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型号：THGAMVG7T13BAIL 编号：C7599693

封装：BGA-153(11.5X13)

品牌：KIOXIA(铠侠)

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￥230.02
30+
￥220

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型号：M93C66-RMN3TP/K 编号：C157429

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用4-Kbit MICROWIRE串行EEPROM

数据手册

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￥4.1
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￥3.34
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￥2.97
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￥2.59
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￥2.37
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￥2.25

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型号：BL24CM1A-NTRC 编号：C2999164

封装：UDFN-8L(2x3)

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM1A是一款1Mbit (131072x8)的串行EEPROM，支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。该器件提供高可靠性，支持部分页写入，增强的ESD/Latch-up保护，以及100年的数据保留时间。适用于多种工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作方面。

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￥4.24
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￥3.43
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￥3.02
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￥2.62
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￥2.38
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￥2.26

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型号：MX25L512EOI-10G 编号：C504706

封装：TSSOP-8

品牌：MXIC(旺宏电子)

是一款CMOS 524,288位串行闪存，内部配置为65,536×8。具有串行外设接口和软件协议，允许在简单的三线总线上运行。三条总线信号是

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￥4.82
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￥3.94
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￥3.5
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￥3.06
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￥2.8
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￥2.66

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型号：MX25V8035FZUI 编号：C5820618

封装：USON-8(2x3)

品牌：MXIC(旺宏电子)

MX25V8035F是一款8Mb的串行NOR闪存。

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￥5.78
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￥4.93
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￥4.51
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￥3.83
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￥3.7

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型号：GX28E01D2F 编号：C22435413

封装：DFN-6(3x3)

品牌：GXCAS(中科银河芯)

GX28E01D2F是一款带有SHA-1引擎保护的1Kb单总线EEPROM，用于提供高度的身份验证安全性。该芯片可以处理64位和320位的SHA-1输入块密钥以及64位随机挑战和附加芯片数据。EEPROM阵列配置分为4页256位，带有一个64位暂存器来执行写操作。所有的存储器页都可以设置为写保护，其中一页可以置于EEPROM仿真模式。

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￥6.1
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￥4.4
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￥4

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型号：BL24CM2A-PARC 编号：C2932512

封装：SOP-8

品牌：BL(上海贝岭)

BL24CM2A提供2097152位（262144字节）的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。支持I2C双向数据传输协议，具有硬件数据保护功能。包含一个额外的256字节识别页，支持1百万次写入寿命，数据保留时间为100年。

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￥6.45
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￥5.24
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￥4.04
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￥3.49

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型号：GD25LQ32EEIGR 编号：C2939873

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25LQ32E（32M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI）以及双/四路SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3（HOLD#）。双I/O数据传输速度为266Mbit/s，四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。

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￥7.24
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￥6.16
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￥5.62
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￥3.03
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￥2.86

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型号：M95M01-RMN6P 编号：C1349274

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

特性：封装形式：SO8 (MN) 150 mil宽度、TSSOP8 (DW) 169 mil宽度、WLCSP (CS和CU)、未切割晶圆。与串行外设接口 (SPI) 总线兼容。内存阵列：1 Mbit (128 Kbytes) EEPROM，页面大小为256字节。写入速度：字节写入在5 ms内，页面写入在5 ms内

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￥9.81
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￥8.23
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￥7.36
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￥6.38
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￥5.94
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￥5.74

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型号：DS2502P+T&R 编号：C22443045

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)

DS2502 1Kb 只追加存储器可识别并存储与其关联产品的相关信息。这些特定批次或产品的信息可通过简易接口访问，例如，利用微控制器的单端口引脚。DS2502 包含一个工厂激光刻蚀的注册号，其中有唯一的 48 位序列号、8 位循环冗余校验码（CRC）和 8 位家族代码（09h），另外还有 1Kb 用户可编程的电可擦可编程只读存储器（EPROM）

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￥10.06
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￥8.35
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￥7.42
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￥6.36

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型号：M24M01-RMN6P 编号：C1349431

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

M24M01是一款1 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦可编程存储器），组织形式为128 K×8位。M24M01 - R可在1.8 V至5.5 V的电源电压下工作，M24M01 - DF可在1.7 V至5.5 V的电源电压下工作，工作环境为……（原句未完整）

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￥10.11
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￥8.43
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￥7.5
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￥6.46
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￥5.9
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￥5.69

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型号：M95M01-DFCS6TP/K 编号：C221451

封装：WLCSP-8(1.7x2.6)

品牌：ST(意法半导体)

1-Mbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥7.081 ￥9.7

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型号：W25Q64JWBYIQ 编号：C2691929

封装：WLCSP-12

品牌：Winbond(华邦)

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￥15.29
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型号：W25Q16JWSNIQ 编号：C7117004

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JW（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥15.42
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￥12.98
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￥9.9
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￥9.2
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￥8.89

