 10000+

      ¥0.2119
  • 有货
  • AT24C16D是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM),存储容量为2048字节,分为128页,每页16字节。具有低功耗CMOS技术,自定时编程周期,适用于智能仪器仪表、笔记本电脑、计算机、家用电器、汽车电子、通信设备和工业控制等领域。
    • 10+

      ¥0.4395
    • 100+

      ¥0.3532
    • 300+

      ¥0.3101
    • 1000+

      ¥0.2777
    • 4000+

      ¥0.2518
    • 8000+

      ¥0.2389
  • 有货
  • BL24C256A 是一种256Kbits的串行EEPROM,支持I2C双向数据传输协议,具有硬件写保护功能,适用于工业和商业应用。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8815
    • 50+

      ¥0.694
    • 150+

      ¥0.6003
    • 500+

      ¥0.53
    • 3000+

      ¥0.4737
    • 6000+

      ¥0.4456
  • 有货
  • 提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为4096个8位字。该设备针对许多工业和商业应用进行了优化,适用于低功耗和低成本操作,采用8引脚MSOP封装,并通过两线串行接口访问。
    数据手册
    • 5+

      ¥0.954
    • 50+

      ¥0.7449
    • 150+

      ¥0.6553
    • 500+

      ¥0.5435
    • 2500+

      ¥0.4863
    • 5000+

      ¥0.4564
  • 有货
  • 64 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥1.347
    • 50+

      ¥1.0678
    • 150+

      ¥0.9481
    • 500+

      ¥0.7988
    • 2500+

      ¥0.7324
  • 有货
  • CAT24C04 是一款 EEPROM 串行 2-Kb I2C 器件,内部组织为 32 页,每页 16 字节。此器件支持标准 (100 kHz) 协议也支持快速 (400 kHz) I2C 协议。数据写入方式为:提供开始地址,然后将 1 到 16 个连续字节加载到页写入缓存中,然后在一个内部写入循环中将所有数据写入非易失性内存。数据读取方式为:提供开始地址,然后以顺序移出数据,同时自动递增内部地址计数。外部地址引脚可在同一总线上实现最多四个 CAT24C04 器件的寻址。
    数据手册
    • 5+

      ¥1.9458
    • 50+

      ¥1.5189
    • 150+

      ¥1.336
    • 500+

      ¥1.1077
    • 3000+

      ¥0.9589
    • 6000+

      ¥0.8979
  • 有货
  • 24xxx04是一款4 Kbit的电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。该器件由两个256×8位的存储块组成,具备两线串行接口。其低电压设计允许在低至1 V的电压下工作
    数据手册
    • 5+

      ¥2.3869
    • 50+

      ¥1.9737
    • 150+

      ¥1.7967
    • 500+

      ¥1.5757
    • 3300+

      ¥1.4774
  • 有货
  • 特性:低电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。内部组织为 128 × 8 (1K) 或 256 × 8 (2K)。工业温度范围:-40°C 至 +85°C。I²C 兼容(两线)串行接口:100kHz 标准模式,1.7V 至 3.6V
    数据手册
    • 5+

      ¥2.5306
    • 50+

      ¥2.0269
    • 150+

      ¥1.811
    • 500+

      ¥1.4914
    • 2500+

      ¥1.3714
  • 有货
  • 256 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 1+

      ¥3.03
    • 10+

      ¥2.43
    • 30+

      ¥2.18
    • 100+

      ¥1.86
    • 500+

      ¥1.61
    • 1000+

      ¥1.52
  • 有货
  • W25X40CL(4M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储
    数据手册
    • 1+

      ¥5.51
    • 10+

      ¥4.86
    • 30+

      ¥4.53
    • 100+

      ¥4.2
    • 500+

      ¥4.01
    • 1000+

      ¥3.9
  • 有货
  • W25Q20EW(2M 位)串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 1+

      ¥6.24
    • 10+

      ¥5.33
    • 30+

      ¥4.87
    • 100+

      ¥4.42
    • 500+

      ¥4.14
    • 1000+

      ¥4
  • 有货
  • 4-Mbit(500K x 8bit),SPI接口,工作电压:1.65V to 3.6V
    数据手册
    • 1+

      ¥6.72
    • 10+

      ¥5.62
    • 30+

      ¥5.08
    • 100+

      ¥4.53
    • 500+

      ¥3.8
    • 1000+

      ¥3.63
  • 有货
  • 支持标准串行外设接口(SPI),并支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)和I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为240Mbits/s,四I/O和四输出数据传输速度为480Mbits/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.44
    • 10+

      ¥7.06
    • 30+

      ¥6.3
    • 100+

      ¥5.44
    • 500+

      ¥4.68
    • 1000+

      ¥4.5
  • 有货
  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备,适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作。
    • 1+

      ¥10.48
    • 10+

      ¥9.13
    • 30+

      ¥8.38
    • 100+

      ¥7.55
    • 500+

      ¥7.17
    • 1000+

      ¥7
  • 有货
  • 特性:支持串行外设接口。模式0和模式3。33,554,432 x 1位结构或16,777,216 x 2位(双I/O模式)结构或8,388,608 x 4位(四I/O模式)结构。每个扇区为4K字节,每个块为32K字节或64K字节。任何块都可以单独擦除。单电源操作
    • 1+

      ¥10.63
    • 10+

      ¥8.44
    • 30+

      ¥7.24
    • 100+

      ¥5.88
    • 500+

      ¥5.28
    • 1000+

      ¥5
  • 有货
  • 特性:读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。 支持唯一ID和安全OTP。 支持多I/O。 支持单I/O、双I/O和四I/O。 支持编程暂停/恢复和擦除暂停/恢复。 支持串行外设接口模式0和模式3。 具有16,777,216 x 1位结构或8,388,608 x 2位(双I/O模式)结构或4,194,304 x 4位(四I/O模式)结构。 每个扇区为4K字节,每个块为32K字节或64K字节,任何块都可单独擦除。 单电源供电,读、擦除和编程操作电压为2.3V-3.6V。 从-1V到Vcc +1V的闩锁保护电流为100mA
    • 1+

      ¥11.86
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥9.24
    • 100+

      ¥8.18
    • 500+

      ¥7.72
    • 1000+

      ¥7.5
  • 有货
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