华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：SOP-8

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

20+
￥0.19228 ￥0.2024
200+
￥0.148675 ￥0.1565
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￥0.12445 ￥0.131
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￥0.109915 ￥0.1157
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￥0.09728 ￥0.1024
20000+
￥0.090535 ￥0.0953

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型号：BY25Q128ASSIG(R) 编号：C383794

封装：SOP-8-208mil

品牌：BOYAMICRO(博雅)

BY25Q128AS是一款128M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为240Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为480Mbit/s。该器件采用2.7V至3.6V的单低压电源供电

数据手册

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￥5.23
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￥4.4
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￥3.81
100+
￥3.32
500+
￥3.17
1000+
￥3.08

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型号：FM25CL64B-GTR 编号：C9830

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25CL64B 是一个 64-Kbit 非易失性存储器，采用先进的铁电工艺。它提供可靠的 151 年数据保留时间，支持高达 100 万亿次读写操作，无需延迟写入。支持 SPI 接口，最高时钟频率为 20 MHz。

数据手册

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￥7.57
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￥6.66
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￥5.81
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￥5.17
500+
￥4.36
1000+
￥4.23

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型号：M24M01-RMN6TP 编号：C79990

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

1 Mbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

1+
￥3.38
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￥2.81
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￥2.4
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￥2.07
500+
￥1.97
1000+
￥1.9

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型号：MX25L25645GM2I-08G 编号：C190799

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

256-Mbit(256M x 1/128M x 2/64M x 4)，工作电压：3V

数据手册

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￥16.72
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￥14.63
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￥13.15
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￥10.88
500+
￥10.26
1000+
￥10

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型号：24C02S(XBLW) 编号：C18723540

封装：SOT23-5

品牌：XBLW(芯伯乐)

24C02是一款2048位串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为256个8位字。该设备采用先进的CMOS工艺制造，适用于低功耗和低电压应用。提供多种封装选项，包括8引脚DIP、8引脚SOP、8引脚MSOP、8引脚TSSOP、8引脚DFN和5引脚SOT-23/TSOT-23。标准2线双向串行接口用于所有读写功能。

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￥0.14573 ￥0.1534
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￥0.116945 ￥0.1231
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￥0.10089 ￥0.1062
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￥0.091295 ￥0.0961
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￥0.082935 ￥0.0873
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￥0.078375 ￥0.0825

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型号：MB85RC64TAPNF-G-BDERE1 编号：C189804

封装：SOP-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

是一款8192字×8位配置的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元。与SRAM不同，无需使用数据备份电池即可保留数据。非易失性存储单元的读写耐久性提高到至少10¹³次循环，在次数上显著优于闪存和E²PROM。写入存储器后不需要像闪存或E²PROM那样的轮询序列。

数据手册

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￥6.3
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￥5.33
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￥4.65
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￥4.09
500+
￥3.63
1500+
￥3.52

有货

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型号：W25Q32JVZPIQ 编号：C571260

封装：WSON-8-EP(5x6)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q32JV（32M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM以及执行代码

数据手册

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￥7
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￥6.22
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￥5.83
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￥5.44
500+
￥4.92
1000+
￥4.8

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型号：MX25L12833FM2I-10GTR 编号：C2802705

封装：SOP-8-208mil

品牌：MXIC(旺宏电子)

128Mb 串行 NOR 闪存，内部配置为 16,777,216 x 8。在双 I/O 或四 I/O 模式下，结构变为 67,108,864 位 x 2 或 33,554,432 位 x 4。具有串行外设接口和软件协议，允许在单电源下运行。

数据手册

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￥8.42
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￥7.35
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￥6.34
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￥5.59
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￥5.28
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￥5.13

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型号：IS62WV51216BLL-55TLI 编号：C11315

封装：TSOP-44-10.2mm

品牌：ISSI(美国芯成)

