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首页 > 热门关键词 > 美国芯成存储器
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IS25LP256E-RHLE
型号：IS25LP256E-RHLE 编号：C5741408
封装：TFBGA-24(6x8)
品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R16320F-5TL
    型号：IS43R16320F-5TL 编号：C17616248
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25LE256E-RMLE-TR
    型号：IS25LE256E-RMLE-TR 编号：C6640090
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43TR16640C-107MBLI-TR
    型号：IS43TR16640C-107MBLI-TR 编号：C17452677
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3 SDRAM，支持1.5V和1.35V供电，具有高速数据传输速率，部分阵列自刷新，异步复位引脚，TDQS支持最高1066MHz

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    IS43R32800D 6BL
    型号：IS43R32800D-6BL 编号：C1352708
    封装：BGA-144(12x12)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS46DR16160B 25DBLA1
    型号：IS46DR16160B-25DBLA1 编号：C1352702
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
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    IS43R86400E 6TLI TR
    型号：IS43R86400E-6TLI-TR 编号：C2065184
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43LR32100D-6BL
    型号：IS43LR32100D-6BL 编号：C17390066
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R16160D-6TLI-TR
    型号：IS43R16160D-6TLI-TR 编号：C17530174
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43R86400F 5BLI TR
    型号：IS43R86400F-5BLI-TR 编号：C2063843
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43R86400F-5TL-TR
    型号：IS43R86400F-5TL-TR 编号：C17452465
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS25WP256E-RMLE-TR
    型号：IS25WP256E-RMLE-TR 编号：C7211292
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS43LR32800G 6BLI TR
    型号：IS43LR32800G-6BLI-TR 编号：C2063901
    封装：TFBGA-90(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS43LR32800G 是一款高性能的移动DDR SDRAM，支持200MHz的最大时钟频率，具备自刷新、部分阵列自刷新和深度掉电模式等特性，适用于便携式设备和嵌入式系统。
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    IS43R86400F 5BL
    型号：IS43R86400F-5BL 编号：C1352495
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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    IS43TR81280CL-125JBL
    型号：IS43TR81280CL-125JBL 编号：C17569601
    封装：TWBGA-78(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3L SDRAM，支持1.35V供电，具有高速数据传输速率，部分阵列自刷新，异步复位引脚，TDQS支持最高1600MHz

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    IS25LP256H-RHLE
    型号：IS25LP256H-RHLE 编号：C6577432
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

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    IS46DR16640C 3DBLA2 TR
    型号：IS46DR16640C-3DBLA2-TR 编号：C2065118
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    IS46DR16640C-3DBLA2-TR 是一款 64Mx16 的 DDR2 SDRAM，支持 5-5-5 时序，工作电压为 1.8V，具有 8 个内部 bank，支持 4 和 8 位突发长度。
    数据手册

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    IS43TR16128D-125KBL-TR
    型号：IS43TR16128D-125KBL-TR 编号：C17481176
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128Mx16 1Gb DDR3 SDRAM。支持异步复位

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    IS25WP256D-JMLE-TY
    型号：IS25WP256D-JMLE-TY 编号：C6577445
    封装：SOIC-16-300mil
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥44.97

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      ￥17.05
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    IS43LR16320C 6BL TR
    型号：IS43LR16320C-6BL-TR 编号：C2065150
    封装：TFBGA-60(8x10)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥45.2

    • 200+

      ￥17.49

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    IS43TR16640CL-107MBLI-TR
    型号：IS43TR16640CL-107MBLI-TR 编号：C17265352
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    64M x 16 1.35V DDR3L SDRAM，支持高速数据传输率，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，兼容1.5V和1.35V低电压操作。

    • 1+

      ￥45.34

    • 200+

      ￥18.1

    • 500+

      ￥17.49

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    IS43TR82560BL 15HBL
    型号：IS43TR82560BL-15HBL 编号：C1351630
    封装：TWBGA-78(8x10.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    256Mx8, 128Mx16 DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有系统兼容性，低功耗，自刷新功能，部分阵列自刷新，可编程延迟，多种工作模式。
    数据手册

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      ￥45.57

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    IS43R86400F-6TL
    型号：IS43R86400F-6TL 编号：C17569628
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

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      ￥17.36
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    IS43R16320F 6BLI
    型号：IS43R16320F-6BLI 编号：C1352107
    封装：TFBGA-60(8x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

    • 1+

      ￥46.01

    • 200+

      ￥17.81

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      ￥17.18

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      ￥16.88
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    IS43R86400E 5TLI TR
    型号：IS43R86400E-5TLI-TR 编号：C2066052
    封装：TSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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      ￥46.19

    • 200+

      ￥17.88

    • 500+

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    IS46TR16640CL-125JBLA1-TR
    型号：IS46TR16640CL-125JBLA1-TR 编号：C17390167
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128M x 8, 64M x 16 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输，时钟频率高达1066MHz，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，工作温度范围为-40°C至+95°C。

    • 1+

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    IS43R16160D-5TLI-TR
    型号：IS43R16160D-5TLI-TR 编号：C17530159
    封装：TSSOP-66-10.2mm
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥46.3

    • 200+

      ￥18.48

    • 500+

      ￥17.86

    • 1500+

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    IS25WP256E-RHLE
    型号：IS25WP256E-RHLE 编号：C6061572
    封装：TFBGA-24(6x8)
    品牌：ISSI(美国芯成)

    • 1+

      ￥46.49

    • 200+

      ￥18.55

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    IS46TR16640C-125JBLA1-TR
    型号：IS46TR16640C-125JBLA1-TR 编号：C17230127
    封装：TWBGA-96(9x13)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    128M x 8 1.5V DDR3 SDRAM，支持高速数据传输率，具有8个内部bank，支持部分阵列自刷新，兼容1.5V和1.35V低电压操作。

    • 1+

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    IS46DR16160B 3DBLA2 TR
    型号：IS46DR16160B-3DBLA2-TR 编号：C2064529
    封装：TWBGA-84(8x12.5)
    品牌：ISSI(美国芯成)
    数据手册

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