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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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256/128Mb串行闪存存储器八进制I/O xSPI接口，带片上ECC，200MHz(1.8V)，133MHz(3.0V)
型号：IS25LX256-LHLE 编号：C21762080
封装：-
品牌：ISSI(美国芯成)

  • 1+

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    ￥19.67
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    IS43TR81280CL-107MBLI
    型号：IS43TR81280CL-107MBLI 编号：C17377350
    封装：TWBGA-78(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥51.96

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      ￥20.74

    • 484+

      ￥20.04

    • 968+

      ￥19.7
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    IS43TR16128C 15HBLI TR
    型号：IS43TR16128C-15HBLI-TR 编号：C2064425
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥52.3

    • 200+

      ￥20.24

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    • 1500+

      ￥19.18
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    IS43DR81280C-3DBL-TR
    型号：IS43DR81280C-3DBL-TR 编号：C17530096
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43DR81280C-3DBL-TR 是一款1Gb DDR2 SDRAM，配置为128Mx8，支持DDR2-667D速度等级，具有3.75ns @CL=4的时钟周期，采用60-ball BGA封装。

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      ￥20.95

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      ￥20.25

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    IS43DR81280C-25DBL-TR
    型号：IS43DR81280C-25DBL-TR 编号：C17377282
    封装：TWBGA-60(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43DR81280C-25DBL-TR 是一款1Gb DDR2 SDRAM，配置为128Mx8，支持DDR2-800D速度等级，具有2.5ns @CL=5的时钟周期，采用60-ball BGA封装。

    • 1+

      ￥52.5

    • 200+

      ￥20.95

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    • 1000+

      ￥19.91
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    DDR2 DRAM双数据速率接口
    型号：IS43DR16320C-3DBL-TR 编号：C17648520
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    32Mx16 DDR2 DRAM，支持JEDEC标准1.8V I/O，具有4n预取架构，支持双数据率接口，每时钟周期传输两个数据字。

    • 1+

      ￥52.5

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      ￥20.95

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      ￥20.25

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      ￥19.91
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    预售商品
    IS46DR16160B 3DBLA2
    型号：IS46DR16160B-3DBLA2 编号：C1351882
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥52.57

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    IS43TR16128CL 15HBLI TR
    型号：IS43TR16128CL-15HBLI-TR 编号：C2064310
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥52.78

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    512Mb串行闪存存储器，八进制I/O，带片上ECC的xSPI接口
    型号：IS25LX512M-LHLE 编号：C21981556
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥52.78

    • 200+

      ￥21.06

    • 480+

      ￥20.36

    • 960+

      ￥20.01
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    IS43R86400E 6BLI
    型号：IS43R86400E-6BLI 编号：C1351849
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥52.81

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      ￥20.44

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    IS46TR16640C-107MBLA2-TR
    型号：IS46TR16640C-107MBLA2-TR 编号：C17390176
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128M x 8, 64M x 16 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输，时钟频率高达1866MHz，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，工作温度范围为-40°C至+105°C。

    • 1+

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    IS43TR16640CL-125JBLI-TR
    型号：IS43TR16640CL-125JBLI-TR 编号：C17328848
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128M x 8, 64M x 16 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输，时钟频率高达1066MHz，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，工作温度范围为-40°C至+95°C。

    • 1+

      ￥53.07

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    IS43DR16640C 3DBLI TR
    型号：IS43DR16640C-3DBLI-TR 编号：C2063372
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    16Mx16 DDR2 SDRAM，支持5-5-5速度等级，工作电压1.8V，适用于工业温度范围（-40°C至+95°C）。
    数据手册

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    IS43TR16128CL 15HBL
    型号：IS43TR16128CL-15HBL 编号：C1351840
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥53.27

    • 200+

      ￥20.62

    • 500+

      ￥19.89

    • 1000+

      ￥19.54
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    IS25LP256E-JLLA3
    型号：IS25LP256E-JLLA3 编号：C7290356
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥53.31

    • 200+

      ￥21.28

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    IS46TR16640CL-125JBLA2
    型号：IS46TR16640CL-125JBLA2 编号：C17514207
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3L SDRAM，支持1.35V供电，具有高速数据传输速率，部分阵列自刷新，异步复位引脚，TDQS支持最高1600MHz

    • 1+

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    预售商品
    IS43R32800D 5BLI
    型号：IS43R32800D-5BLI 编号：C1351807
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥53.51

