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首页 > 热门关键词 > 美国微芯存储器
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2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit（x16）多用途闪存
型号：SST39VF800A-70-4C-B3KE 编号：C633403
封装：TFBGA-48(6x8)
品牌：MICROCHIP(美国微芯)
SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    2.5V/3.0V，16Mbit串行四路I/O闪存
    型号：SST26VF016BT-104I/MF 编号：C629157
    封装：WDFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本
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    8Mbit 、1.8V、SPI串行闪存
    型号：SST25WF080B-40I/SN 编号：C631789
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST25WF080B是串行闪存25系列的一员，具备四线SPI兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性
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    32Mbit （x16）多功能闪存增强版
    型号：SST39VF3201C-70-4I-EKE 编号：C637398
    封装：TFSOP-48-18.4mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    8Mbit SPI串行闪存
    型号：SST25VF080B-50-4C-PAE 编号：C640669
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25系列串行闪存产品家族采用四线SPI兼容接口，支持低引脚数封装，可减少电路板占用空间，最终降低系统总体成本。SST25VF080B器件在工作频率和功耗方面均有提升。SST25VF080B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造
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    1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) 多用途闪存
    型号：SST39VF020-70-4I-NHE 编号：C153254
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是128K x8、256K x8和5124K x8的CMOS多功能闪存（MPF），采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040器件使用3.0-3.6V电源进行写入（编程或擦除），SST39VF010/020/040器件使用2.7-3.6V电源进行写入。这些器件符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。具有高性能字节编程功能，SST39LF010/020/040和SST39VF010/020/040器件的最大字节编程时间为20 μs。这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成
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    SST26VF016BT-104V/SN
    型号：SST26VF016BT-104V/SN 编号：C624767
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    512Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC512-I/P 编号：C1349146
    封装：PDIP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是一款512 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装可供选择，包括8引脚PDIP、SOIC和先进的8引脚DFN封装。所有封装均为无铅且符合RoHS标准。
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    SST26VF016BT-80E/SN
    型号：SST26VF016BT-80E/SN 编号：C624768
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    512 Kbit SPI总线串行EEPROM
    型号：25LC512-E/MF 编号：C612352
    封装：DFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25LC512是一款512 Kbit的SPI串行EEPROM，支持字节级和页级写操作，具有低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20 MHz，工作电压范围为2.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+125°C，存储容量为512 Kbit。
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    16Mbit 多功能闪存升级版
    型号：SST39VF1681-70-4C-EKE 编号：C7679
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39VF168x 系列器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x 8 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF168x 可在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    64Kbit智能串行EEPROM
    型号：24LC65/SM 编号：C616137
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24LC65/SM 是一款64K位智能串行EEPROM，支持I2C协议，工作电压范围为2.5V至6.0V，适用于工业温度范围。
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    64Kbit智能串行EEPROM
    型号：24C65T-I/SM 编号：C616151
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24C65T-I/SM 是一款64K位智能串行EEPROM，支持I2C协议，工作电压范围为2.5V至6.0V，适用于工业温度范围。
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    2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit（x16）多用途闪存
    型号：SST39VF200A-70-4I-EKE 编号：C637393
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    8Mbit（x16）多用途Flash Plus
    型号：SST39VF801C-70-4I-EKE 编号：C637413
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    SST39VF400A-70-4I-MAQE
    型号：SST39VF400A-70-4I-MAQE 编号：C632893
    封装：WFBGA-48(4x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    1 Mbit/2 Mbit/4 Mbit 多功能闪存
    型号：SST39VF040-70-4C-NHE-T 编号：C632853
    封装：PLCC-32(11.4x14)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    512K I²C串行EEPROM
    型号：24AA512T-I/ST 编号：C619930
    封装：TSSOP-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压
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    512Kbit SPI串行EEPROM
    型号：25AA512-I/SM 编号：C616140
    封装：SOIJ-8-5.28mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    25AA512是一款512Kbit的SPI串行EEPROM，支持字节级和页级写操作，具有低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20MHz，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。
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    64 Mbit串行四路I/O闪存
    型号：SST26VF064BT-104I/MF 编号：C629163
    封装：TDFN-8-EP(5x6)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本
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    SST39VF800A-70-4C-EKE-T
    型号：SST39VF800A-70-4C-EKE-T 编号：C632298
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    SST39LF800A-55-4C-B3KE
    型号：SST39LF800A-55-4C-B3KE 编号：C633372
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
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    32 Mbit（x16）多功能FlashPlus
    型号：SST39VF3201B-70-4I-EKE 编号：C46322
    封装：TSOP-48-18.4mm
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39VF320xB器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB使用2.7 - 3.6V电源进行写入（编程或擦除）操作
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    16 Mbit（x16）多功能闪存增强版
    型号：SST39VF1602C-70-4I-EKE 编号：C637388
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39VF1601C和SST39VF1602C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的1M×16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作
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    25CSM04 I/SN
    型号：25CSM04-I/SN 编号：C1019737
    封装：SOIC-8
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    提供4 Mbits的串行EEPROM，采用串行外设接口（SPI）兼容总线。设备组织为524,288个8位字节（512 Kbyte），针对需要可靠和稳定非易失性存储器存储的消费和工业应用进行了优化，能够在2.5V至5.5V的宽电压范围内工作。所需的总线信号包括时钟输入（CSK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过芯片选择（CS）输入控制对设备的访问。可通过HOLD引脚暂停与设备的通信。当设备暂停时，除芯片选择外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断
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    高速只读存储器
    型号：AT27C010-70PU 编号：C613524
    封装：PDIP-32
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT27C010是一款低功耗、高性能的1,048,576位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为128K×8位。该器件在正常读取模式下仅需一个5V电源。任何字节都可在45ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态
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    2 Mbit / 4 Mbit / 8 Mbit（x16）多用途闪存
    型号：SST39LF400A-55-4C-EKE 编号：C637379
    封装：TSOPI-48
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作
    数据手册

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    64K字节非易失性存储器
    型号：AT28BV64B-20SU-T 编号：C2063878
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT28BV64B是一款64K字节（8K x 8）的非易失性存储器（EEPROM）。它采用Atmel先进的非易失性CMOS技术，提供200ns的快速读取访问时间和低功耗特性。该设备在未选中时，CMOS待机电流小于20uA。支持自动页写操作，最多可同时写入64字节数据。
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    256 Kbit工业级高速并行EEPROM
    型号：AT28HC256E-12SU 编号：C609691
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    AT28HC256是一款高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其256 Kb的存储器组织形式为32,768个字，每个字8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达70 ns，功耗仅为440 mW
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    AT28C256 15SU
    型号：AT28C256-15SU 编号：C1349121
    封装：SOIC-28-300mil
    品牌：MICROCHIP(美国微芯)
    是高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），256 Kb 内存组织为 32,768 字 x 8 位。采用先进非易失性 CMOS 技术，访问时间达 150 ns，功耗仅 440 mW，未选中时 CMOS 待机电流小于 200 μA。像静态 RAM 一样进行读写循环，无需外部组件。包含 64 字节页寄存器，可同时写入多达 64 字节

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