美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：AT28C256-15PU 编号：C1348752

封装：PDIP-28

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28C256是一款高性能的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其256 Kb的存储器组织形式为32,768字×8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达150 ns，功耗仅为440 mW

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型号：24AA64-I/SN 编号：C1349006

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：47L04T-I/SN 编号：C2062810

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是 4/16 Kbit SRAM 并带有 EEPROM 备份。该设备组织为 512 × 8 位或 2,048 × 8 位的内存，并采用 I²C 串行接口。SRAM 可进行无限次读写循环，而 EEPROM 单元可提供高耐久性的数据非易失性存储。通过外部电容器，SRAM 数据在掉电时会自动传输到 EEPROM。也可以通过硬件存储引脚或软件控制手动传输数据。上电时，EEPROM 数据会自动恢复到 SRAM，也可以通过软件控制启动恢复操作。提供 8 引脚 PDIP、SOIC 和 TSSOP 封装。

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型号：47L16-I/ST 编号：C1348879

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47XXX 是一款带有 EEPROM 后备功能的 4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为 512×8 位或 2,048×8 位，并采用 I²C 串行接口。47XXX 可为 SRAM 提供无限次的读写循环，而 EEPROM 单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储

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型号：23K256-I/ST 编号：C148006

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256-I/ST 是一款256Kb的低功耗串行SRAM，通过SPI总线进行访问。支持32字节的页模式操作，工作电压为2.7-3.6V，适用于工业级温度范围（-40℃至+85℃）。采用8引脚TSSOP封装。

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型号：SST39VF010-70-4I-WHE 编号：C633803

封装：TFSOP-32-12.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 互补金属氧化物半导体（CMOS）多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：25LC040A-I/P 编号：C613775

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25XX040A是一款4 Kbit串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：AT24CM01-SHM-T 编号：C615968

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：23K256-I/P 编号：C613588

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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型号：AT24CM01-SSHD-B 编号：C615469

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

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型号：24LC512T-E/SM 编号：C2062146

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC512T-E/SM 是一种 512K 位 (64K x 8) 的 I2C 串行 EEPROM，适用于低功耗应用，支持 1.7V 至 5.5V 的宽电压范围。它具有页写功能，最多可写入 128 字节数据。

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型号：24AA512T-I/MF 编号：C612260

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：AT27C512R-45JU 编号：C613963

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C512R是一款低功耗、高性能、524,288位、一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），组织形式为64K x 8位。在正常读取模式操作中，它仅需一个5V电源。任何字节都可在小于45ns内访问，无需在高性能微处理器系统上使用降低速度的WAIT状态。

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型号：23LCV1024T-I/ST 编号：C619902

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit的串行静态随机存取存储器（SRAM）器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：SST26VF032BT-104V/SM 编号：C629109

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT24CM01-SHM-B 编号：C615468

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24CM01提供1,048,576位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为131,072个8位字。该器件的级联功能最多允许连接四个。

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型号：SST39VF3202C-70-4I-EKE 编号：C637403

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：24LC1026-E/SN 编号：C1349440

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1026是一款1024K位（128K字节）的I2C串行EEPROM，支持字节写入和页写入功能。该器件适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为400kHz。

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型号：SST26VF064BA-104I/SM 编号：C5229155

封装：SOIJ-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：25LC1024T-I/MF 编号：C612309

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC1024是一款1-Mbit SPI总线串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，最高时钟频率为20MHz，具有6ms的最大写周期时间，1百万次的擦写寿命，超过200年的数据保留时间和-40°C至+85°C的工作温度范围。

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型号：SST39VF1682-70-4C-EKE 编号：C637391

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT27C020-90JU 编号：C1348959

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C020是一款低功耗、高性能的2,097,152位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），按256K×8位方式组织。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节都可在55ns内被访问，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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型号：SST39VF802C-70-4I-EKE 编号：C637415

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST26VF064BEUI-104I/SM 编号：C638563

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入/输出（Serial Quad I/O™，SQI™）系列闪存设备采用六线 4 位输入/输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064BEUI 还支持与传统串行外设接口（Serial Peripheral Interface，SPI）协议的全命令集兼容。采用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39VF1601-70-4C-EKE-T 编号：C632275

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST26VF064BT-104V/SM 编号：C629110

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24LC1026-E/SM 编号：C616084

封装：SOIC-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1026/24LC1026/24FC1026（24XX1026*）是一款128K×8（1024 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。它专为个人通信或数据采集等先进的低功耗应用而开发。该器件具备字节写入和高达128字节数据的页写入能力

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型号：SST39VF3201-70-4I-B3KE 编号：C633389

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF1601-70-4I-B3KE 编号：C633376

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF160x和SST39VF320x器件分别为1M x16和2M x16的CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件，采用SST专有的高性能CMOS超闪存技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF160x/320x在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF3202B-70-4I-EKE 编号：C637402

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF320xB 器件是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 2M x16 CMOS 多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB 在 2.7 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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