美国微芯存储器_厂家_价格_品牌_库存

型号：24AA512T-I/ST 编号：C619930

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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型号：SST26VF064BT-104I/MF 编号：C629163

封装：TDFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

串行四路输入输出（SQI）系列闪存设备采用六线、4 位输入输出接口，可在引脚数较少的封装中实现低功耗、高性能运行。SST26VF064B/064BA 还支持与传统串行外设接口（SPI）协议的全命令集兼容。使用 SQI 闪存设备的系统设计占用的电路板空间更小，最终可降低系统成本

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型号：SST39VF3201B-70-4I-EKE 编号：C46322

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF320xB器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF320xB使用2.7 - 3.6V电源进行写入（编程或擦除）操作

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型号：SST39SF040-55-4I-NHE-T 编号：C632847

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：23LCV1024-I/P 编号：C613595

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit的SPI兼容串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该器件支持无限次读写操作，具有低功耗CMOS技术，支持字节、页面和连续模式读写。

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型号：23LCV512-I/ST 编号：C220280

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV512是一款512Kbit的SPI兼容串行SRAM，支持外部电池备份和SDI接口。该设备支持无限次读写操作，工作电压范围为2.5V至5.5V，最高时钟频率为20MHz，支持工业温度范围（-40°C至+85°C）。

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￥34.58
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型号：SST39VF040-70-4I-NHE 编号：C645939

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：24LC1026T-I/SN 编号：C615699

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24LC1026是一款1024K位（128K字节）的I2C兼容串行EEPROM，支持2.5V至5.5V的工作电压范围，最高时钟频率为400kHz。

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￥40.57
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型号：SST39VF3201-70-4C-EKE 编号：C11320

封装：TSOP-48-18.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

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型号：AT28C64B-15JU-T 编号：C2061094

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28C64B是一款高性能、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它具有64K的存储空间，组织为8,192个字节，每个字节8位。该设备采用Atmel先进的非易失性CMOS技术制造，提供150ns的访问时间和低功耗特性。当设备未选中时，CMOS待机电流小于100uA。

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￥47.81
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型号：AT28HC256E-12SU 编号：C609691

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28HC256是一款高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其256 Kb的存储器组织形式为32,768个字，每个字8位。该器件采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达70 ns，功耗仅为440 mW

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单价：
￥94.14 / 个

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型号：AT28C256-15SU 编号：C1349121

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

是高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），256 Kb 内存组织为 32,768 字 x 8 位。采用先进非易失性 CMOS 技术，访问时间达 150 ns，功耗仅 440 mW，未选中时 CMOS 待机电流小于 200 μA。像静态 RAM 一样进行读写循环，无需外部组件。包含 64 字节页寄存器，可同时写入多达 64 字节

单价：
￥98.03 / 个

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型号：AT17LV010A-10PU 编号：C1519132

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT17LV010A是一款用于FPGA配置的EEPROM存储器，支持3.3V和5.0V工作电压，具有低功耗CMOS工艺和高可靠性。该存储器支持在系统编程(ISP)，并通过2线总线进行编程。

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￥100.26
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￥96.76

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型号：AT28C256F-15JU 编号：C1350117

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT28C256是一款256K位并行EEPROM，具有150ns的快速读取访问时间和3ms的快速写入周期时间。它采用32,768 x 8的组织方式，具有低功耗特性，支持硬件和软件数据保护。

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￥119.56
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型号：AT28HC256F-90SU 编号：C1348919

封装：SOIC-28-300mil

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

高性能电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。其256Kb内存组织为32,768字×8位。采用先进的非易失性CMOS技术制造，访问时间可达90 ns，功耗仅440 mW。当设备未被选中时，CMOS待机电流小于5 mA

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￥153.47
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￥148.56

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型号：47L16-I/ST 编号：C1348879

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

47XXX 是一款带有 EEPROM 后备功能的 4/16 Kbit SRAM。该器件的存储器组织形式为 512×8 位或 2,048×8 位，并采用 I²C 串行接口。47XXX 可为 SRAM 提供无限次的读写循环，而 EEPROM 单元则能提供高耐久性的数据非易失性存储

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￥11.08
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￥10.89
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型号：SST39VF010-70-4I-WHE 编号：C633803

封装：TFSOP-32-12.4mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39LF010、SST39LF020、SST39LF040 以及 SST39VF010、SST39VF020、SST39VF040 是采用专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 128K x8、256K x8 和 512K x8 互补金属氧化物半导体（CMOS）多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更高的可靠性和可制造性。SST39LF010/020/040 器件在 3.0 - 3.6V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥13.74
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型号：23K256-I/P 编号：C613588

封装：PDIP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23K256 是一款256-Kbit SPI Bus Low-Power Serial SRAM，支持32字节页模式和顺序模式读写操作，具有低功耗CMOS技术。

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￥14.45
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￥13.28

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型号：24LC1025-E/SM 编号：C1348763

封装：SOIJ-8-5.28mm

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24AA1025/24LC1025/ 24FC1025 (24xx1025*)是一个128K x 8 (1024K bit)串行电可擦除PROM，能够在较宽的电压范围(1.7V至5.5V)内工作。它是为先进的低功耗应用而开发的，如个人通信或数据采集。该设备具有字节写入和高达128字节数据的页面写入能力。

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￥21.79
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￥18.63
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￥16.75

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型号：SST39VF801C-70-4I-EKE 编号：C637413

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C器件是采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造的512K x16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39VF801C/802C和SST39LF801C/802C在2.7 - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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1+
￥25.97
10+
￥25.41
30+
￥25.04

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型号：24AA512T-I/MF 编号：C612260

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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1+
￥29.39
10+
￥25.28
30+
￥22.84

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型号：24LC512-I/MF 编号：C612236

封装：DFN-8-EP(5x6)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

24XXX512是一款512 Kbit的电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。该器件采用两线串行接口，组织为一个64K×8位的存储块。其低电压设计允许最低1 V的工作电压

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1+
￥29.39
10+
￥25.28
30+
￥22.84

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型号：23LCV1024T-I/ST 编号：C619902

封装：TSSOP-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

23LCV1024是一款1 Mbit的串行静态随机存取存储器（SRAM）器件。可通过一个与串行外设接口（SPI）兼容的简单串行总线访问该存储器。所需的总线信号包括一个时钟输入（SCK）以及独立的数据输入（SI）和数据输出（SO）线

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1+
￥32.57
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￥31.8
30+
￥31.29

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型号：SST39VF3202C-70-4I-EKE 编号：C637403

封装：TSOPI-48

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39VF3201C和SST39VF3202C器件是采用专有高性能CMOS SuperFlash技术制造的2M x 16 CMOS多用途闪存增强型（MPF+）器件。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和可制造性。SST39VF3201C/SST39VF3202C在2.7V - 3.6V电源下进行写入（编程或擦除）操作

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￥36.19
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￥31.47
30+
￥28.59

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型号：SST39SF020A-55-4C-NHE 编号：C645932

封装：PLCC-32(11.4x14)

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

SST39SF010A/020A/040 是采用 SST 专有的高性能 CMOS 超闪存技术制造的 CMOS 多用途闪存（MPF）。与其他方法相比，分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器具有更好的可靠性和可制造性。SST39SF010A/020A/040 器件在 4.5 - 5.5V 电源下进行写入（编程或擦除）操作

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