ON安森美存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：MX25L1606EM2I-12G 编号：C415878

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：保持功能。低功耗。自动擦除和自动编程算法。额外的512位安全一次性可编程（OTP）用于唯一标识符。单电源操作。读取、擦除和编程操作电压为2.7至3.6伏

数据手册

1+
￥8.48
10+
￥7.13
30+
￥6.39
100+
￥5.55
500+
￥5.05
1000+
￥4.88

有货

立即购买

型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

数据手册

1+
￥9.07
10+
￥7.67
30+
￥6.9
100+
￥6.03
500+
￥5.42
1000+
￥5.25

有货

立即购买

型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

数据手册

1+
￥9.14
10+
￥7.68
30+
￥6.87
100+
￥5.96
500+
￥5.31
1000+
￥5.13

有货

立即购买

型号：GD25Q64ETIGR 编号：C2976334

封装：SOIC-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q64E（64M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

数据手册

1+
￥9.7
10+
￥7.99
30+
￥7.05
100+
￥5.99
500+
￥5.52

有货

立即购买

型号：FM25L04B-GTR 编号：C66018

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25L04B是一款4-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高频率可达20 MHz，具有100万亿次读写耐久性和151年的数据保持能力。该器件适用于需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。

数据手册

1+
￥9.93
10+
￥8.28
30+
￥7.37
100+
￥6.34
500+
￥5.88
1000+
￥5.68

有货

立即购买

型号：XT25F128FWOIGT-W 编号：C3202839

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：XTX(芯天下)

XT25F128F-W（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/RESET#）。

数据手册

1+
￥9.94
10+
￥8.32
30+
￥7.43
100+
￥6.43
500+
￥5.76
1000+
￥5.55

有货

立即购买

型号：MX25U6432FZNI02 编号：C2802906

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

特性：支持串行外设接口-模式0和模式3。单电源操作-读取、擦除和编程操作电压范围为1.65至2.0伏。 67,108,864 x 1位结构或33,554,432 x 2位（双I/O模式）结构或16,777,216 x 4位（四I/O模式）结构。协议支持-单I/O、双I/O和四I/O。从 -1V到Vcc + 1V的闩锁保护至100mA。 SPI模式的快速读取-所有协议支持高达133MHz的时钟频率

1+
￥11.17
10+
￥9.55
30+
￥8.66
100+
￥7.65
500+
￥7.21
1000+
￥7

有货

立即购买

型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

数据手册

1+
￥12.69
10+
￥11.04
30+
￥10.13
100+
￥8.05
500+
￥7.6
1000+
￥7.39

有货

立即购买

型号：47L16T-I/SN 编号：C2062434

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

带有EEPROM备份的4/16 Kbit SRAM的存储结构为512×8位或2,048×8位，并采用I²C串行接口。它为SRAM提供无限的读写周期，而EEPROM单元则提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外接电容，掉电时SRAM数据会自动传输到EEPROM中

数据手册

1+
￥13.83
10+
￥11.73
30+
￥10.41
100+
￥9.07

有货

立即购买

型号：AT24CM02-SSHD-T-TUDI 编号：C36533662

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24CM02是一款2,097,152位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为262,144个8位字。该设备支持I2C兼容的2线串行接口，具有低电压和标准电压操作（1.7V至5.5V）。它具有硬件数据保护功能，支持256字节页写模式，字写和部分页写。数据保留时间为100年，写周期寿命为100万次。

1+
￥15.67
10+
￥13.26
30+
￥11.75
100+
￥10.21
500+
￥9.51
1000+
￥9.21

有货

立即购买

型号：24LC515T-I/SM 编号：C616117

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

512K位I2C CMOS串行EEPROM，支持1.7V到5.5V的工作电压，具有低功耗CMOS技术，支持100kHz和400kHz时钟频率，具有硬件写保护功能。

1+
￥22.31
10+
￥19.1
30+
￥17.18
100+
￥15.25
500+
￥14.36

有货

立即购买

型号：GD25WQ128ESIGR 编号：C5749721

封装：SOIC-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥22.76
10+
￥19.65
30+
￥17.8
100+
￥15.94
500+
￥15.07
1000+
￥14.68

