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型号：24AA32AT-I/OT 编号：C2061066

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA32A/24LC32A（24×32A*）是一款32 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用双线串行接口，组织形式为一个4K×8位的单块存储器。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

数据手册

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￥3.24
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￥2.86
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￥2.68
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￥2.49
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￥2.38
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型号：HX24LC512BDRG 编号：C2987264

封装：SOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

HX24LC512B提供524,288位的串行EEPROM，组织为65,536个8位字。支持1.8V至5.5V的工作电压，具有硬件数据保护功能。工作温度范围为-40°C至+85°C，支持部分页写入，自定时写周期时间为5ms。写周期寿命为1百万次，数据保留时间为100年。支持I2C两线串行接口。

数据手册

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￥3.26
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￥2.55
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￥2.25
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￥1.87
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￥1.65
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￥1.54

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型号：24LC512T-I/SN-TUDI 编号：C41411009

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

24AA512/24LC512（24XX512*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.8V至5.5V）内工作。

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￥3.64
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型号：CAT24AA16TDI-GT3-TUDI 编号：C42372939

封装：SOT-23-5

品牌：TD(钍地半导体)

24AA16 提供 16384 位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 2048 个 8 位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。

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型号：GD25Q40ETIGR 编号：C2928893

封装：SOP-8-150mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

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￥4.32
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型号：M95040-DRMN3TP/K 编号：C2061115

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用4 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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型号：25Q32DR-TD 编号：C49211306

封装：SOP-8-150mil

品牌：TDSEMIC(拓电半导体)

通信模式：支持标准 SPI 接口，也支持双输出 / 四输出的 SPI 模式。在双输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 266Mbit/s；四输出 SPI 模式下，数据传输速度可达 532Mbit/s

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型号：24AA025UIDT-I/OT 编号：C2061498

封装：SOT-23-6

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02UID/24AA025UID（24AA02XUID*）是一款 2 Kbit 的电可擦除 PROM，具有预编程的 32 位唯一 ID。该器件由两个 128×8 位的存储块组成，并配备两线串行接口。低电压设计允许其在低至 1 的电压下工作

数据手册

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￥4.47
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￥2.19
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型号：GD25Q80ESIGR 编号：C2922791

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q80E（8M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

数据手册

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￥4.66
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￥3.97
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型号：M95256-DRMN3TP/K 编号：C157455

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

数据手册

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￥2.72
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型号：GD25LQ16ETIGR 编号：C6260514

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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￥5.41
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型号：W25X20CLUXIG-TR 编号：C164121

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列产品提供了远超普通串行闪存设备的灵活性和性能，适用于代码下载应用以及存储语音、文本和数据。器件在2.3V至3.6V单电源下工作，工作电流低至1mA，掉电电流低至1μA。所有器件均采用节省空间的封装。阵列由1024个可编程页面组成，每个页面256字节，每次最多可编程256字节。具有64个可擦除扇区、2/4/8个可擦除32KB块和4个可擦除64KB块

数据手册

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￥6.07
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￥5.3
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￥4.97
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￥4.22
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型号：ZD25C1MA-XGMT 编号：C53953985

封装：TSSOP-8

品牌：Zetta(澜智)

ZD25C1MA是一款1Mbit EEPROM，支持SPI接口，具有高可靠性，工作电压范围为1.7V至5.5V，工作温度范围为-40°C至105°C，写周期寿命为2百万次，数据保留时间为200年

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￥6.33
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￥5.12
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￥3.55
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￥3.37

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型号：AT45DB041E-SSHN-T 编号：C226095

封装：SOIC-8

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

4MB存储容量,8 bit,SPI接口,1.65V-3.6V

数据手册

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￥6.7
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￥3.62
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￥3.43

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型号：93LC56B-I/P 编号：C613877

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

2Kbit低电压串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。字可选设备（如93AA56C、93LC56C或93C56C）取决于驱动ORG引脚的外部逻辑电平来设置字长。对于专用8位通信，有相应设备可用；对于专用16位通信，也有对应设备。先进的CMOS技术使这些设备适用于低功耗、非易失性存储器应用。整个系列有标准封装和先进封装，所有封装均为无铅（雾锡）表面处理。

数据手册

1+
￥6.76
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￥4.94
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￥4.33
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￥3.97

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型号：HG25Q128BMW/TR 编号：C22461597

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q128MW/TR升级替代料，建议试样，3.3v128m位串行闪存，带有双/四元SPI

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￥8.28
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￥4.49

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型号：AT24CM01-XHM-T 编号：C2653508

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

数据手册

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￥10.46
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￥7.89
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￥6.22

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型号：MX25L3206EM2I-12G 编号：C415880

封装：SOP-8-200mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

该设备具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三个总线信号分别是时钟输入 (SCLK)、串行数据输入 (SI) 和串行数据输出 (SO)。通过 CS 启用对设备的串行访问。

数据手册

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￥10.8
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￥9.01
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￥6.92
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￥6.2

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型号：W25Q64JVSFIQ TR 编号：C2456207

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥11.72
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￥11.63
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￥11.57
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￥11.5

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型号：DS2431+T&R 编号：C2838751

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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1+
￥13.24
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￥11.2
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￥9.92
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￥8.61

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型号：AT25M02-SSHD-T-TUDI 编号：C41355579

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

串行电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)

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￥13.84
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￥12.71
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￥12
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￥11.28
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￥10.95

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型号：AT25512N-SH-T 编号：C779669

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT25512提供524,288位的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为65,536个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低压操作是必需的。设备提供8引脚SOIC、8引脚TSSOP和8垫UDFN封装，所有封装均可在1.8V至5.5V范围内工作。

数据手册

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￥15.46
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￥13.12
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￥11.66
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￥10.16
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￥9.48

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型号：23LC1024T-I/SN 编号：C114449

封装：SOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI和SQI接口。工作电压范围为2.5V至5.5V，支持无限次读写操作，零写入时间，128K x 8-Bit组织结构。

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￥18.06
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￥15.33
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￥13.62
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￥11.87

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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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