ON安森美存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT24C256CDGKRG 编号：C19723713

封装：MSOP-8

品牌：HGC(深圳汉芯)

AT24C256C是一款256 Kbit的I²C兼容串行EEPROM（电可擦除可编程存储器）器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最大传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C

5+
￥1.6812
50+
￥1.3032
150+
￥1.1412
500+
￥0.9391
3000+
￥0.8491
6000+
￥0.795

有货

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型号：M24C64-FMC6TG 编号：C283446

封装：DFN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥1.7845
50+
￥1.3916
150+
￥1.2232
500+
￥1.013

有货

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型号：FM24C512D-TS-T-G 编号：C192125

封装：TSSOP-8

品牌：FM(复旦微)

FM24C512D提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为65,536个8位字，带有128位UID和128字节安全区。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一个公共两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压操作至关重要。

数据手册

5+
￥2.2119
50+
￥1.7376
150+
￥1.5343
500+
￥1.2807
2500+
￥1.1678

有货

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型号：24AA04T-I/OT 编号：C2062002

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX04是一款4 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，由两个256×8位的存储块组成。其低压设计允许在低至1 V的电压下工作

数据手册

5+
￥2.3231
50+
￥1.8443
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￥1.6391
500+
￥1.3831

有货

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型号：AT93C56B-SSHM-T 编号：C111441

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C56B/66B提供2048/4096位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），当ORG引脚连接到V(CC)时，其组织形式为128/256个16位字；当ORG引脚接地时，为256/512个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。AT93C56B/66B提供节省空间的8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、8焊盘XDFN和8球VFBGA封装

数据手册

5+
￥2.3787
50+
￥1.8403
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￥1.6095
500+
￥1.3216
2500+
￥1.1934

有货

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型号：GT20L24F6Y 编号：C126754

封装：SOT-23-6

品牌：GENITOP(高通)

GT20L24F6Y是一款支持多国文字的字库芯片，支持12套ASCII、拉丁文、西里尔文，希伯来文，同时支持14套ISO8859字符集，该字库支持多达173国文字。排列格式为竖置横排。用户通过字符内码，利用所提供库文件内的函数接口可直接读取该内码的点阵信息。

数据手册

1+
￥2.71
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￥2.15
30+
￥1.92
100+
￥1.62
500+
￥1.34
1000+
￥1.26

有货

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型号：M24256-BFMC6TG 编号：C283431

封装：UFDFPN-8(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

256 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.47
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￥2.7
30+
￥2.37
100+
￥1.96
500+
￥1.77
1000+
￥1.66

有货

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型号：11AA010T-I/TT 编号：C616172

封装：SOT-23

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

11AAXXX/11LCXXX（11xx*）系列器件是一组容量从1 Kbit到16 Kbit的串行电可擦除PROM。这些器件采用x8位存储块结构，并支持获得专利的单输入/输出UNI/O⊕串行总线。通过使用曼彻斯特编码技术，时钟和数据被合并为单一的串行比特流（SClO），接收器从中提取时钟信号，以正确解码每个比特的时序和数值

数据手册

1+
￥3.7
10+
￥3.01
30+
￥2.66
100+
￥2.32
500+
￥2.11
1000+
￥2.01

有货

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型号：M95640-DRDW8TP/K 编号：C2971645

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

数据手册

1+
￥4.34
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￥3.49
30+
￥3.06
100+
￥2.64
500+
￥2.27
1000+
￥2.14

有货

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型号：W25Q20EWUXIE TR 编号：C401660

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q20EW（2M 位）串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q 系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

数据手册

1+
￥5.94
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￥5.03
30+
￥4.57
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￥4.12
500+
￥3.84
1000+
￥3.7

有货

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型号：M24C08-DRDW3TP/K 编号：C2965398

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车级8 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥6.46
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￥5.31
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￥4.68
100+
￥3.96
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￥3.65
1000+
￥3.5

有货

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型号：AT24CM01-SSHD-T 编号：C36553

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥7.6
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￥6.36
30+
￥5.68
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￥4.62
500+
￥4.28
1000+
￥4.13

有货

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型号：24LC512-I/SN 编号：C455433

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

数据手册

1+
￥8.51
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￥7.36
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￥6.72
100+
￥6.01
500+
￥5.69

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型号：M24M02E-FMC6TG 编号：C29549719

封装：DFN-8-EP(2x3)

品牌：ST(意法半导体)

M24M02E-F是一款2 Mbit的I²C兼容EEPROM（电可擦除可编程存储器），组织形式为256 K×8位。该器件可在1.6 V至5.5 V的电源电压下工作，时钟频率为1 MHz（或更低），环境温度范围为 -40℃至 +85℃。M24M02E-F提供三个8位寄存器

1+
￥9.09
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￥8.28
30+
￥7.76
100+
￥7.24
500+
￥7
1000+
￥6.9

有货

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型号：AT24C256C-MAHL-T 编号：C2063074

封装：UDFN-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压运行:VCC = 1.7V 至 5.5V。内部组织为 32,768 x 8 (256K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C。I2C 兼容 (2 线) 串行接口:100kHz 标准模式，1.7V 至 5.5V

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.54
30+
￥6.65
100+
￥5.63
500+
￥5.19

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型号：24CW1280T-I/OT 编号：C2061808