有货

立即购买

型号：DS2505+ 编号：C1523881

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

DS2505 16Kb 只写存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些批次或产品特定信息可通过最少的接口进行访问，例如微控制器的单个端口引脚。DS2505 包含一个工厂激光刻录的注册号，其中包括一个唯一的 48 位序列号、一个 8 位循环冗余校验码（CRC）和一个 8 位家族代码（0BH），外加 16Kb 用户可编程的 EPROM

数据手册

1+
￥25.08
10+
￥21.75
30+
￥18.88
100+
￥16.88

有货

立即购买

型号：MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 编号：C189908

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款铁电随机存取存储器 (FRAM) 芯片，采用 262,144 字 × 8 位配置，使用铁电工艺和硅栅 CMOS 工艺技术形成非易失性存储单元。采用串行外设接口 (SPI)，无需使用备用电池即可保留数据，存储单元可进行 10¹³ 次读/写操作，写入数据无需像闪存或 EPROM 那样等待。

数据手册

1+
￥30.93
10+
￥26.46
30+
￥22.98
100+
￥20.3
500+
￥19.06
1500+
￥18.5

有货

立即购买

型号：IS42S16160J-7BLI 编号：C1348766

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

256Mb SDRAM是一款高速CMOS动态随机存取存储器，设计用于3.3V VDD和3.3V VDDQ内存系统，包含268,435,456位。内部配置为具有同步接口的四体式DRAM。每个67,108,864位的体被组织为8,192行×512列×16位或8,192行×1,024列×8位。256Mb SDRAM包括自动刷新模式和节能掉电模式。所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存。所有输入和输出均与LVTTL兼容

数据手册

1+
￥50.26
10+
￥45.07
30+
￥39.9
100+
￥37.24

有货

立即购买

型号：MT25QL128ABA1EW7-0SIT 编号：C2887898

封装：DFN-8(5x6)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率（STR/DTR）。时钟频率：STR中所有协议的最大频率为133 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量最高可达90 MB/s。 STR和DTR均支持的协议：扩展I/O协议

数据手册

1+
￥73.2
10+
￥72
50+
￥69
100+
￥67.2
200+
￥66

我要订货

型号：XT61M4G8D2TA-B8BEA 编号：C558832

封装：BGA-162(8x10.5)

品牌：XTX(芯天下)

XT61M4G8D2TA-B8BxX 是一种多芯片封装 (MCP) 存储器，结合了 4Gb (512M x 8) NAND Flash 和 2Gb (64M x 32) 低功耗 DDR2 SDRAM。NAND Flash 提供高密度非易失性存储解决方案，而 LPDDR2 SDRAM 适用于需要大容量快速存储的应用，如临时数据访问。

数据手册

1+
￥53.576 ￥66.97
10+
￥52.896 ￥66.12
30+
￥51.712 ￥64.64
100+
￥45.16 ￥56.45

有货

立即购买

型号：W958D8NBYA5I 编号：C7420405

封装：TFBGA-24(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

特性：接口：HyperBus。电源：1.7V~2.0V。最大时钟频率：250MHz。双倍数据速率（DDR）高达500MB/s

1+
￥58.9
10+
￥55.48
30+
￥53.44
100+
￥51.38
480+
￥50.43

有货

立即购买

型号：XTSDQ02GWSIGA 编号：C7429713

封装：WSON-8

品牌：XTX(芯天下)

工业级

1+
￥61.792 ￥77.24
10+
￥60.936 ￥76.17
30+
￥59.448 ￥74.31
100+
￥58.144 ￥72.68

有货

立即购买

型号：K4B4G1646E-BYMA 编号：C2940213

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥86.11
10+
￥73.05
30+
￥65.08

有货

立即购买

型号：ZDSD04GLGEAG 编号：C2875854

封装：LGA-8(6x8)

品牌：Zetta(澜智)

SLC ，商业级（ -30℃ to+85℃），标准SD2.0协议，4Gbit，兼容SPI/SD/eMMC接口;内置ECC校验、坏块管理、均衡算法、异常断电保护等功能。别名贴片式TF卡；高可靠性第二代产品,SD NAND(SDNAND)

