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首页 > 热门关键词 > 华冠存储器
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HG25Q16是一款16M位串行外设接口(SPI)闪存,支持双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(/WP)和I/O3(/HOLD)。双I/O数据传输速度为216Mbit/s,四I/O和四输出数据传输速度为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电,电压范围为2.7V至3.6V
数据手册
  • 1+

    ¥2.5435
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    ¥2.0395
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    ¥1.554
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    ¥1.362
  • 订货
  • AT24LC512 提供 524,288 位的串行可擦除可编程只读存储器(EEPROM),组织为 65,536 个 8 位字。该设备支持低电压操作(1.8V 至 5.5V),具有硬件数据保护功能,支持部分页写入,内部自定时写周期(最大 5 毫秒),两线串行接口,高可靠性,噪声抑制,100 年数据保留时间和 1 百万次写周期寿命。封装包括 8 引脚 DIP、8 引脚 JEDEC SOP、8 引脚 MSOP 和 8 引脚 TSSOP。
    数据手册
    • 1+

      ¥3.64
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      ¥2.3
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      ¥1.91
    • 1000+

      ¥1.81
  • 订货
  • 串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 50+

      ¥2.67
    • 100+

      ¥2.31
    • 500+

      ¥2.09
    • 1000+

      ¥1.98
  • 订货
  • 串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)
    • 1+

      ¥3.77
    • 10+

      ¥3.04
    • 50+

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      ¥1.98
  • 订货
  • HG24LC512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为65,536个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化
    数据手册
    • 1+

      ¥3.36
    • 10+

      ¥2.69
    • 30+

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      ¥2.03
    • 500+

      ¥1.76
    • 1000+

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    • 1000+

      ¥0.66
  • 订货
  • 64 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
    • 5+

      ¥0.8184
    • 50+

      ¥0.6635
    • 150+

      ¥0.5838
    • 500+

      ¥0.5181
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      ¥0.4952
    • 5000+

      ¥0.4797
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  • 2 Kbit串行I2C总线EEPROM
    数据手册
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    • 5000+

      ¥0.3696
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      ¥10.25
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    • 1000+

      ¥7.14
    • 2000+

      ¥6.98
  • 有货
  • 128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速
    数据手册
    • 2+

      ¥13.18
    • 20+

      ¥11.76
    • 60+

      ¥10.75
    • 200+

      ¥9.83
    • 1000+

      ¥9.41
    • 2000+

      ¥9.24
  • 有货
  • AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化,在这些应用中,低功耗和低电压运行至关重要
    数据手册
    • 5+

      ¥2.2783
    • 50+

      ¥1.8016
    • 150+

      ¥1.5689
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      ¥1.3674
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      ¥1.3104
    • 4000+

      ¥1.2762
  • 有货
  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。
    数据手册
    • 2+

      ¥8.41
    • 20+

      ¥7.49
    • 60+

      ¥6.62
    • 200+

      ¥5.97
    • 1000+

      ¥5.71
    • 2000+

      ¥5.57
  • 有货
  • W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源有限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 1+

      ¥6.46
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      ¥5.64
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      ¥4.59
    • 500+

      ¥4.45
    • 1000+

      ¥4.35
  • 有货
  • W25Q16JV(16M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 10+

      ¥6.84
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      ¥6.13
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      ¥5.42
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      ¥5.01
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      ¥4.88
    • 8000+

      ¥4.8
  • 有货
  • (与C82317为同一颗物料,只是编带方式不一样。)3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI
    数据手册
    • 2+

      ¥6.94
    • 20+

      ¥6.2
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      ¥5.51
    • 200+

      ¥5
    • 1000+

      ¥4.4
    • 2000+

      ¥4.29
  • 有货
  • W25Q128JV(128M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列具备灵活性和高性能。
    数据手册
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      ¥14.7
    • 20+

      ¥13.29
    • 60+

      ¥12.29
    • 200+

      ¥10.38
    • 1000+

      ¥9.96
    • 2000+

      ¥9.79
  • 有货
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      ¥22.14
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      ¥19.52
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      ¥18.19
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      ¥16.4
    • 2000+

      ¥15.76
    • 4000+

      ¥15.48
  • 有货
  • AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM),其组织形式为128/256个字,每个字8位。两款器件均具备级联功能,最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化,在这些应用中,低功耗和低电压运行至关重要
    数据手册
    • 5+