封装：SOT-23-5

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24CW16X/24CW32X/24CW64X/24CW128X（24CW系列）器件采用I²C（两线制）串行接口，提供16 - 128 Kbit的串行EEPROM。24CW系列按每字节8位组织，容量为2048/4096/8192/16384字节（2 - 16 Kbyte）。24CW系列针对消费和工业应用进行了优化，在这些应用中，可靠的非易失性存储至关重要

数据手册

1+
￥9.67
10+
￥8.08
30+
￥7.2
100+
￥5.95
500+
￥5.51
1000+
￥5.31

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型号：25LC512T-I/SN 编号：C31769

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的串行EEPROM存储器，具备字节级和页级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页、扇区和芯片擦除功能。这些功能在进行字节或页写入操作时并非必需

数据手册

1+
￥10.51
10+
￥8.87
30+
￥7.85
100+
￥6.8
500+
￥6.32
1000+
￥6.12

有货

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型号：AT24C1024BN-SH-T 编号：C36533654

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

AT24C1024是一款1M位（131,072 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于工业和商业应用。

1+
￥12.22
10+
￥11.21
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￥10.59
100+
￥9.94
500+
￥9.65
1000+
￥9.52

有货

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型号：DS2431Q+T&R 编号：C879661

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥14.08
10+
￥11.54
30+
￥9.96
100+
￥8.33
500+
￥7.6

有货

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型号：24LC1025T-I/SM 编号：C183301

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/24FC1025（24xx1025*）是一款128K x 8（1024K位）串行电可擦除可编程只读存储器（PROM），能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

数据手册

1+
￥18.69
10+
￥16.74
30+
￥15.53
100+
￥14.28
500+
￥13.71
1000+
￥13.47

有货

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型号：PM004MNIATR 编号：C5444277

封装：SOP-8

品牌：Siproin(上海矽朋)

支持SPI/QPI接口协议的STT-MRAM 非易失磁存储器

数据手册

1+
￥19.08
10+
￥16.22
30+
￥14.43
100+
￥12.12
500+
￥11.29
1000+
￥10.93

有货

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型号：DS28EC20P+T 编号：C2063099

封装：TSOC-6

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

20Kb1-WireEEPROM、 20Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

数据手册

1+
￥20.97
10+
￥17.95
30+
￥16.07
100+
￥14.14
500+
￥13.27

有货

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型号：W9864G6KH-6I 编号：C503937

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：Winbond(华邦)

W9864G6KH 是一个高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM)，组织为 1M words x 4 banks × 16 bits。W9864G6KH 的数据带宽可达每秒 200M words。对于不同的应用，W9864G6KH 被分为以下速度等级：-5、-6、-6l 和 -7。-5 等级部件可运行至 200MHz/CL3。-6 和 -6l 等级部件可运行至 143MHz/CL3，trp=18ns。

8+
￥21.01
80+
￥20.73
240+
￥20.19
800+
￥20

有货

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型号：IS62WV12816BLL-55TLI 编号：C397872

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS62WV12816ALL/IS62WV12816BLL是高速2M位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为128K字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，造就了高性能、低功耗的器件

数据手册

1+
￥21.68
10+
￥18.6
30+
￥16.76
100+
￥14.91
500+
￥14.05

有货

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型号：24LC1025T-E/SN 编号：C2061812

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1025是一款128K x 8位的I2C串行EEPROM，支持1.8V至5.5V的工作电压范围，具有100,000次擦写寿命，数据保持时间为200年。该器件支持1 MHz的时钟频率，适用于工业温度范围（-40°C至+85°C）。

数据手册

1+
￥22.65
10+
￥19.44
30+
￥17.53
100+
￥15.59
500+
￥14.7
1000+
￥14.3

有货

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型号：IS25LP256D-JLLE-TR 编号：C2886434

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS25LP256D 和 IS25WP256D 串行闪存为采用简化引脚封装的系统提供了灵活且高性能的存储解决方案。这种“行业标准串行接口”闪存适用于对空间、引脚数量和功耗要求较低的系统。该器件通过一个 4 线 SPI 接口进行访问，该接口由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）、串行时钟（SCK）和片选使能（CE#）引脚组成，也可配置为多 I/O 模式

数据手册

1+
￥30.02
10+
￥26.45
30+
￥24.32
100+
￥20.94
500+
￥19.95
1000+
￥19.5

有货

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型号：GD5F1GM7UEWIGR 编号：C24068147

封装：WSON-8(5x6)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

1+
￥31.79
10+
￥27.17
30+
￥24.36
100+
￥22

有货

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型号：23LC1024-I/ST 编号：C1523870

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LC1024是一款1 Mbit SPI兼容的串行SRAM，支持SDI（双线）和SQI（四线）接口。该设备通过简单的SPI兼容串行总线访问内存，支持无限次读写操作，零写入时间，以及字节、页和顺序模式的读写操作。

数据手册

1+
￥33.57
10+
￥28.51
30+
￥25.5
100+
￥22.46

有货

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型号：FM25V05-GTR 编号：C66025

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25V05是一款512-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间、高速SPI接口（最高40MHz），低功耗特性（300μA@1MHz，90μA待机电流，5μA睡眠模式电流）。支持SPI模式0和3，工作电压2.0V至3.6V，工作温度范围-40℃至+85℃，8引脚SOIC封装。

数据手册

1+
￥36.43
10+
￥31.74
30+
￥28.95
100+
￥24.89
500+
￥23.59
1000+
￥23

有货

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型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C41349555

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。

1+
￥64.91
10+
￥58.83
30+
￥55.12
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￥52

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