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型号：GD25Q32ETIGR 编号：C2986328

封装：SOP-8

品牌：GigaDevice(兆易创新)

32MBIT（4M x 8）SPI - 四 I/O 133 MHz 7 ns 3.3V

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￥6.88
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型号：GD25LQ128EWIGR 编号：C2928889

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ128E（128M 位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路 SPI：串行时钟、片选、串行数据 I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双 I/O 数据传输速度为 240Mbit/s，四路 I/O 数据传输速度为 480Mbit/s。

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型号：IS25LP064D-JKLA3-TR 编号：C27531352

封装：WSON-8(5x6)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP064D 和 IS25WP064D 串行闪存为简化引脚封装提供了高灵活性和高性能的多功能存储解决方案。“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 接口

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型号：M95P32-IXMNT/E 编号：C5267629

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

超低功耗 32 Mbit 串行 SPI 页 EEPROM

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￥12.96
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型号：APS6404L-SQN-SN 编号：C5360304

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

该伪静态随机存取存储器（PSRAM）设备具有高速、低引脚数接口。它有4个单数据速率（SDR）输入/输出（I/O）引脚，可在串行外设接口（SPI）或四路外设接口（QPI）模式下运行，频率高达144 MHz。存储器的数据输入（A/DQ）依靠时钟（CLK）来锁存所有指令、地址和数据。它最适合用于低功耗和低成本的便携式应用。它集成了无缝的自管理刷新机制，因此不需要系统主机提供动态随机存取存储器（DRAM）刷新支持。自刷新功能是一种特殊设计，旨在最大限度地提高存储器读取操作的性能。

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￥15.31
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型号：HG25Q256BMW/TR 编号：C52204739

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3V, 256M-BIT [ x1/ x2/ x4] (SERIAL MULTI I/O) FLASH MEMORY

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￥16.34
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型号：APS6404L-3SQR-SN 编号：C5333729

封装：SOP-8

品牌：Apmemory

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型号：XT61M1G8C2TM-B8BEA 编号：C29781628

封装：BGA-162(10.5x8)

品牌：XTX(芯天下)

1G NAND (8bit. ECC;x8) +1G LP DDR2 (x32)

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￥30.008 ￥37.51
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型号：W25N512GVEIG 编号：C3024446

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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￥31.23
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型号：W25Q256JWEIQ 编号：C2940048

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：GD5F1GQ4UBYIGR 编号：C492071

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

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型号：M25P16-VMN6TP 编号：C151067

封装：SOIC-8-150mil

品牌：micron(镁光)

M25P16 是一款 16Mb（2Mb x 8）串行闪存存储器件，具备先进的写保护机制，可通过高速 SPI 兼容总线访问。该器件支持时钟频率高达 75MHz 的高性能命令。使用 PAGE PROGRAM 命令，每次可对 1 至 256 字节的存储器进行编程

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型号：W971GG6NB-25 编号：C2826924

封装：VFBGA-84

品牌：Winbond(华邦)

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型号：W632GU6RB-11 编号：C39979278

封装：VFBGA-96(7.5x13)

品牌：Winbond(华邦)

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型号：MT48LC16M16A2P-6A:G 编号：C5128621

封装：TSOP-54-400mil

品牌：micron(镁光)

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机访问存储器，包含268,435,456位。它内部配置为四bankDRAM，具有同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿注册）。每个x4的67,108,864位bank组织为8192行x2048列x4位。每个x8的67,108,864位bank组织为8192行x1024列x8位。每个x16的67,108,864位bank组织为8192行x512列x16位。

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型号：MT25QU256ABA1EW9-0SIT 编号：C2062658

封装：WPDFN-8-EP(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议的最大频率为166 MHz。DTR中所有协议的最大频率为90 MHz。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持的协议：扩展、双和四I/O的STR和DTR

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型号：MKDN032GCL-AD 编号：C52754172

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND 32Gbit(4GByte),MLC，商业级 -25°C to +85°C，支持1.8v/3.3v IO电压,别名SDNAND、贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

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型号：K4A8G165WB-BCRC 编号：C2803252

封装：FBGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：SDINBDG4-8G-XA 编号：C22405955

封装：-

品牌：SANDISK(闪迪)

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型号：MX66UW1G45GXDI00 编号：C21197302

封装：-

品牌：MXIC(旺宏电子)

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型号：KLMBG2JETD-B041 编号：C5821038

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

三星eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此只需使用行业标准的MMC协议v5.1对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V的电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

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型号：K4U6E3S4AA-MGCL 编号：C2920249

封装：FBGA-200

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

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型号：MKDN064GIL-ZA 编号：C3041336

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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型号：NT5AD512M16C4-JR 编号：C24169788

封装：TFBGA-96

品牌：Nanya(南亚科技)

特性：基于DDR4标准。 8n预取架构。差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)。 DQS、DQS和DM上的双倍数据速率-DRAM访问带宽。按存储体组分开的I/O门控结构。自刷新中止

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￥302.51
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￥290

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型号：MKDN032GIL-AA 编号：C2935348

封装：LGA-16(9x12.5)

品牌：MK(米客方德)

MK Nano SD NAND 是一款设计为 LGA 封装形式的嵌入式存储解决方案。其操作类似于 SD 卡，适用于工业级应用。该器件包括 NAND 闪存和高性能控制器，支持高达 208MHz 的时钟频率，符合 SD3.0 接口标准。

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￥266.494 ￥280.52

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型号：FEMDRW016G-88A43 编号：C2841376

封装：FBGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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型号：FEMDRW128G-88A19 编号：C719928

封装：BGA-153

品牌：FORESEE(江波龙)

应用领域：工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装。EMMC,工业EMMC，工业宽温EMMC、FORESEE, LONGSYS,工规宽温EMMC，工规宽温存储芯片，工业宽温存储芯片，工规芯片，工业芯片、国产EMMC、国产工规宽温EMMC、国产工业宽温EMMC、江波龙、工业控制、通讯基站、智能电网、车载前装、工业级、汽车级、工规级

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