      ¥1.373
    • 50+

      ¥1.0968
    • 150+

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    • 2500+

      ¥0.8087
    • 4000+

      ¥0.7889
  • 有货
  • (与C131025为同一颗物料,只是包装方式不一样。)3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI
    数据手册
    • 20+

      ¥5.92
    • 200+

      ¥5.23
    • 600+

      ¥4.89
    • 2000+

      ¥4.59
    • 10000+

      ¥4.5
    • 20000+

      ¥4.45
  • 有货
  • 64-Kbit(8K × 8bit),I2C接口,工作电压:2.7V to 3.65V FM24CL64B是一款采用先进铁电工艺的64-Kbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器(F-RAM)是非易失性的,其读写操作与RAM类似。它可提供151年可靠的数据保留,同时消除了EEPROM和其他非易失性存储器带来的复杂性、开销和系统级可靠性问题。
    数据手册
    • 1+

      ¥8.49
    • 10+

      ¥7.52
    • 30+

      ¥6.6
    • 100+

      ¥5.92
    • 500+

      ¥5.64
    • 1000+

      ¥5.5
  • 有货
  • GD25Q128E(128M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#/RESET#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.18
    • 10+

      ¥8.04
    • 30+

      ¥7.23
    • 100+

      ¥6.49
    • 500+

      ¥5.14
    • 1000+

      ¥5
  • 有货
  • 串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、直接从双/四 SPI 执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。器件在 2.7V 至 3.6V 单电源下工作,掉电电流低至 1μA
    数据手册
    • 2+

      ¥12.96
    • 20+

      ¥11.46
    • 54+

      ¥10.4
    • 198+

      ¥9.43
    • 1008+

      ¥8.99
    • 1800+

      ¥8.8
  • 有货
    • 1+

      ¥21.71
    • 10+

      ¥19.39
    • 30+

      ¥18.21
    • 100+

      ¥16.62
    • 500+

      ¥16.05
    • 1000+

      ¥15.8
  • 有货
  • GD25Q16E(16M位)串行闪存支持标准串行外设接口(SPI)以及双/四路SPI:串行时钟、片选、串行数据I/O0(SI)、I/O1(SO)、I/O2(WP#)、I/O3(HOLD#)。双I/O数据传输速度为266Mbit/s,四路I/O数据传输速度为532Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥4.4
    • 10+

      ¥3.68
    • 30+

      ¥3.33
    • 100+

      ¥3.02
    • 500+

      ¥1.94
    • 1000+

      ¥1.88
  • 有货
  • 支持标准串行外设接口 (SPI) 以及双/四SPI:串行时钟、片选、串行数据 I/O0 (SI)、I/O1 (SO)、I/O2 (WP#)、I/O3 (HOLD#)。双 I/O 数据传输速度为 266Mbit/s,四 I/O 数据传输速度为 532Mbit/s。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.94
    • 10+

      ¥7.13
    • 30+

      ¥6.36
    • 95+

      ¥3.66
    • 475+

      ¥3.42
    • 1045+

      ¥3.3
  • 有货
  • W25Q32JV(32M位)串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列的灵活性和性能远超普通串行闪存器件。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四路SPI直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据
    数据手册
    • 2+

      ¥8.09
    • 20+

      ¥7.27
    • 90+

      ¥6.5
    • 180+

      ¥5.93
    • 990+

      ¥5.69
    • 1980+

      ¥5.57
  • 有货
  • 64M-bit/8M-byte FLASH芯片,SPI接口 133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI) 比W25Q64FVSSIG更高速度
    数据手册
    • 10+

      ¥9.68
    • 100+

      ¥8.94
    • 270+

      ¥8.24
    • 990+

      ¥7.72
    • 5040+

      ¥7.51
    • 9000+

      ¥7.4
  • 有货
  • W9825G6KH 是一款高速同步动态随机存取存储器 (SDRAM),组织为 4M 字 x 4 组 x 16 位。具有自刷新模式和低功耗模式。提供多种突发长度和延迟周期设置,适用于高性能应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.23
    • 10+

      ¥26.98
    • 30+

      ¥25.39
    • 108+

      ¥23.94
    • 540+

      ¥23.28
    • 864+

      ¥23
  • 有货
  • 商业级
    数据手册
    • 1+

      ¥78.87
    • 10+

      ¥70.81
    • 30+

      ¥65.65
    • 100+

      ¥58
  • 有货
  • DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)数据手册规格。
    数据手册
    • 1+

      ¥82.16
    • 10+

      ¥74.2
    • 30+

      ¥69.11
    • 100+

      ¥64.19
  • 有货
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