8-Mbit(512K × 16bit)，并行接口，工作电压：2.5V to 3.6V

数据手册

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￥34.33
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￥26.15
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￥23.03 ￥23.5
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￥22.0892 ￥22.54
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￥21.6972 ￥22.14

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型号：M24512-RMN6TP 编号：C79991

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

512 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

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￥2.1189
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￥1.6501
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￥1.4493
500+
￥1.1986
2500+
￥1.087
5000+
￥1.02

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型号：FM24CL16B-GTR 编号：C31082

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM24CL16B是一款16-Kbit非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)，采用2Kx8组织结构。它具有高耐久性（100万亿次读写）、151年的数据保留时间和低功耗。支持最高1MHz的I2C接口，适用于频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥7.33
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￥6.4
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￥5.52
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￥4.86
500+
￥4.6
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￥4.46

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型号：FM25L16B-GTR 编号：C466849

封装：SOIC-8

品牌：Infineon/CYPRESS(赛普拉斯)

FM25L16B是一款16Kbit非易失性存储器，采用先进的铁电工艺制造。它支持高速SPI接口，最高时钟频率为20MHz，具有高耐久性和低功耗。适用于需要频繁写入的应用场景。

数据手册

1+
￥7.54
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￥6.64
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￥5.78
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￥5.14
500+
￥4.88
1000+
￥4.76

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型号：MB85RS256BPNF-G-JNERE1 编号：C8742

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

256-Kbit(32K × 8bit)，SPI接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册

1+
￥11.49
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￥10.01
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￥8.97
100+
￥8.02
500+
￥7.58
1500+
￥7.4

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型号：AD24C02 编号：C5125083

封装：SOT-23-5

品牌：IDCHIP(英锐芯)

AD24C02是一款串行电可擦除编程只读存储器(EEPROM)。存储器可存储256个字节数据，分为32页每页8字节，随机字寻址需要8位数据字地址，具有低功耗CMOS技术，自定时编程周期。AD24C02为SOT23-5、SOP-8、PDIP-8三种封装。

数据手册

10+
￥0.3223
100+
￥0.2647
300+
￥0.2359
3000+
￥0.1638
6000+
￥0.1465
9000+
￥0.1378

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型号：AT24C04C-SSHM-T 编号：C6205

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C04C和AT24C08C提供4096/8192位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为512/1024个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行有要求的工业和商业应用进行了优化。AT24C04C/08C有节省空间的8引脚PDIP、8引脚JEDEC SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN、5引脚SOT23和8球VFBGA封装可供选择，并通过两线串行接口进行访问

数据手册

5+
￥1.5239
50+
￥1.2366
150+
￥1.1135
500+
￥0.9598
2500+
￥0.8106
4000+
￥0.7695

有货

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型号：MB85RC16PNF-G-JNERE1 编号：C8739

封装：SOIC-8

品牌：RAMXEED/FUJITSU(富士通)

16-Kbit(2K × 8bit)，I2C接口，工作电压：2.7V to 3.6V

数据手册

1+
￥4.46
10+
￥3.88
30+
￥3.46
100+
￥3.13
500+
￥2.57
1500+
￥2.5

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型号：W25Q128JVEIQ TR 编号：C2456297

封装：WSON-8-EP(6x8)

品牌：Winbond(华邦)

W25Q128JV（128M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。

数据手册

2+
￥13.23
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￥11.46
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￥10.48
200+
￥8.72
1000+
￥8.23
2000+
￥8

有货

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型号：W29N01HVSINA 编号：C129399

封装：TSOPI-48

品牌：Winbond(华邦)

W29N01HV 是一款 1Gbit 的 NAND Flash 存储器，适用于嵌入式系统，支持低功耗操作，具有 138,412,032 字节的存储阵列，分为 1,024 个可擦除块，每个块包含 64 个可编程页面，每页 2,112 字节。

数据手册

1+
￥36.48
10+
￥33.69
30+
￥31.95
96+
￥30.16
480+
￥29.35
768+
￥29

有货

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型号：MT41K128M16JT-125:k 编号：C36513

