美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24LC256-E/P 编号：C613708

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC256-E/P是一款256K位I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有400kHz的时钟频率。该器件具有扩展级工作温度范围（-40°C至+125°C），适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。

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型号：24LC256-I/MF 编号：C612234

封装：DFN-8(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

256Kbit I2C串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压，具有高达400kHz的时钟频率，适用于广泛的低功耗应用。

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型号：25AA512T-I/SN 编号：C2653531

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA512是一款512 Kbit的串行EEPROM，支持字节级和页级写操作，具有低功耗CMOS技术，最大写电流为7 mA，读电流为10 mA，待机电流为1uA。通过简单的SPI兼容串行总线访问，支持最高20 MHz的时钟速度，工业级工作温度范围为-40°C至+85°C，擦写寿命为1百万次，数据保留时间为200年。

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型号：24AA128-I/MF 编号：C1350083

封装：DFN-8-S(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA02UID/24AA025UID（24AA02XUID*）是一款带有预编程32位唯一ID的2 Kbit电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件组织为两个128×8位的存储块，并具备两线串行接口。低电压设计允许其在低至1 V的电压下工作

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型号：25LC128-I/MF 编号：C612244

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA128/25LC128（25xx128(1)）是128 Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器（PROM）。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：SST25PF040CT-40V/NP 编号：C626315

封装：USON-8-EP(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

具有四线SPI兼容接口，允许使用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低了系统总成本。采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更好的可靠性和可制造性。该串行闪存显著提高了性能和可靠性，同时降低了功耗。设备使用2.3V-3.6V的单电源进行写入（编程或擦除）。

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型号：93C76-E/SN 编号：C615376

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

93C76/86 是 8K 和 16K 的低压串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。根据 ORG 引脚的设置，该器件的存储器可配置为 x8 或 x16 位。先进的 CMOS 技术使这些器件非常适合用于低功耗非易失性存储器应用

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型号：AT24C512C-MAHM-E 编号：C2060974

封装：UDFN-8(2x3)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压和标准电压操作:VCC = 1.7V 至 3.6V。VCC = 2.5V 至 5.5V。内部组织为 65,536 x 8 (512K)。工业温度范围：-40°C 至 +85°C

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型号：25LC256-I/ST 编号：C1523849

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25AA256/25LC256（25××256）是256 Kbit的串行电可擦除PROM。可通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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型号：SST26VF064BAT-104I/SM 编号：C5229160

封装：SOIJ-8-208mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：25LC256-E/SM 编号：C1350101

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC256是一款256Kbit的SPI串行EEPROM，支持2.5V到5.5V的工作电压，具有64字节的页面写入功能，支持自定时擦除和写入周期，最高时钟频率为10MHz。

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型号：SST25VF040B-50-4I-QAF 编号：C637018

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25系列串行闪存产品采用四线SPI兼容接口，可实现低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SST25VF040B器件在工作频率上有所提升，功耗更低。SST25VF040B SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造

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型号：24AA512T-I/SM 编号：C616101

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512T-I/SM 是一款512Kbit (64K x 8) 的1.8V I2C串行EEPROM，支持宽电压范围（1.7V至5.5V），适用于低功耗应用，如个人通信和数据采集。它具有页写功能，最多可写入128字节数据，支持随机和顺序读取。该设备可在同一总线上连接多达八个设备，支持高达4 Mbit的地址空间。

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型号：SST39SF010A-55-4I-NHE-T 编号：C632839

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：SST39VF010-70-4I-NHE 编号：C220683

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF800A-70-4C-B3KE 编号：C633403

封装：TFBGA-48(6x8)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39LF010-55-4C-NHE 编号：C645925

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有高性能 CMOS SuperFlash 技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 CMOS 多功能闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF3201C-70-4I-EKE 编号：C637398

封装：TFSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39SF010A-70-4C-NHE-T 编号：C632840

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的CMOS多功能闪存。与其他方法相比，裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。使用4.5-5.5V电源进行写入（编程或擦除）操作，符合JEDEC标准x8内存引脚排列。具有高性能字节编程功能，最大字节编程时间为20μs。使用Toggle Bit或Data# Polling指示编程操作完成。具备片上硬件和软件数据保护方案，防止意外写入

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型号：SST26VF016BT-104I/MF 编号：C629157

