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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS62WV5128BLL 55QLI TR
型号：IS62WV5128BLL-55QLI-TR 编号：C2063720
封装：SOP-32-11.3mm
品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS61WV6416DBLL 10BLI
    型号：IS61WV6416DBLL-10BLI 编号：C1351492
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS66WVS1M8ALL-104NLI
    型号：IS66WVS1M8ALL-104NLI 编号：C17616161
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS45S16100H 7BLA2 TR
    型号：IS45S16100H-7BLA2-TR 编号：C2063289
    封装：TFBGA-60(6.4x10.1)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS45S16100H是一款16Mb同步动态随机存取存储器，具有512K Words x 16 Bits x 2 Banks的组织结构，支持200, 166, 143 MHz的时钟频率，单3.3V供电，支持多种温度范围。
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    IS42SM32200M 6BLI TR
    型号：IS42SM32200M-6BLI-TR 编号：C2063353
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS62C25616EL 45TLI
    型号：IS62C25616EL-45TLI 编号：C1351830
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM32200M 75BLI
    型号：IS42SM32200M-75BLI 编号：C1351798
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS61C6416AL-12KLI-TR
    型号：IS61C6416AL-12KLI-TR 编号：C6883879
    封装：SOJ-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV12816FBLL-45BLI-TR
    型号：IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 编号：C6061626
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV2568FBLL-45HLI-TR
    型号：IS62WV2568FBLL-45HLI-TR 编号：C6061628
    封装：TSOPI-32
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS42VM32200M 6BLI
    型号：IS42VM32200M-6BLI 编号：C1351762
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS45S16160J 7BLA1 TR
    型号：IS45S16160J-7BLA1-TR 编号：C2063790
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS61WV2568EDBLL 10TLI
    型号：IS61WV2568EDBLL-10TLI 编号：C1352735
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS64WV6416EEBLL 10CTLA3 TR
    型号：IS64WV6416EEBLL-10CTLA3-TR 编号：C2064330
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR
    型号：IS61WV25616EFBLL-10TLI-TR 编号：C6280220
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    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR
    型号：IS61WV12816EFBLL-10TLI-TR 编号：C6969467
    封装：TSOPII-44
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS62WV1288DBLL-45QLI-TR
    型号：IS62WV1288DBLL-45QLI-TR 编号：C20573262
    封装：32-SOP
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS61WV25616BLL 10KLI TR
    型号：IS61WV25616BLL-10KLI-TR 编号：C2063399
    封装：SOJ-44
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM32200M 6BLI
    型号：IS42SM32200M-6BLI 编号：C1351688
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64Mb Synchronous DRAM，512K x 32Bits x 4Banks，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，全同步操作，内部4个bank，可编程突发长度和类型，支持自动刷新和自刷新。
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    IS61WV25616BLS 25TLI TR
    型号：IS61WV25616BLS-25TLI-TR 编号：C2065658
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS61WV2568EDBLL 10TLI TR
    型号：IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR 编号：C2065655
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS62WVS1288FBLL 20NLI TR
    型号：IS62WVS1288FBLL-20NLI-TR 编号：C2063150
    封装：SOIC-8
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS42SM16800H 75BLI TR
    型号：IS42SM16800H-75BLI-TR 编号：C2063873
    封装：TFBGA-54(8x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS42/45SM/RM/VM16800H 是一种128Mb (2M x 16Bits x 4Banks) 的移动同步DRAM，支持3.3V, 2.5V, 1.8V供电，具有完全同步操作，内部4个bank操作，自动刷新和自刷新等功能。
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    IS66WVE2M16EALL 70BLI TR
    型号：IS66WVE2M16EALL-70BLI-TR 编号：C2063967
    封装：TFBGA-48(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS66WVC2M16ECLL 7010BLI TR
    型号：IS66WVC2M16ECLL-7010BLI-TR 编号：C2063909
    封装：VFBGA-54(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS62WV25616EALL 55TLI TR
    型号：IS62WV25616EALL-55TLI-TR 编号：C2063876
    封装：TSOPII-44-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS62WV5128EALL 55TLI TR
    型号：IS62WV5128EALL-55TLI-TR 编号：C2063872
    封装：TSOPI-32-8.0mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS66WVQ2M4DBLL-133BLI
    型号：IS66WVQ2M4DBLL-133BLI 编号：C17530168
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS66WVQ2M4DALL-200BLI
    型号：IS66WVQ2M4DALL-200BLI 编号：C17204643
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS63LV1024-8KL-TR
    型号：IS63LV1024-8KL-TR 编号：C20431380
    封装：32-SOJ
    品牌：ISSI(美国芯成)

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