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型号：M95640-DRDW8TP/K 编号：C2971645

封装：TSSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行SPI总线EEPROM，具有高速时钟，工作温度105°C

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￥4.36
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￥3.51
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￥3.08
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￥2.66
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￥2.29
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￥2.16

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型号：AT25128B-SSHL-T 编号：C38927

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

的AT25128B/256B提供131,072/262,144位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384/32,768个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT25128B/256B采用节省空间的JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN和VFBGA封装

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￥4.52
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￥3.65
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￥3.22
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￥2.79
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型号：M95256-DRMN3TP/K 编号：C157455

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

汽车用256 Kbit SPI总线EEPROM，带高速时钟

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￥4.91
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型号：24LC64T-E/SN 编号：C615720

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA64/24LC64/24FC64（24xx64*）是一款64 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织形式为单个8K×8位存储块。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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￥5.02
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￥4.33
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￥3.96
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型号：M24M02-DRMN6TP-TUDI 编号：C36533665

封装：SOP-8

品牌：TD(钍地半导体)

M24M02是一款2M位（262,144 x 8）的I2C兼容串行EEPROM，支持低电压和标准电压操作，具有硬件数据保护功能，适用于多种工业应用。

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￥5.1015 ￥5.37
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￥3.059 ￥3.22
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￥2.755 ￥2.9
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￥2.5935 ￥2.73

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型号：HG25Q128M/TR 编号：C5310797

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

串行闪存，带有双/四元SPI

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￥5.24
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￥3.75
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￥3.26
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￥2.82
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型号：W25Q16JVSNIQ 编号：C115407

封装：SOIC-8

品牌：Winbond(华邦)

W25Q16JV（16M位）串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据

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￥6.25
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￥5.46
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￥5.06
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型号：W25X40CLUXIG TR 编号：C401661

封装：USON8-EP(2x3)

品牌：Winbond(华邦)

W25X40CL（4M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25X系列的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合代码下载应用以及语音、文本和数据存储

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￥6.47
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￥5.64
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型号：AT24CM01-SSHD-T 编号：C36553

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的可级联特性允许最多四个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

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￥8.19
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￥6.79
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￥6.03
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￥4.83
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型号：FM24CL04B-GTR 编号：C914924

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

4-Kbit非易失性存储器采用先进的铁电工艺。铁电随机存取存储器（F-RAM）是非易失性的，其读写操作类似于RAM。它可提供151年的可靠数据保留，同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。与EEPROM不同，FM24CL04B以总线速度执行写操作，不会产生写延迟。每个字节成功传输到设备后，数据会立即写入存储阵列，下一个总线周期无需数据轮询即可开始。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有更高的写入耐久性

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￥8.52
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￥7.12
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￥6.35
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￥5.48
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￥4.88
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型号：AT25DF321A-SH-T 编号：C6490

封装：SOIC-8-208mil

品牌：RENESAS(瑞萨)/IDT

32-Mbit(4M x 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

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￥10.5
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￥8.78
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￥6.27
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￥5.8
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￥5.59

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型号：MX25R6435FZAIL0 编号：C2802847

封装：WSON-8-EP(4x4)

品牌：MXIC(旺宏电子)

64Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 8,388,608 x 8。

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￥10.72
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￥9.12
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￥8.24
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￥5.79
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型号：DS2431Q+T&R 编号：C879661

封装：TDFN-6-EP(3x3)

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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1+
￥12.64
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型号：DS2431+T&R 编号：C2838751

封装：TO-92-3

品牌：ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)

1024位1-WireEEPROM、1Kb串行EEPROM，通过单触点1-Wire接口操作

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1+
￥13.35
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￥11.31
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￥8.72
500+
￥8.13

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型号：IS61WV6416BLL-12TLI 编号：C435811

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

IS61/64WV6416BLL是一款高速1,048,576位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为65,536字×16位。它采用高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，在低功耗的情况下，存取时间最快可达12ns（3.3V±10%）和15ns（2.5V - 3.6V）

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1+
￥14.49
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￥12.22
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￥10.8
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540+
￥8.69
945+
￥8.41

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型号：MX25L25645GZNI-08G 编号：C2802981

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MXIC(旺宏电子)

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￥19.77
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￥16.76
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￥14.88
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￥12.95
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￥12.07
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￥11.7

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型号：GD25Q256EYIGR 编号：C2927043

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

串行闪存支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四 SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#/RESET#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s，四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。

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1+
￥21.85
10+
￥19.67
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￥18.3
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￥9.65
500+
￥9.02

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型号：MKDV4GCL-ABF 编号：C51966232

封装：LGA-8(6x8)

品牌：MK(米客方德)

SD NAND Flash类型:SLC,商业级，广泛适配在各大MCU平台上；工作温度：-25°~85°，新物料选型推荐，SDNAND别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。

1+
￥26.02
10+
￥22.3
30+
￥20.09

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型号：W25Q256JWFIQ 编号：C2940196

封装：SOIC-16-300mil

品牌：Winbond(华邦)

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1+
￥28.12
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￥27.84
30+
￥27.66
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￥25.9