封装：FBGA-96(8x14)

品牌：micron(镁光)

2-Gbit(128M × 16bit)，工作电压：1.35V

数据手册

1+
￥41.22
10+
￥36.53
30+
￥33.74
100+
￥27.89
500+
￥26.59
1000+
￥26

有货

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型号：KLM4G1FETE-B041 编号：C500273

封装：FBGA-153(10x11)

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

eMMC是采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC的操作与MMC设备相同，因此它是使用行业标准的MMC 5.1版协议对存储器进行简单的读写操作。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成

数据手册

1+
￥143.57
10+
￥138.25
30+
￥129.03
128+
￥103

有货

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型号：KLMAG1JETD-B041 编号：C499919

封装：FBGA-153

品牌：SAMSUNG(三星半导体)

eMMC是一种采用BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此使用行业标准的MMC协议v5.1对内存进行简单的读写。eMMC由NAND闪存和MMC控制器组成。NAND区域（VDDF或VCC）需要3V电源电压，而MMC控制器支持1.8V或3V双电源电压（VDD或VCCQ）

数据手册

1+
￥157.07
30+
￥150

有货

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型号：AT24C16 编号：C561263

封装：SOP-8

品牌：IDCHIP(英锐芯)

24C16是一款16K位电可擦除PROM，采用两线串行接口。支持1.8V~5.5V的工作电压，具有页写能力和多种封装形式，适用于智能仪器仪表、工业控制、家用电器、计算机笔记本电脑、汽车电子和通信设备等领域。

数据手册

5+
￥0.43827 ￥0.6261
50+
￥0.34419 ￥0.4917
150+
￥0.29715 ￥0.4245
500+
￥0.26187 ￥0.3741
2500+
￥0.23359 ￥0.3337
4000+
￥0.21952 ￥0.3136

有货

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型号：AT93C46DN-SH-T 编号：C6499

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT93C46D提供1024位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为：当ORG引脚连接到VCC时，为64个16位字；当ORG引脚接地时，为128个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用进行了优化。AT93C46D提供节省空间的8引脚PDIP、8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8焊盘UDFN和8球VFBGA封装

数据手册

5+
￥1.255
50+
￥0.9778
150+
￥0.859
500+
￥0.7107
2500+
￥0.6447
4000+
￥0.6051

有货

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型号：AT24C08C-SSHM-T 编号：C31422

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

特性：低电压操作：VCC = 1.7V至5.5V。内部组织为512 × 8（4K）或1,024 × 8（8K）。工业温度范围：-40°C至+85°C。I²C兼容（两线）串行接口:100kHz标准模式，1.7V至5.5V

数据手册

5+
￥1.3497
50+
￥1.044
150+
￥0.913
500+
￥0.7496
2500+
￥0.6768
4000+
￥0.6331

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型号：CAT24C512WI-GT3 编号：C79986

封装：SOIC-8

品牌：onsemi(安森美)

CAT24C512 是一款 EEPROM 串行 512-Kb I2C，内部组织为 65,536 个词，每个词 8 位。它具有 128 字节页写入缓存，支持标准 (100 kHz)、快速 (400 kHz) 和超快 (1 MHz) I2C 协议。写入操作可通过将 WP 引脚置于高电平类禁止（这样会保护整个内存）。外部地址引脚使其能够在同一个总线上放置最多八个 CAT24C512 器件。片上 ECC（错误修正代码）使得该器件适用于高可靠性应用。

数据手册

1+
￥3.29
10+
￥2.67
30+
￥2.4
100+
￥2.07
500+
￥1.41
1000+
￥1.32

有货

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型号：W25Q80DVSSIG 编号：C98163

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源受限的系统提供存储解决方案。该系列产品的灵活性和性能远超普通串行闪存设备，非常适合将代码映射到RAM、直接从双/四SPI执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备采用2.7V至3.6V单电源供电，掉电时电流消耗低至1μA。所有设备均采用节省空间的封装。阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节

数据手册