华冠存储器_厂家_价格_品牌_库存

封装：DIP-8

HG24C08C是一款8K位I2C兼容串行EEPROM，支持1.7V至5.5V的工作电压，最高传输速率为1MHz，具有硬件和软件写保护功能，提供多种封装选项，包括DIP-8、SOP-8、MSOP-8、TSSOP-8、DFN-8和SOT-23-5。

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￥0.8019
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￥0.6339
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￥0.5499
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￥0.4365
4000+
￥0.4113

有货

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型号：HG24C64CM/TR 编号：C22446590

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C64C是一款64 Kbit的I²C兼容串行EEPROM（电可擦可编程存储器）器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最大传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C

5+
￥0.8212
50+
￥0.6484
150+
￥0.562
500+
￥0.4972
2500+
￥0.4454
5000+
￥0.4194

有货

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型号：AT24C128AM/TR 编号：C22396896

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24C128A提供131,072位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为16,384个8位字。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化。

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￥1.6505
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￥1.296
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￥1.1441
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￥0.9545
2500+
￥0.8701
5000+
￥0.8195

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型号：HG24LC02M/TR 编号：C3007878

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24LC02 / 04 / 08 / 16 提供 2048/4096/8192/16384 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织形式为 256/512/1024/2048 个字，每个字 8 位。该器件针对许多对低功耗和低电压操作有要求的工业和商业应用进行了优化。HG24LC02/04/08/16 有节省空间的 8 引脚 DIP、8 引脚 SOP、8 引脚 MSOP 和 5 引脚 SOT23 封装可供选择，并可通过两线串行接口进行访问

数据手册

5+
￥0.5087
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￥0.4079
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￥0.3575
500+
￥0.3197
2500+
￥0.2619
5000+
￥0.2468

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型号：AT25Q32BDQ/TR 编号：C42435767

封装：DFN-8(3x3)

品牌：HGSEMI(华冠)

3V 32M-BIT SERIAL NOR FLASH WITH DUAL AND QUAD SPI, QPI&DTR

1+
￥1.42
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￥1.39
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￥1.37
100+
￥1.34

有货

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型号：HG24C512M/TR 编号：C2902483

封装：SO-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为65,536个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

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￥2.21
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￥1.55
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￥1.22
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￥0.89
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￥0.81
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￥0.71

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型号：HG24LC256N 编号：C19193486

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24LC256提供262,144位的串行可擦除和可编程只读存储器（EEPROM），组织为4096个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，特别是在低功耗和低电压操作至关重要的场合。HG24LC256支持1.8V至5.5V的宽电压操作，具有低功耗特性，支持硬件数据保护，提供64字节页写入功能，自定时写周期时间为5ms，最高耐久性为1百万次写周期，数据保留时间为100年。

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￥2.35
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￥1.85
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￥1.63
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￥1.36
2000+
￥1.24
4000+
￥1.17

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型号：HG25Q128MW/TR 编号：C20613274

封装：SOP-8-208mil

品牌：HGSEMI(华冠)

3.3v128m位串行闪存，带有双/四元SPI

1+
￥4.78
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￥3.79
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￥3.29
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￥2.8
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￥2.6
1000+
￥2.45

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型号：HG24C256CN 编号：C7432372

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24C256C是一款256 Kbit的I²C兼容串行EEPROM（电可擦可编程存储器）器件。该器件设计工作的电源电压范围为1.7V至5.5V，最大传输速率为1MHz。工作温度范围为-40°C至+105°C

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￥1.9946
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￥1.5662
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￥1.3826
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￥1.1535
2000+
￥1.0515
4000+
￥0.9903

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型号：HG93C46AM/TR 编号：C7432350

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG93C46A/56A/66A提供1k/2k/4k位的串行可擦除可编程只读存储器，支持1.7V至5.5V的低电压和标准电压操作。具有2MHz（2.5V）和1MHz（1.7V）兼容性，支持字（x16）或字节（x8）组织，自定时写周期（最大5ms），高可靠性，100万次写周期寿命，40年数据保留。

5+
￥0.8019
50+
￥0.6339
150+
￥0.5499
500+
￥0.4869
2500+
￥0.4365
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￥0.4113

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型号：AT93C56M/TR 编号：C356700

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT93C56M/TR 是一款3线串行EEPROM，存储容量为2048位（16位宽或8位宽）。支持2.5V到5.5V的工作电压，具有自定时擦除/写入周期（最大5ms包括自动擦除），100年的数据保留时间和-40°C到85°C的工业温度范围。提供8引脚DIP/SOP/TSSOP/DFN无铅封装。

数据手册

5+
￥0.9255
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￥0.7239
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￥0.6375
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￥0.5297
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￥0.4817
5000+
￥0.4528

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型号：HG24LC64N 编号：C20613248

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24LC64提供65,536位的串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为8192个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。HG24LC64支持1.8V至5.5V的工作电压，工作温度范围为-40°C至+85°C，具有硬件写保护功能，支持32字节页写模式，自定时写周期最长5毫秒，耐久性高达1百万次写周期，数据保留时间为100年。

5+
￥1.5253
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￥1.1977
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￥1.0573
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￥0.8821
2000+
￥0.8041
4000+
￥0.7573

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型号：AT24LC256M/TR 编号：C3007894

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24LC128 / AT24LC256 提供 131,072/262,144 位的串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为 4096 个 8 位字。该器件针对许多需要低功耗和低电压运行的工业和商业应用进行了优化。它采用 8 引脚 MSOP 封装，可通过两线串行接口访问