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型号：IS66WVE4M16EBLL-70BLI 编号：C1350157

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

PSRAM产品是为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。64Mb DRAM核心器件组织形式为4M×16位。这些器件具备行业标准的异步存储器接口，与其他低功耗SRAM或伪SRAM（PSRAM）产品相同

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1+
￥28.38
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￥24.48
30+
￥22.17
100+
￥18.42

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型号：GD25B512MEYIGR 编号：C2974186

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：GigaDevice(兆易创新)

GD25B512ME（512M位）串行闪存支持标准串行外设接口（SPI），并支持四路SPI和双数据速率（DTR）模式：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（WP#）、I/O3和RESET#。四路I/O和四路输出数据的传输速率为532Mbit/s，DTR四路I/O数据的传输速率为720Mbit/s。

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1+
￥31.9
10+
￥30.63
30+
￥27.65
100+
￥27.01

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型号：MT41K64M16TW-107 AIT:J TR 编号：C2060943

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

1.35V DDR3L SDRAM 设备是 1.5V DDR3 SDRAM 设备的低电压版本。在 1.5V 兼容模式下运行时，请参考 DDR3 (1.5V) SDRAM 数据表规格。

1+
￥33.06
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￥28.78
30+
￥26.23
100+
￥23.65
500+
￥22.46
1000+
￥21.92

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型号：H5TC4G63EFR-RDA 编号：C2849413

封装：FBGA-96

品牌：HYNIX(海力士)

是一款4Gb低功耗双数据速率III（DDR3L）同步DRAM，非常适合需要大存储密度、高带宽和1.35V低功耗运行的主内存应用。提供与1.5V DDR3环境的向后兼容性，无需任何更改。提供完全同步操作，参考时钟的上升沿和下降沿。所有地址和控制输入在时钟的上升沿（时钟的下降沿）锁存，数据、数据选通和写数据掩码输入在时钟的上升沿和下降沿采样。数据路径内部流水线化并进行8位预取，以实现非常高的带宽。

数据手册

1+
￥39.73
10+
￥34.65
30+
￥31.56
100+
￥28.97

有货

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型号：MT48LC16M16A2P-6A IT:G 编号：C26393

封装：TSOP-54-10.2mm

品牌：micron(镁光)

256-Mbit(16M x 16bit)，工作电压：3.3V

数据手册

1+
￥47.13
10+
￥42.6
30+
￥37.55
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￥34.82

有货

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型号：K4B4G1646E-BYMA 编号：C500275

封装：FBGA-96(7.5x13.3)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

数据手册

1+
￥48.36
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￥42.53
30+
￥38.98
112+
￥36

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型号：MT25QL512ABB1EW9-0SIT 编号：C2063401

封装：WPDFN-8(6x8)

品牌：micron(镁光)

特性：SPI兼容串行总线接口。单和双传输速率 (STR/DTR)。时钟频率:STR中所有协议最高133 MHz。DTR中所有协议最高90 MHz

数据手册

1+
￥64.11
10+
￥55.35
30+
￥50.02
100+
￥45.54

有货

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型号：W25N04KVZEIR TR 编号：C6750381

封装：WSON-8(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25N04KV是一款4G-bit的SLC QspiNAND闪存，支持SPI、Dual SPI和Quad SPI接口。它提供灵活的架构，每个块大小为128KB，总共有2048个可擦除块。该设备支持104MHz的标准、双和四SPI时钟，提供高效的数据访问和快速的编程/擦除性能。

40+
￥69.89
400+
￥64.24
1200+
￥60.79

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型号：CSNP16GCR01-AOW 编号：C7527488

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND二代16Gb pSLC.标准SD 2.0协议,支持SPI/SD接口.高可靠性,>3万次擦写寿命,通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.超小尺寸.长期供货承诺.符合RoHS/REACH标准.

1+
￥87.53
10+
￥83.79
30+
￥69.08
100+
￥63.43

有货

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型号：CSNP32GCR01-BOW 编号：C5440134

封装：LGA-8(6.2x8)

品牌：CS(创世)

SD NAND 32Gb MLC.标准SD 2.0协议.即插即用.通过10K次随机掉电,MSL3湿敏等级测试.具备远程升级FW功能,小文件/随机读写速度快.支持EXT4/FAT系列文件系统.自动stand by,降低功耗.高性价比.符合RoHS/REACH标准.别称:贴片式TF卡/mini eMMC

数据手册

1+
￥89.41
10+
￥85.54
30+
￥71.98
100+
￥66.12

有货

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型号：MKDV32GIL-STPB 编号：C48937379

封装：LGA-8(6.6x8)

品牌：MK(米客方德)

32Gbit SD NAND Flash类型:pSLC，擦写次数3W次，工业级宽温，- 40℃to 85℃，广泛适配在各大MCU平台上；别名贴片式TF卡, 内嵌ECC校验、坏块管理、磨损平均算法、万次异常断电保护等功能。 C10, U1, V10, A2，连续写入不掉速，支持 Smart 功能，动态Flash 健康状态监测

1+
￥160.189 ￥168.62
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￥152.437 ￥160.46

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