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型号：AT25M01-SSHM-T 编号：C117499

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25M01提供1,048,576位的串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要。AT25M01通过片选引脚（CS(overline)）使能，并通过一个由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口进行访问

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￥15.53
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型号：W25Q128JVSIM 编号：C2613930

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

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￥16.69
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￥12.5
90+
￥10.85
540+
￥10.11
990+
￥9.78

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型号：24FC1025T-I/SN 编号：C219471

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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￥18.15
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￥12.41
500+
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型号：GD25Q127CSIGR 编号：C395513

封装：SOP-8-208mil

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25Q127C（128M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）和I/O3（HOLD#/ RESET#）。双I/O数据传输速度为208Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为416Mbit/s。

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1+
￥21.04
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￥18.89
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￥17.54
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￥16.16
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￥8.38
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￥8.1

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型号：MX25L25645GZNI-08G 编号：C2802981

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥30.95
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￥24.85
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￥22.55
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￥21.48
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￥21

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型号：AS4C16M16SA-6TIN 编号：C570212

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Alliance Memory

256Mb SDRAM，166MHz，TSOP II封装，工业级工作温度范围 -40°C~85°C，单 +3.3V ±0.3V 供电，支持多种突发长度和突发类型。

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1+
￥35.29
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￥30.66
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￥27.91
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￥25.13
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￥23.85
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￥23.27

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型号：IS62WV5128EBLL-45HLI 编号：C1348955

封装：STSOP-32-11.8mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62/65WV5128EALL/BLL/CLL是高速4M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×8位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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1+
￥35.68
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￥30.64
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￥27.64
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￥24.61

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型号：W25N01KVZEIR TR 编号：C36919433

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

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￥37.81
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￥32.88
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￥29.95
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￥26.99
2000+
￥25.62
4000+
￥25

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型号：FM24V10-GTR 编号：C466851

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24V10是一种1-Mbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺，组织为128K×8。它提供高耐久性的读写操作，支持高达3.4 MHz的快速两线串行接口（I2C）。该存储器具有低功耗、高速写入和长达151年的数据保留时间，适用于频繁写入的应用场景。

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￥42.59
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￥37.49
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￥30.85
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￥27.78
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￥26.37
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￥25.73

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型号：IS62WV51216BLL-55TLI-TR 编号：C2064581

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL是高速8M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为512K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

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￥51.32
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￥44.18
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￥38.18

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型号：MT47H64M16NF-25E:M 编号：C367427

封装：FBGA-84(8x12.5)

品牌：micron(镁光)

1Gb DDR2 SDRAM，支持4n位预取架构，具有差分时钟输入和输出数据同步功能。提供8个内部存储库以实现并发操作，支持可编程的读写突发长度。工作电压为1.8V ± 0.1V。

数据手册

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￥52.03
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￥45.41
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￥41.38
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￥38

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型号：MT25QL256ABA8ESF-0SIT TR 编号：C2653526

封装：SO-16-300mil

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议为133 MHz (MAX)。DTR中所有协议为90 MHz (MAX)。双/四I/O命令，吞吐量高达90 MB/s。支持协议：扩展、双和四I/O，包括STR和DTR

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1+
￥73.43
10+
￥64.27
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￥58.69
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￥54

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型号：EMMC04G-M627-Y02U 编号：C43168982

封装：FBGA-153

品牌：Kingston(金士顿)

e•MMC™产品遵循JEDEC e•MMC™ 5.1标准。它是众多电子设备的理想通用存储解决方案，这些设备包括智能手机、平板电脑、个人数字助理（PDA）、电子书阅读器、数码相机、录音机、MP3和MP4播放器、电子学习产品、数字电视和机顶盒。

20+
￥145.5
600+
￥138

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型号：K4A8G165WG-BCWE 编号：C41368581

封装：BGA-96

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

1+
￥154.29
30+
￥140

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型号：MKEML064GV1E-C 编号：C48936275

封装：FBGA-153(11.5x13)

品牌：MK(米客方德)

闪存类型TLC,64GB eMMC,11.5x13mm,-25°C to +85°C ；LDPC纠错,极大提升了产品的可靠性（相比BCH纠错，LDPC的能力提升一倍）,支持Smart 功能，动态监测Flash 健康状况

1+
￥266.285 ￥280.3
30+
￥253.3935 ￥266.73

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型号：MKDN128GIL-ZC 编号：C53374591

封装：LGA-16(9x13)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:pSLC,工业级宽温，擦写3万次 -40°C to +85°C,支持1.8v/3.3v IO电压内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。SD NAND别名贴片式TF卡, 贴片式SD卡，SD Flash，工业级SD卡,工业级TF卡，嵌入式SD卡，焊接式SD卡、SDNAND等，应用：工业设备、物联网终端、嵌入式系统、数据记录

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￥313.7936 ￥341.08
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￥298.6044 ￥324.57

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