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型号：H26M51002KPR 编号：C3002775

封装：FBGA-153

品牌：HYNIX(海力士)

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￥210.82
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型号：APS6404L-3SQN-SN 编号：C3028887

封装：SOP-8L

品牌：Apmemory

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型号：SST26VF032B-104I/SM 编号：C1523856

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（SQI）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF032B/032BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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￥28.25
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型号：AT24CM02-SSHD-T 编号：C461562

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM02提供2,097,152位（262,144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），支持1.7V至5.5V低电压和标准电压操作，具有工业温度范围（-40°C至+85°C）。支持I2C兼容（两线）串行接口，包括100kHz标准模式、400kHz快速模式和1MHz快速模式加（FM+）。内置错误检测和校正功能，具有1,000,000次写周期寿命和100年的数据保留能力。

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￥30.61
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型号：MT25QL128ABA8ESF-0SIT 编号：C427722

封装：SOP-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

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￥39.17
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￥33.33
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型号：CY7C1051DV33-10ZSXIT 编号：C475876

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY7C1051DV33是一款高性能CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有8-Mbit (512 K x 16)的存储容量。支持高速读写操作，工作电压为3.3V ± 0.3V，工作温度范围为-40℃至85℃。该器件支持低功耗模式，具有自动断电功能。

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￥51.95
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型号：GD5F2GM7UEYIGR 编号：C22412867

封装：WSON-8(8x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

SPI（串行外设接口）NAND 闪存基于行业标准的 NAND 闪存存储内核，为嵌入式系统提供了一种超高性价比且高密度的非易失性存储解决方案。它具备先进特性，是 SPI-NOR 闪存和标准并行 NAND 闪存的理想替代方案。 - 引脚总数为 8 个，包括 VCC 和 GND

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￥36.1

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型号：MX35LF2GE4AD-Z4I 编号：C2802771

封装：WSON-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：CY62167EV30LL-45BVXIT 编号：C2840303

封装：VFBGA-48

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

CY62167EV30是一款高性能CMOS静态RAM，组织为1M字节×16-Bit或2M字节×8-Bit。该设备具有先进的电路设计，提供超低功耗和高速度，适用于汽车应用。

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

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￥76.99
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型号：XT27G02BTSIGA 编号：C20417424

封装：TSOP-48

品牌：XTX(芯天下)

XT27G02B 是一款单通道 3.3V、2Gbit 的 NAND 电可擦除可编程只读存储器（NAND E2PROM），其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×2048 块。该器件有两个 2112 字节的静态寄存器，允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行（128 Kbytes + 4 Kbytes：2112 字节×64 页）

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￥77.28
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型号：MKPV4G08IT-AFX 编号：C42433424

封装：TSOP-48

品牌：MK(米客方德)

4Gbit nand，Flash类型:SLC，并行接口, -40°C to +85°C，TSOP-48

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￥78.192 ￥86.88
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￥68.292 ￥75.88
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￥62.82 ￥69.8

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型号：CSNP4GCR01-DPW 编号：C50396672

封装：LGA-8(6x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 4Gb SLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.耐高温,具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.别称:mini eMMC/贴片式TF卡

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型号：K4F8E3S4HD-MGCL 编号：C2920231

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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￥243.0065
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型号：SDINBDG4-16G-XI1 编号：C2830398

封装：BGA-153(11.5x13)

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：KLM8G1GEUF-B04P 编号：C2920508

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：AT24C01BS 编号：C51927310

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

是 I²C 兼容的串行 EEPROM（电可擦除可编程存储器）设备。包含一个 2Kbit（256 字节）的存储阵列，每页 8 字节。

20+
￥0.19089 ￥0.2121
200+
￥0.14814 ￥0.1646
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￥0.12438 ￥0.1382
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￥0.11016 ￥0.1224
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￥0.09774 ￥0.1086
20000+
￥0.09108 ￥0.1012

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型号：24C04S(XBLW) 编号：C41408451

封装：SOT-23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C04是一款4096位的串行电气可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为512个8位字。采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。支持标准2线双向串行接口，工作电压范围为1.8V至5.5V，工业温度范围为-40°C至85°C。具备100年的数据保留能力和100万次写周期寿命。

10+
￥0.396625 ￥0.4175
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￥0.314545 ￥0.3311
300+
￥0.273505 ￥0.2879
3000+
￥0.242725 ￥0.2555
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￥0.21812 ￥0.2296
9000+
￥0.20577 ￥0.2166