数据手册

5+
￥2.1009
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￥1.6473
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￥1.4529
500+
￥1.2103
2500+
￥1.1023
5000+
￥1.0375

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型号：HG25Q16M/TR 编号：C2688463

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG25Q16是一款16M位串行外设接口（SPI）闪存，支持双/四SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（SI）、I/O1（SO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。双I/O数据传输速度为216Mbit/s，四I/O和四输出数据传输速度为432Mbit/s。该器件采用单一低压电源供电，电压范围为2.7V至3.6V

数据手册

1+
￥2.5435
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￥2.0395
30+
￥1.8235
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￥1.554
500+
￥1.434
1000+
￥1.362

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型号：AT24LC512M/TR 编号：C3007895

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

AT24LC512 提供 524,288 位的串行可擦除可编程只读存储器（EEPROM），组织为 65,536 个 8 位字。该设备支持低电压操作（1.8V 至 5.5V），具有硬件数据保护功能，支持部分页写入，内部自定时写周期（最大 5 毫秒），两线串行接口，高可靠性，噪声抑制，100 年数据保留时间和 1 百万次写周期寿命。封装包括 8 引脚 DIP、8 引脚 JEDEC SOP、8 引脚 MSOP 和 8 引脚 TSSOP。

数据手册

1+
￥3.64
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￥2.97
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￥2.63
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￥2.3
500+
￥1.91
1000+
￥1.81

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型号：AT24C512AN 编号：C19193420

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

1+
￥3.77
10+
￥3.04
50+
￥2.67
100+
￥2.31
500+
￥2.09
1000+
￥1.98

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型号：HG24C512AN 编号：C19193418

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

串行电可擦写可编程读存储器(EEPROM)

1+
￥3.77
10+
￥3.04
50+
￥2.67
100+
￥2.31
500+
￥2.09
1000+
￥1.98

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型号：HG24LC512M/TR 编号：C3007886

封装：SOP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

HG24LC512提供524,288位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为65,536个8位字。该器件的可级联特性允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多对低功耗和低电压运行至关重要的工业和商业应用进行了优化

数据手册

1+
￥3.36
10+
￥2.69
30+
￥2.36
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￥2.03
500+
￥1.76
1000+
￥1.66

订货

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预售商品

型号：HG24C128 编号：C5260559

封装：DIP-8

品牌：HGSEMI(华冠)

1+
￥1.8
200+
￥0.6966
500+
￥0.6721
1000+
￥0.66

订货

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型号：M24C64-RMN6TP 编号：C79988

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

64 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.7064
50+
￥0.5594
150+
￥0.4838
500+
￥0.4215
2500+
￥0.3998
5000+
￥0.385

有货

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型号：AT24C02C-SSHM-T 编号：C6203

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C01C/02C提供1024/2048位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为128/256个字，每个字8位。两款器件均具备级联功能，最多允许8个器件共享一条通用两线总线。这些器件针对众多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

数据手册

5+
￥1.1936
50+
￥0.9166
150+
￥0.7814
500+
￥0.6607
2500+
￥0.6276
4000+
￥0.6077

有货

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型号：AT24C256C-SSHL-T 编号：C6482

封装：SOIC-8

品牌：MICROCHIP(美国微芯)

AT24C256C提供262,144位串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），其组织形式为32,768个8位字。该器件的级联功能允许最多8个器件共享一条通用两线总线。该器件针对许多工业和商业应用进行了优化，在这些应用中，低功耗和低电压运行至关重要

数据手册

5+
￥2.1999
50+
￥1.7211
150+
￥1.4874
500+
￥1.1079
2500+
￥1.0506
4000+
￥1.0162

有货

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型号：W25Q64JVSSIQ 编号：C179171

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

数据手册

5+
￥8.11
50+
￥7.32
150+
￥6.59
500+
￥6.04
2000+
￥5.82
4000+
￥5.7

有货

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型号：W25Q128JVSIQ 编号：C97521

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

128Mbit(16MBx8bit),高速版,133MHz(266/532MHz Dual/Quad-SPI,66MB/S),比W25Q128FVSIG,W25Q128FVFIG更高速

数据手册

1+
￥10.63
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￥9.32
30+
￥8.39
100+
￥7.55
500+
￥7.16
1000+
￥7

有货

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型号：M24C02-RMN6TP 编号：C83836

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

2 Kbit串行I2C总线EEPROM

数据手册

5+
￥0.4706
50+
￥0.3724
150+
￥0.3219
500+
￥0.2803
2500+
￥0.2658
5000+
￥0.256

有货

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型号：W25Q16JVSSIQ 编号：C131025

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

（与C82317为同一颗物料，只是编带方式不一样。）3V 16Mbit Serial Flash Memory with dual/quad SPI

数据手册

2+
￥4.55
20+
￥4.03
60+
￥3.66
200+
￥3.35
1000+
￥3.06
2000+
￥3

有货

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型号：W25Q32JVSSIQ 编号：C179173

封装：SOIC-8-208mil

品牌：Winbond(华邦)

串行闪存存储器为空间、引脚和电源有限的系统提供存储解决方案。该系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。适用于将代码映射到 RAM、通过双/四 SPI 直接执行代码(XIP)以及存储语音、文本和数据。设备在 2.7V 至 3.6V 电源下工作,掉电时电流消耗低至 1μA。阵列由 16,384 个可编程页面组成,每页 256 字节,一次最多可编程 256 字节。页面可以按 16 页一组(4KB 扇区擦除)、128 页一组(32KB 块擦除)、256 页一组(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)进行擦除。有 1,024 个可擦除扇区和 64 个可擦除块,小的 4KB 扇区具有很大优势。

数据手册