美国芯成存储器_厂家_价格_品牌_库存

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型号：IS43DR16160B-3DBL-TR 编号：C2063281

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42S16100E-7TLI 编号：C20457237

封装：50-TSOP II

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43DR16160B-3DBL 编号：C1351156

封装：TWBGA-84(8x12.5)

品牌：ISSI(美国芯成)

数据手册

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型号：IS42RM32100D-6BLI-TR 编号：C2065663

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM32100D-75BLI 编号：C1352679

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS64C6416AL-15TLA3 编号：C1351493

封装：TSOPII-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM16200D-6BLI 编号：C1352693

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42RM32100D-75BLI 编号：C1353673

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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型号：IS25LP128F-RMLA3 编号：C1236848

封装：SOIC-16-7.4mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43R16160F-5TL-TR 编号：C2063905

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS42VM16200D-6BLI-TR 编号：C2065382

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM16200D 是一种低功耗 33,554,432 位 CMOS 同步 DRAM，组织为 2 个 1,048,576 字 × 16 位的bank。所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步，支持自动刷新和自刷新功能。数据路径内部流水线化以实现高带宽。输入和输出电压电平兼容 LVCMOS。

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型号：IS43R16800E-6TL 编号：C1351484

封装：TSOP-66-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43LR16200D-6BL-TR 编号：C2065121

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LR16200D 是一款双数据率架构的移动DDR SDRAM，支持高速操作。它具有两个内部banks，支持自动预充电和自刷新功能，最大时钟频率可达166MHz。

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型号：IS42VM32100D-6BLI 编号：C1352612

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42VM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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348+
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型号：IS42VM16200D-75BLI 编号：C1352615

封装：TFBGA-54(8x8)

品牌：ISSI(美国芯成)

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型号：IS43LR16200D-6BL 编号：C1351355

封装：TFBGA-60(8x10)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS43/46LR16200D 是一款双数据率架构的移动DDR SDRAM，支持高速操作。它具有两个内部banks，支持自动预充电和自刷新功能，最大时钟频率可达166MHz。

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型号：IS42RM32100D-6BLI 编号：C1352837

封装：TFBGA-90(8x13)

品牌：ISSI(美国芯成)

IS42RM32100D是一款低功耗32Mb SDRAM，具有512K x 32Bits x 2Banks的存储容量。支持JEDEC标准的3.3V, 2.5V, 1.8V供电，所有输入和输出都与系统时钟的上升沿同步。支持自动刷新和自刷新模式，具有4K刷新周期/64ms。支持可编程突发长度和突发类型，以及可编程CAS延迟。还支持深度掉电模式和自动预充电。

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