    • 200+

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      ￥19.62
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    预售商品
    IS43TR16128D-107MBL-TR
    型号：IS43TR16128D-107MBL-TR 编号：C17234709
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx16 1Gb DDR3 SDRAM。支持高速数据传输速率，具有异步复位引脚，支持TDQS（终止数据选通）功能（仅限x8）。

    • 1+

      ￥53.85

    • 200+

      ￥21.49

    • 500+

      ￥20.77

    • 1500+

      ￥20.42
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    预售商品
    512Mb串行闪存存储器133/112MHz多I/O SPI和Quad I/O QPI DTR接口
    型号：IS25LX512M-JHLE 编号：C21397591
    封装：-
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥54.66

    • 200+

      ￥21.81

    • 480+

      ￥21.08

    • 960+

      ￥20.72
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    预售商品
    IS46DR16160B 25DBLA2
    型号：IS46DR16160B-25DBLA2 编号：C1353677
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥54.8

    • 200+

      ￥21.21

    • 500+

      ￥20.46

    • 1000+

      ￥20.09
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    IS43TR81280CL-125JBL-TR
    型号：IS43TR81280CL-125JBL-TR 编号：C17491462
    封装：TWBGA-78(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3L SDRAM，支持1.35V供电，具有高速数据传输速率，部分阵列自刷新，异步复位引脚，TDQS支持最高1600MHz

    • 1+

      ￥55.13

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      ￥22

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      ￥21.26

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      ￥20.9
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    IS25WE256E-RMLE-TY
    型号：IS25WE256E-RMLE-TY 编号：C6062495
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥55.27

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    • 528+

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    • 1056+

      ￥20.95
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    IS43LD16320A 25BLI TR
    型号：IS43LD16320A-25BLI-TR 编号：C2065296
    封装：TFBGA-134(10x11.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥55.27

    • 200+

      ￥21.39

    • 500+

      ￥20.64

    • 1000+

      ￥20.27
  • 订货
    • 我要订货
    预售商品
    IS25LP256D-JLLA3-TR
    型号：IS25LP256D-JLLA3-TR 编号：C6062484
    封装：WSON-8-EP(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 单价：

      ￥23.32 / 个
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    IS43TR16128DL-107MBL-TR
    型号：IS43TR16128DL-107MBL-TR 编号：C17430793
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥55.35

    • 200+

      ￥22.09

    • 500+

      ￥21.35

    • 1500+

      ￥20.98
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    预售商品
    IS43TR16128CL 125KBLI TR
    型号：IS43TR16128CL-125KBLI-TR 编号：C2064253
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥55.38

    • 200+

      ￥21.43

    • 500+

      ￥20.68

    • 1500+

      ￥20.31
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    预售商品
    IS43R86400E 5BLI
    型号：IS43R86400E-5BLI 编号：C1352672
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥55.5

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      ￥20.73

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      ￥20.35
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    预售商品
    IS43DR16640C-25DBL-TR
    型号：IS43DR16640C-25DBL-TR 编号：C17277433
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43DR16640C-25DBL-TR 是一款1Gb DDR2 SDRAM，配置为64Mx16，支持DDR2-800D速度等级，具有2.5ns @CL=5的时钟周期，采用60-ball BGA封装。

    • 1+

      ￥55.5

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      ￥22.15

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      ￥21.41

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      ￥21.04
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    预售商品
    IS43DR16640C-3DBL-TR
    型号：IS43DR16640C-3DBL-TR 编号：C17234578
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43DR16640C-3DBL-TR 是一款1Gb DDR2 SDRAM，配置为64Mx16，支持DDR2-667D速度等级，具有3.75ns @CL=4的时钟周期，采用60-ball BGA封装。

    • 1+

      ￥55.5

    • 200+

      ￥22.15

    • 500+

      ￥21.41

    • 1000+

      ￥21.04
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    预售商品
    IS43LR32160C 6BL
    型号：IS43LR32160C-6BL 编号：C1353344
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    32位4Bank移动DDR SDRAM，采用双数据速率架构实现高速操作。数据输入/输出信号通过32位总线传输，每个时钟周期在I/O引脚上传输两个数据字。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
    数据手册

    • 1+

      ￥55.52

    • 200+

      ￥21.49

    • 500+

      ￥20.73

    • 1000+

      ￥20.36
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