封装：WDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四线I/O（SQI）系列闪存设备采用六线、4位I/O接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF016B还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。采用SQI闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST25WF080B-40I/SN 编号：C631789

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST25WF080B是串行闪存25系列的一员，具备四线SPI兼容接口，可采用低引脚数封装，占用更少的电路板空间，最终降低系统总成本。SPI串行闪存采用专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性

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型号：24AA512-I/ST 编号：C1523860

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA512/24LC512/24FC512（24xxx12*）是一款64K x 8（512 Kbit）串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围（1.7V至5.5V）内工作。

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型号：SST39VF020-70-4I-NHE 编号：C153254

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是128K x8、256K x8和5124K x8的CMOS多功能闪存（MPF），采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造。分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器比其他方法具有更好的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040器件使用3.0-3.6V电源进行写入（编程或擦除），SST39VF010/020/040器件使用2.7-3.6V电源进行写入。这些器件符合x8存储器的JEDEC标准引脚排列。具有高性能字节编程功能，SST39LF010/020/040和SST39VF010/020/040器件的最大字节编程时间为20 μs。这些器件使用Toggle Bit或Data# Polling来指示编程操作完成

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￥22.98
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型号：25LC512-I/P 编号：C1349146

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款512 Kbit串行EEPROM存储器，具有字节级和页面级串行EEPROM功能。它还具备通常与基于闪存的产品相关的页面、扇区和芯片擦除功能，但字节或页面写入操作不需要这些功能。通过简单的串行外设接口（SPI）兼容串行总线访问存储器。所需的总线信号包括时钟输入（SCK）以及单独的数据输入（SI）和数据输出（SO）线。通过片选（CS）输入控制对设备的访问。可以通过保持引脚（HOLD）暂停与设备的通信。当设备暂停时，除片选外，其输入上的转换将被忽略，允许主机处理更高优先级的中断。有标准封装可供选择，包括8引脚PDIP、SOIC和先进的8引脚DFN封装。所有封装均为无铅且符合RoHS标准。

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￥22.62
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￥22.28

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型号：25LC512-E/MF 编号：C612352

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

25LC512是一款512 Kbit的SPI串行EEPROM，支持字节级和页级写操作，具有低功耗CMOS技术，最大时钟速度为20 MHz，工作电压范围为2.5V至5.5V，工作温度范围为-40°C至+125°C，存储容量为512 Kbit。

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1+
￥23.2
10+
￥22.6
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￥22.19

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型号：23LCV1024T-I/SN 编号：C2060967

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是一款 1 Mbit 串行 SRAM 设备，通过简单的串行外设接口 (SPI) 兼容串行总线访问内存。所需的总线信号包括时钟输入 (SCK) 以及单独的数据输入 (SI) 和数据输出 (SO) 线。通过片选 (CS) 输入控制对设备的访问。此外，如果应用需要更快的数据速率，还支持 SDI（串行双接口）。该设备还支持对内存阵列进行无限次读写，并支持通过连接到 VBAT（引脚 7）的外部电池/硬币电池进行数据备份。有标准封装，包括 8 引脚 SOIC、PDIP 和先进的 8 引脚 TSSOP。

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￥24.59
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￥24.01
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￥23.63

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型号：AT27C256R-70JU-T 编号：C614001

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT27C256R是一款低功耗、高性能的262,144位一次性可编程只读存储器（OTP EPROM），其结构为32,768个8位字。在正常读取模式下，它仅需一个5V电源。任何字节的访问时间都小于45 ns，无需在高性能微处理器系统中使用降低速度的等待状态

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1+
￥24.99
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￥24.37
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型号：24C65T-I/SM 编号：C616151

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24C65T-I/SM 是一款64K位智能串行EEPROM，支持I2C协议，工作电压范围为2.5V至6.0V，适用于工业温度范围。

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￥24.9
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型号：SST39VF200A-70-4I-EKE 编号：C637393

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF200A/400A/800A 和 SST39VF200A/400A/800A 器件是 128K x16 / 256K x16 / 512K x16 的 CMOS 多功能闪存（MPF），采用 SST 专有的高性能 CMOS SuperFlash 技术制造。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧穿注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF200A/400A/800A 在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39VF040704ITU 编号：C43651917

封装：TSOP-32

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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