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型号：HX24C16DRG 编号：C5145457

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C16提供16K位的串行可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为2048个8位字。适用于多种工业和商业应用，支持低功耗和低电压操作。工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+85°C。具有硬件数据保护功能，支持100年的数据保留时间和1百万次写周期寿命。

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5+
￥0.4726
50+
￥0.3761
150+
￥0.3279
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￥0.2917
2500+
￥0.2507
5000+
￥0.2362

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型号：ZD25WD20CTIGT 编号：C5555028

封装：SOP-8

品牌：Zetta(澜智)

SPI NOR FLASH,2Mbit,1.65~3.6V,SOP-8-150mil,Tape&Reel

5+
￥0.4869
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￥0.427
200+
￥0.397
500+
￥0.3745
2500+
￥0.3566
5000+
￥0.3476

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型号：AT24C16DGKRG 编号：C19723711

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C16是一款16K位串行EEPROM，具有宽电压操作范围（1.7V至5.5V），工作温度范围为-40°C至+85°C。它支持两线串行接口，最大时钟频率为1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。该器件具有写保护引脚，支持16字节页写模式，自定时写周期时间最大为5ms，数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

5+
￥0.5041
50+
￥0.3985
150+
￥0.3457
500+
￥0.3061
3000+
￥0.2744
6000+
￥0.2585

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型号：AT24C02CMM/TR 编号：C7432365

封装：MSOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C02C是一款2K位I2C兼容串行EEPROM设备，设计用于1.7V至5.5V的供电电压范围，支持高达1MHz的传输速率，工作温度范围为-40°C至+105°C。该设备具有硬件和软件写保护功能，高可靠性，200万次写周期寿命，200年的数据保留时间。

5+
￥0.5046
50+
￥0.3989
150+
￥0.346
500+
￥0.3064
3000+
￥0.2747
6000+
￥0.2588

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型号：BL24C32F-PARC 编号：C2763398

封装：SOP-8L

品牌：BL(上海贝岭)

BL24C32F提供32768位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096字节。适用于多种工业和商业应用，低功耗和低压操作至关重要。

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5+
￥0.5173
50+
￥0.4093
150+
￥0.3553
500+
￥0.3148
2500+
￥0.2824
5000+
￥0.2661

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型号：HX24C08DRG 编号：C5145455

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24C08提供8K位（1024字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），适用于低功耗和低电压操作。支持1.7V至5.5V的工作电压范围，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有硬件写保护功能，自定时写周期时间为5ms，高可靠性，写周期寿命为100万次，数据保留时间为100年。

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5+
￥0.5173
50+
￥0.4117
150+
￥0.3589
500+
￥0.3193
2500+
￥0.2744
5000+
￥0.2585

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型号：24C16N(XBLW) 编号：C18723551

封装：DIP-8

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C16是一款16K位的串行EEPROM，采用8位宽的存储结构，支持标准2线双向串行接口。该设备适用于低电压和低功耗应用，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。

5+
￥0.5207
50+
￥0.4079
150+
￥0.3515
500+
￥0.3092
2000+
￥0.2754
4000+
￥0.2585

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型号：AT24C128CDR140 编号：C51026304

封装：SOP-8

品牌：GMIC(绿微)

24C128是一款提供128K比特位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），存储器的结构为16384x8比特，内部分为256页，每页64字节。IC接口，应用于低功耗、低电压等系统。主要特点包括写保护引脚提供硬件数据保护，宽工作电压范围1.8V～5.5V，两线串行接口，400kHz（1.8V～2.5V）和1MHz（2.5V～5.5V）时钟范围，64-byte页写，自定时写周期（最大5ms），高可靠性：擦写次数100万次，数据保存100年。

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￥0.624
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￥0.4953
150+
￥0.431
500+
￥0.3828
2500+
￥0.3442
4000+
￥0.3249

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型号：HX24LC08BDRG 编号：C2987258

封装：SOIC-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC02B/04B/08B/16B 提供 2K/4K/8K/16K 位的串行 EEPROM，支持 1.7V 到 5.5V 的宽电压操作，工作温度范围为 -40°C 到 +85°C。内部组织为 256/512/1024/2048 个 8 位字。支持 I2C 接口，最大时钟频率为 1MHz（5V），400kHz（1.8V, 2.5V, 2.7V）。具有硬件写保护功能，写周期寿命为 1 百万次，数据保留时间为 100 年。

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