数据手册

1+
￥91.73
10+
￥80.86
30+
￥74.23
100+
￥63.7

有货

立即购买

型号：F60C1A0004-M79W 编号：C5126839

封装：FBGA-96

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：家用IPC、无人机、智能音箱、智能电视、机顶盒、POS机、GPON、电视盒子等。商规DDR3、消费类DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON等工业DDR3、工业宽温DDR3、工规DDR3、工规宽温DDR3、江波龙、LONGSYS、FORESEE、电视、机顶盒、网通、IPC、行车记录仪、智能手环、无人机、POS机、GPON、工业级

数据手册

1+
￥164.9
10+
￥160.89
30+
￥153.95
100+
￥141.36

有货

立即购买

型号：MKDN064GCL-AD 编号：C52754173

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 64Gbit(8GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥174.0115 ￥183.17
30+
￥165.9175 ￥174.65

有货

立即购买

型号：H5AN8G6NCJR-XNI 编号：C18213114

封装：FBGA-96(7.5x13)

品牌：HYNIX(海力士)

1+
￥187.56
30+
￥180

有货

立即购买

型号：MKEMC004GT1E-IE 编号：C2987690

封装：FBGA-153

品牌：MK(米客方德)

pSLC, 4GB 工业宽温级，擦写寿命(P/E) 3万次，-40°C ~ +85°C，11.5x13mm

数据手册

1+
￥273.2485 ￥287.63
30+
￥249.0615 ￥262.17

有货

立即购买

型号：THGBMJG6C1LBAU7 编号：C5224589

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：KIOXIA(铠侠)

我们的UFS（通用闪存存储）和e - MMC托管闪存解决方案将闪存和铠侠（KIOXIA）控制器集成在单个封装中。作为e - MMC的理想替代品，UFS兼具高性能、高能效和高可靠性，可满足包括智能手机、平板电脑、增强现实/虚拟现实（AR/VR）、汽车等在内的移动应用需求。

数据手册

1+
￥342.84
30+
￥325

有货

立即购买

型号：MKDN128GIL-ZAA 编号：C42415721

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等

1+
￥560.1865 ￥589.67
30+
￥531.715 ￥559.7

有货

立即购买

型号：AD24C02 编号：C5125033

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

数据手册

10+
￥0.2324
100+
￥0.1844
300+
￥0.1604
1000+
￥0.1424
4000+
￥0.1246
8000+
￥0.1174

有货

立即购买

型号：24C02-HXY 编号：C7427344

封装：SOP-8

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

24C02是一款低电压低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V到5.5V的工作电压，工业温度范围为-40°C到85°C。具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8 (2K)，标准2线双向串行接口，自定时编程周期（最大5ms），1 MHz (2.5-5V)，400 kHz (1.8V)兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护，高可靠性（通常1,000,000次耐久性），100年数据保留。

10+
￥0.2337 ￥0.246
100+
￥0.191045 ￥0.2011
300+
￥0.16967 ￥0.1786
1000+
￥0.153615 ￥0.1617
4000+
￥0.123975 ￥0.1305
8000+
￥0.117515 ￥0.1237

有货

立即购买

型号：AD24C02 编号：C7507360

封装：SOT-23-5L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

AD24C02是一款低电压、低功耗的两线串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，工业温度范围为-40°C至85°C。该器件具有16字节页写模式，部分页写操作允许，内部组织为256×8（2K）。标准2线双向串行接口，具有噪声保护的施密特触发输入，自定时编程周期（最大5ms），1MHz（2.5-5V）和400kHz（1.8V）兼容，自动擦除前写操作，硬件数据保护的写保护引脚，高可靠性：通常1,000,000次耐久性，100年数据保留时间。标准8引脚DIP/SOP/MSOP/TSSOP/DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23无铅封装。

10+
￥0.2813
100+
￥0.2266
300+
￥0.1992
3000+
￥0.1525
6000+
￥0.1361
9000+
￥0.1278

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示